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三菱电机携八款功率器件在PCIM Asia 2016隆重登场

作者:时间:2016-06-08来源:电子产品世界收藏

  电机今年继续以“创新 构建可持续未来”为主题, 携带八款新型,于6月28至30日在上海世博展览馆举行的 PCIMAsia2016(上海国际电力元件、可再生能源管理展览会)中登场,向公众展示其在功率 半导体市场上的非凡实力(电机展位号:B15)。

本文引用地址:http://www.eepw.com.cn/article/201606/292400.htm

  今年展出的应用范围跨越四大领域,包括:变频家电、轨道牵引及电力传输、电动 汽车、工业和新能源发电,致力为客户提供高性能及低损耗的产品。

  变频家电市场

  在变频家电应用方面,电机这次在去年推介的SLIMDIP模块的基础上,开展出SLIMDIP-L和SLIMDIP-S两款产品,SLIMDIP-L用于变频洗衣机和变频空调,而SLIMDIP-S用于变频冰箱和变频风机控制。两款SLIMDIP均采用RC-IGBT芯片,实现更高的集成度; 封装面积比超小型DIPIPMTM缩小达30%;内置自举二极管和限流电阻;最大运行壳温提升至115℃;并集成 短路保护和欠压保护,同时提供温度模拟量输出版本和过温保护版本供选择。

  

 

  SLIMDIP模块

  轨道牵引及电动汽车驱动市场

  在PCIM 亚洲展2016上,三菱电机为轨道牵引和电力传输,以及电动汽车领域,带来三款功率模块,分别为X系列的单管及双管HVIGBT模块,适合牵引变流器及直流输电应用;而J1系列汽车用IGBT模块则适用于电动汽车驱动器,及高可靠性 逆变器。

  首次亮相展会的X系列双管HVIGBT模块,采用CSTBTTM 结构的第7代IGBT和RFC二极管,降低功率损耗;运用可降低内部电感的封装技术,优化产品性能;使用两种封装(LV100/HV100),实现两种绝缘耐压(6kV/10kV),但两者具有相同的外形尺寸。LV100封装包括900A/1.7kV和450A/3.3kV;HV100封装包括450A/3.3kV、330A/4.5kV和225A/6.5kV;可提高系统结构设计的灵活性,方便实现逆变器扩容。

  

 

  至于X系列单管HVIGBT模块,采用第7代IGBT和RFC Diode硅片技术,实现更低饱和压降和开关损耗;使用LNFLR技术实现低热阻; 允许最高运行结温150℃;安全工作区(SOA)裕度大,续流恢复能力强; 封装兼容传统的H系列HVIGBT;标准产品包括1800A/3.3kV、1350A/4.5kV和900A/6.5kV;此外,还有业界规格最大,针对电力传输应用而开发的6500V/1000A单管HVIGBT。

  

 

  X系列单管HVIGBT模块

  J1系列汽车用IGBT模块是专为电动汽车驱动器,及高可靠性逆变器设计,采用Pin-fin底板的六合一汽车用IGBT模块。它使用第7代IGBT硅片技术,损耗更低;高可靠性的DLB(直接主端子绑定)技术;及基于硅片的温度和电流检测技术。J1系列提供A、B两种封装。A型封装(小封装)有300A/650V、600A/650V、400A/900V和300A/1200V;B型封装(大封装)有1000A/650V和600A/1200V,这两种封装可以满足从小型电动汽车到大型电动公交车的应用要求。

  针对J1系列新型汽车模块,三菱电机将提供包括驱动电路、冷却水套及薄膜电容的整体解决方案技术支持,以方便客户快速应用该模块实现汽车用逆变器的设计。

  

 

  工业市场

  针对工业应用市场,三菱电机将展出第7代IGBT模块、整流逆变制动一体化智能功率模块DIPIPM+,G1系列智能功率模块(IPM)。第7代IGBT模块,可以应用在通用变频器、伺服驱动器及不间断 电源。它采用了第7代IGBT硅片和二极管硅片,降低损耗;具有650V、1200V和1700V三种电压等级;涵盖模块电流75A至2500A;兼容现有市场主流产品封装;提高产品热循环寿命和功率循环寿命;采用预涂热界面材料(PC-TIM),与传统硅脂相比,模块与散热器的接触热阻降低50%;NX封装具有焊接方式和压接方式两种控制端子可供选择。

  

 

  整流逆变制动一体化模块DIPIPM+,适合通用变频器、伺服驱动器和商用空调压缩机驱动。它完整地集成整流桥、逆变桥、制动单元以及相应的驱动保护电路, 采用第7代CSTBTTM硅片;内置短路保护、欠压保护功能以及温度模拟量输出功能;另内置自举二极管及自举限流电阻; 提供额定电流覆盖50A/600V和5~35A/1200V。采用该款模块设计通用变频器,可以最大程度地简化PCB布线设计,缩小基板面积,是小功率变频器低成本化的最佳解决方案。

  

 

  整流逆变制动一体化模块DIPIPM+

  G1系列IPM,针对高端变频器、伺服 电机驱动器的应用而设计。它采用了第7代 IGBT和FWDi芯片,实现更低损耗;使用更适合伺服驱动器的窄长形封装;控制端子与现行L1 系列兼容,适用同样的接口电路;针对不同的保护动作,输出不同的故障识别信号;额定电流覆盖25A~200A/1200V。

  

 

  新能源发电市场

  为满足新能源发电特别是光伏发电的市场需求,三菱电机向客户大力推介第7代IGBT模块及大功率三电平逆变器用单管IGBT模块。针对大功率光伏逆变器及大功率不间断电源,三菱电机推出大功率三电平逆变器用单管IGBT模块。它采用第6代和第7代IGBT硅片,实现低损耗;可以根据不同需要组建I型或者T型3电平拓扑;具备低杂散电感(1单元模块8nH,两单元模块12nH);高绝缘耐压达4000Vrms/1分钟;最大结温可达175℃;最大电流等级达到1400A/1200V和1000A/1700V。

  

 

  大功率三电平逆变器用单管IGBT模块

  三菱电机大中国区半导体总经理四个所大亮先生称:“三菱电机既如过往,一直秉持可持续发展信念,不断研发高性能、高可靠性及低损耗的前沿功率器件,来满足电力电子市场持续不断的需要。”



关键词: 三菱 功率器件

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