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600v氮化镓(gan)功率器件 文章 进入600v氮化镓(gan)功率器件技术社区

手机及可穿戴产品需要快速充电及小体积适配器

  •   充电和电池管理对智能手机来说,仍是关键的功能,未来多年将持续有创新。有线和无线充电的改进可能大大扩展便携式产品的使用,我们不断提升此功能的极限。充电系统要求供电产品(如壁式适配器)或无线充电发射器和接收器(如智能手机和平板电脑)的设计都具高能效。安森美半导体专注于这两大应用,提供完整、优化和高能效的充电方案,以满足所有这些产品的功率要求。  市场对于更快充电时间、更大电池容量和更小适配器的要求,把智能手机和平板电脑的供电能力推到传统半导体器件不可行的地步。新一代系统将需要氮化镓(GaN)方案取代传统M
  • 关键字: 安森美  GaN  

【功率器件心得分享】+GaN与SiC新型功率器件

  •   1 GaN 功率管的发展  微波功率器件近年来已经从硅双极型晶体管、场效应管以及在移动通信领域被广泛应用的LDMOS 管向以碳化硅 ( SiC )、氮镓 ( GaN ) 为代表的宽禁带功率管过渡。SiC、GaN 材料,由于具有宽带隙、高饱和漂移速度、高临界击穿电场等突出优点,与刚石等半导体材料一起,被誉为是继第一代 Ge、Si 半导体材料、第二代 GaAs、InP
  • 关键字: GaN  SiC  

【功率器件心得分享】+GaN与SiC新型功率器件

  •   1 GaN 功率管的发展  微波功率器件近年来已经从硅双极型晶体管、场效应管以及在移动通信领域被广泛应用的LDMOS 管向以碳化硅 ( SiC )、氮镓 ( GaN ) 为代表的宽禁带功率管过渡。SiC、GaN 材料,由于具有宽带隙、高饱和漂移速度、高临界击穿电场等突出优点,与刚石等半导体材料一起,被誉为是继第一代 Ge、Si 半导体材料、第二代 GaAs、InP
  • 关键字: GaN  SiC  

【功率器件心得分享】功率器件在Boost电路中的应用

  •   风能、太阳能等新能源均需经过电力电子变换才能接入电网,随着新能源发电量的逐年攀升,市场对电力电子变换器的要求朝着大功率、高频率、低损耗的方向快步前进。作为传统电力电子变换的开关器件,Si IGBT已难以满足需求,而新型半导体器件SiC MOSFET具有更好的性能,被普遍认为是新一代的功率器件。  对于电力电子变换器而言,SiC MOSFET可作为开关器件使用。而在电力电子变换器中,升降压斩波电路是最基本的电路结构,以此为基础可扩展出各类电力电子变换器。因此,这里以升压变换
  • 关键字: 功率器件  Boost  

【功率器件心得分享】GaN与SiC新型功率器件

  •   1 GaN 功率管的发展  微波功率器件近年来已经从硅双极型晶体管、场效应管以及在移动通信领域被广泛应用的LDMOS 管向以碳化硅 ( SiC )、氮镓 ( GaN ) 为代表的宽禁带功率管过渡。SiC、GaN 材料,由于具有宽带隙、高饱和漂移速度、高临界击穿电场等突出优点,与刚石等半导体材料一起,被誉为是继第一代 Ge、Si 半导体材料、第二代 GaAs、InP
  • 关键字: GaN  SiC  

【功率器件心得分享】MACOM GaN在无线基站中的应用

  •   MACOM GaN在无线基站中的应用  用于无线基础设施的半导体技术正在经历一场重大的变革,特别是功率放大器(PA)市场。横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)晶体管在功率放大器领域几十年来的主导地位正在被氮化镓(GaN)撼动,这将对无线基站的系统性能和运营成本产生深远的影响。氮化镓显而易见的技术优势(包括能源效率提高、带宽更宽、功率密度更大、体积更小)使之成为LDMOS的天然继承者服务于下一代基站,尤其是1.8GHz以上的蜂窝频段。尽管以前氮化镓与LDMOS相比价格过高,但是MACOM公司
  • 关键字: GaN  MACOM  

无畏氮化镓角逐中功率市场 碳化硅功率元件/模组商机涌现

  •   有鉴于全球环保意识抬头,碳化矽(SiC)与氮化镓(GaN)两种功率转换材料备受瞩目。其中,碳化矽掌握早期开发优势,其功率模组在再生能源与车用电子领域,商机已纷纷涌现。而主要锁定低功率市场的氮化镓,则将缓步进军中功率市场。   可以弥补天然能源不足缺口的再生能源设备,为聚焦于中功率、高功率应用的碳化矽创造大量需求。另一方面,近期丰田汽车(Toyota)在电动车中导入碳化矽(SiC)元件的测试结果也已出炉,其在改善能源效率、缩小电源控制系统(PCU)尺寸上的效果,明显胜过矽元件。   台达电技术长暨总
  • 关键字: SiC  GaN  

