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功率 半导体 SiC GaN
- 中国科学院近日发布的一份报告称，中国研究人员利用应变工程已将150mA的电流注入了530nm发光的二极管（LED），光的...
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LED GaN MOCVD
- 2013年9月5日，首届“第三代半导体材料及应用发展国际研讨会”在深圳成功召开，来自中科院半导体研究所、南...
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Si基 GaN 功率器件
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功率器件 IR2110 IGBT
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功率器件 混合动力车
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功率器件 开关电源 电源
- 传统的氮化镓（GaN）LED元件通常以蓝宝石或碳化硅（SiC）为衬底，因为这两种材料与GaN的晶格匹配度较好，衬底常用尺寸为...
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GaN LED 光萃取技术
- IGBT，PowerMOSFET和BipolarPowerTransistor等功率器件，都需要有充分的保护以避免欠压、米勒效应、缺失饱和...
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隔离驱动 功率器件
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大功率 高压变频器 功率器件
- GaN是什么?
什么是GaN?GaN中文名：氮化嫁，用化学元素来解释就是V族化合物。六方晶系铅锌矿型结构，为直接带隙半导体。室温禁带宽度3.39eV。电子和空穴有效惯性质量分别为0.19和0.6。电阻率>107Ω·m，电子迁移率 (1.25～1.50)×10-2m2/(V·s)。采用化学气相淀积法制备。
GaN材料的研究与应用是全球半导体研究的热点，是研制微电子器件、光电子器件的新型半导体材料，并与SIC、金刚石等半导体材料一起，被
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GaN 功率器件
- 富士通半导体(上海)有限公司日前宣布，推出基于硅衬底的氮化镓(GaN)功率器件芯片MB51T008A，该芯片可耐压150 V。富士通半导体将于2013年7月起开始提供新品样片。该产品初始状态是断开(Normally-off)，相比于同等耐压规格的硅功率器件，品质因数(FOM)可降低近一半。
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富士通 功率器件 GaN MB51T008A
- SiC企业不断增多，成本不断下降”一文中，作者根津在开篇写道：“下一代功率半导体已经不再特别。”这是因为，随着使用SiC和GaN等“下一代功率半导体”的大量发布，在学会和展会的舞台上，这种功率半导体逐渐带上了“当代”的色彩。
那么，在使用功率半导体的制造现场，情况又是如何呢?虽然使用SiC和GaN的产品目前尚处开始增加的阶段，仍属于“下一代”，但在功率半导体使用者的心目中，此类产品已逐渐由
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SiC GaN
- 微型隔离器的应用可进一步缩小电动及混合动力汽车功率逆变器的体积
瑞萨电子公司开发的配有内置式微型隔离器的 IGBT 驱动器智能器件
日本东京讯-全球领先的半导体及解决方案供应商瑞萨电子株式会社(TSE：6723)今天宣布开发出了隔离型IGBT驱动器的R2A25110KSP智能型功率器件， 适用于电动和混合动力汽车功率逆变器。R2A25110KSP中融入了瑞萨电子公司最新开发的微型隔离器隔离专项技术。这些技术可为汽车应用系统建立更可靠、更紧凑的系统。
用于驱动电动和混合动力汽车中的电机
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瑞萨 功率器件
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