- “十二五”规划出台以后，国家对新能源、新型轨道交通等新兴行业的发展非常重视，同时，“节能减排”工作也深入开展，中国开始从粗放型用电到精细化用电转型。包括IGBT等半导体功率器件作为关键部件，受到了国家的重视，近两年更是列入国家重大科技专项中提供多方位的支持。
绝缘栅双极型晶体管(IGBT)是继双极晶体管(GTR)和MOSFET后的第三代功率半导体分立器件，具有易于驱动、峰值电流容量大、自关断、开关频率高的特点，广泛用于小体积、高效率的变频电源、电机
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新能源 功率器件 IGBT
- 上海，2012年11月20日 –富士通半导体(上海)有限公司今日宣布采用其基于硅基板的氮化镓 (GaN) 功率器件的服务器电源单元成功实现2.5kW的高输出功率，富士通半导体计划将于2013年下半年开始量产这些GaN功率器件。这些器件可广泛用于电源增值应用，对实现低碳社会做出重大贡献。
与传统硅基功率器件相比，基于GaN的功率器件具有导通电阻低和能够进行高频操作等特性。而这些特性恰恰有利于提高电源单元转换效率，并使电源单元更加紧凑。富士通半导体计划在硅基板上进行GaN功率器件的商业化
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富士通 功率器件 GaN
- 富士通半导体宣布采用其基于硅基板的氮化镓 (GaN) 功率器件的服务器电源单元成功实现2.5kW的高输出功率，富士通半导体计划将于2013年下半年开始量产这些GaN功率器件。这些器件可广泛用于电源增值应用，对实现低碳社会做出重大贡献。
与传统硅基功率器件相比，基于GaN的功率器件具有导通电阻低和能够进行高频操作等特性。而这些特性恰恰有利于提高电源单元转换效率，并使电源单元更加紧凑。富士通半导体计划在硅基板上进行GaN功率器件的商业化，从而可以通过硅晶圆直径的增加，来实现低成本生产。按照此目标，富
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富士通 功率器件 硅基板
- 富士通半导体(上海)有限公司日前宣布采用其基于硅基板的氮化镓 (GaN) 功率器件的服务器电源单元成功实现2.5kW的高输出功率，富士通半导体计划将于2013年下半年开始量产这些GaN功率器件。这些器件可广泛用于电源增值应用，对实现低碳社会做出重大贡献。
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富士通 功率器 GaN
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逆变器 功率器件
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MOSFET 功率器件 汽车电子
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GaN 恩智浦 氮化镓 射频功率晶体管
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