日本设立共同研究室 加快氮化镓功率器件研发进程

  •   据报道,共同研究室预计将于2017年3月底前后设置、最初由总计10名左右的研究人员参加。该研究室力争将“氮化镓”这种物质运用在控制电流的新一代半导体功率器件等中。   据了解,“氮化镓”是天野研发的获诺贝尔奖的蓝色发光二级管(LED)的材料。该研究室力争把名古屋大学研制氮化镓结晶的技术与该机构调查物质性质的技术相结合,加快研发进程。   天野是小出在名古屋大学念书时低一届的学弟。两人在名城大学终身教授赤崎勇(2014年分享诺贝尔物理学奖)门下一同进行
  • 关键字: 氮化镓  功率器件  

松下:力推阻容元件与开发工具,开关器件X-GaN效率更高

  •   松下被动元件展区,松下位于德国的器件解决方案部门被动元件团队产品市场经理Mustafa Khan介绍了electronica期间刚刚问世的导电性聚合物混合铝电解电容器--ZK系列。相比之前的ZA和ZC系列性能更优,例如比ZC系列更高的容量和高纹波电流。  ZK和ZC产品在125C下可工作4000小时。三种类型产品都有更低的ESR(等效串联电阻)和LC,可用于LED、汽车、电力电子、电信等场合。  松下集团汽车&工业系统公司介绍了其网上工具--LC Simulator,可加速
  • 关键字: 松下  X-GaN  

最新Qorvo技术支持更高性能的GaN分立式LNA和驱动器

  •   实现互联世界的创新RF解决方案提供商Qorvo, Inc.今天发布了一系列六款全新的氮化镓(GaN)芯片晶体管---TGF2933-36和TGF2941-42,新产品的高频性能更出色,噪声更低,这对先进的通信、雷达和国防RF系统应用而言甚为关键。   该系列的这六款全新GaN晶体管及其相关模型的制造工艺采用了业内独有的Qorvo 0.15um碳化硅基氮化镓(SiC)工艺——QGaN15。QGaN15工艺令晶体管工作频率高达25 GHz,支持芯片级设计,通过K频段应用提供频率更
  • 关键字: Qorvo  GaN  

半导体大佬撑腰之下 GaN功率半导体能取代MOSFET?

  • 2010年,供应商发布了第一波基于GaN技术的功率半导体。但直到最近,这种产品的可用性依然不高,价格也高昂不下,GaN技术一直在寻找理想的应用空间。随着时间的推移,这些器件预计将逐步应用到电动汽车、移动设备的快速充电适配器、无线充电和其他系统中,GaN基功率半导体器件正在电源市场上攻城拔寨。
  • 关键字: GaN  MOSFET  

如何应对GaN测量挑战

  • 功耗是当今电子设计以及测试中最热门也是竞争最激烈的领域之一。这是因为人们对高能效有强烈需求,希望能充分利用电池能量,帮助消减能源帐单,或者支持空间敏感或热量敏感型应用。在经过30年的发展之后,硅MOSFET发
  • 关键字: GaN    测试  

新型SiC功率器件在Boost电路中的应用分析

  • 摘要:分析新型SiC功率器件在实际应用中的基本特性,以升压斩波电路为载体,通过理论分析对SiC MOSFET栅极电阻对开关特性的影响,以及开关频率与传输效率的关系进行了阐述。同时,以SiC MOSFET功率器件为核心搭建
  • 关键字: 功率器件  升压斩波电路  栅极电阻  

中国第三代半导体产业南方基地正式落户东莞

  •   中国第三代半导体产业南方基地(以下简称“南方基地”)正式落户东莞。9月30日,中国第三代半导体产业南方基地项目启动发布会在东莞召开。国家科技部原副部长、国家第三代半导体产业决策委员会主任曹健林,广东省副省长袁宝成、省科技厅厅长黄宁生,市委副书记、市长梁维东,国家第三代半导体产业技术创新战略联盟理事长吴玲等领导出席中国第三代半导体产业南方基地项目启动发布会并见证签约仪式。   副市长杨晓棠,市政府党组成员、松山湖管委会主任殷焕明等参加了启动仪式。   为广东实现半导体产业化提
  • 关键字: 半导体  GaN  

几种直流电机驱动电路图及设计思路

  •   本文为您详细介绍直流电机驱动设计需要注意的事项,低压驱动电路的简易栅极驱动、边沿延时驱动电路图解及其设计思路。        以上是直流电机驱动电路图,下面为您详细介绍直流电机驱动设计需要注意的事项,低压驱动电路的简易栅极驱动、边沿延时驱动电路图解及其设计思路。   一、 直流电机驱动电路的设计目标   在直流电机驱动电路的设计中,主要考虑一下几点:   1. 功能:电机是单向还是双向转动?需不需要调速?对于单向的电机驱动,只要用一个大功率三极管或场效应管或继电器直接带动电机
  • 关键字: PWM  功率器件  
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600v氮化镓(gan)功率器件介绍

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