TSMC7日宣布针对65纳米、40纳米及28纳米工艺推出已统合且可交互操作的多项电子设计自动化(Electronic Design Automation; EDA) 技术档案。这些与设计相关的技术档案套装包括可互通的工艺设计套件(iPDK)、工艺设计规则检查(iDRC)、集成电路布局与电路图对比 (iLVS)，及工艺电容电阻抽取模组 (iRCX)。
iPDK、iDRC、iLVS，及iRCX技术系由TSMC与EDA合作伙伴一同在半导体产业的互通项目下通过验证，也是TSMC「开放创新平台」之一部份。
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台积电 EDA 65纳米 40纳米 28纳米
市场调研公司FBR分析师Hosseini关于台积电与联电的竞争态势展望,认为直到年底全球代工业仍是不错, 尤其是高端代工。
无论台积电或者联电它们的硅片出货量都好于预期,2010 Q1台积电Q/Q持平或者-2%及联电为上升3%或者持平。表示市场需求包括消费电子和通讯持好。对于Q2,Hosseini认为台积电的出货量有10% 的增长, 而联电也可在8%-10%。
因为今年代工的业绩亮丽,所以两大代工巨头的产能成为关键, 它们的产能利用率都很高及不用担心库存增加的风险。Hosseini认为,台
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台积电 40纳米
TSMC 7日宣布针对65纳米、40纳米及28纳米工艺推出已统合且可交互操作的多项电子设计自动化(Electronic Design Automation; EDA) 技术档案。这些与设计相关的技术档案套装包括可互通的工艺设计套件(iPDK)、工艺设计规则检查(iDRC)、集成电路布局与电路图对比 (iLVS)，及工艺电容电阻抽取模组 (iRCX)。
iPDK、iDRC、iLVS，及iRCX技术系由TSMC与EDA合作伙伴一同在半导体产业的互通项目下通过验证，也是TSMC「开放创新平台」之一部份
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TSMC 65纳米 40纳米 28纳米
据中芯国际集成电路制造有限公司资深研发副总季明华撰文披露，2010年，中芯国际将加强65纳米的嵌入式工艺平台和32纳米关键模块的研发;同时力争实 现45纳米和40纳米技术的小批量试产。
在第四届(2009年度)中国半导体创新产品和技术评选中，中芯国际有两项技术获奖，其一是 “65纳米逻辑集成电路制造工艺技术”，其二是“0.11微米CMOS图像传感器工艺技术”。
据介绍，目前，中芯国际已经完成了65纳米CMOS技术的认证，并于2009年第三季度
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嵌入式 65纳米 40纳米 CMOS
Altera公司今天宣布，开始量产发售40-nm Arria® II GX FPGA系列的第一款器件。Arria II GX器件系列专门针对3-Gbps收发器应用，为用户提供了低功耗、低成本和高性能FPGA解决方案。广播、无线和固网市场等多种大批量应用目前广泛采用了Arria II GX FPGA。
Arria II GX FPGA现在量产发售EP2AGX45和EP2AGX65，它们分别具有45K逻辑单元(LE)和65K LE。对于接入设备、远程射频前端、HD视频摄像机和保密设备等低成本
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Altera 40纳米 Arria FPGA
编者点评(莫大康 SEMI China顾问)：任何事具两面性，fab lite模式也一样。IDM厂试图为节省研发费用，减少投资而积极推行fab lite及外协代工模式，其风险也是很大的。如今台积电在40nm的代工良率不足60%，影响AMD和 Nvidia的绘图芯片出货就是一个例证。所以从根本上fab lite是一种被动的模式。
绘图芯片市场缺货问题依旧存在，绘图卡业者透露，由于40奈米制程良率仍不及6成，严重影响超微(AMD)、NVIDIA出货计划，加上台积电产能挤爆，使得绘图芯片旧品亦难以纾解
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NVIDIA 绘图芯片 40纳米
美光(Micron)和南亚科正式宣布加入40纳米DRAM制程大战，今(9)日将携手宣布42纳米2Gb容量DDR3产品正式问世，同时也全面导入铜制程技术，与三星电子(Samsung Electronics)的46纳米、海力士(Hynix)44纳米和尔必达(Elpida)45纳米相比，美光阵营的每片DDR3晶圆尺寸由于体积最小且产出数量最多，预计在2010年第2季试产，而策略伙伴南亚科和华亚科也将于下半年导入42纳米制程，与尔必达旗下力晶和瑞晶导入45纳米的时间点相仿。
2010 年DRAM市场50
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Micron 40纳米 DRAM
继台积电提高2010年资本支出达48亿美元，晶圆专工大厂联电3日亦宣布，提高2010年资本支出达12亿~15亿美元，其中约有94%将用于扩充12寸先进制程产能。联电执行长孙世伟表示，联电65纳米成长会非常迅速，45/40纳米世代占营收比重将增加，同时良率已很稳健。值得注意的是，台积电、联电纷上看2010年晶圆代工产业将成长3成，乐观预期公司可望同步跟著成长，并加码资本支出，透露在两大龙头厂带领下，将再度掀起12寸厂投资热潮。
孙世伟表示，对于2010年展望非常乐观，预估半导体产业可望成长13~1
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台积电 晶圆代工 65纳米 45纳米 40纳米
近期DRAM厂掀起一股40纳米热潮，这一切都要从尔必达(Elpida)说起。因为尔必达2009年没钱转进50纳米技术制程后，最后决定跳过50纳米，直接转进45纳米，这下刺激了美光(Micron)阵营，南亚科和华亚科近期宣布42纳米制程提前1季导入，让整个DRAM产业在50纳米都还没看到影子时，又冒出一堆40纳米的话题，但40纳米能为DRAM产业贡献多少? 真的有待商榷，只有三星电子(Samsung Electronics)在克服良率困难后，有机会大量生产，其它阵营的40纳米技术，都是口头说说成分居多。
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DRAM 40纳米
晶圆代工在龙头台积电带领下再掀投资热潮，台积电28日宣布2010年资本支出将创下历史新高达48亿美元，较2000年次高纪录的33亿美元大增45%，亦较2009年暴增70%，令市场咋舌!同时据统计，目前台积电在45/40奈米制程高达9成市占，制程愈先进市占率愈高，面对竞争对手联电、全球晶圆(Global Founfries)来势汹汹，台积电老神在在。
台积电展望第1季营收较2009年第4季持平符合市场预期，不过公布的2010年资本支出高达48亿美元却超出市场原预期的40亿~45亿美元区间，令市场惊
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台积电 晶圆代工 40纳米 28纳米
TSMC今(28)日公布2009年第四季财务报告，合并营收为新台币920.9亿元，税后纯益为新台币326.7亿元，每股盈余为新台币1.26元(换算成美国存托凭证每单位为0.19美元)。
与2008年同期相较，2009年第四季营收增加42.6%，税后纯益增加162.5%，每股盈余则增加了162.7%。与前一季相较，2009年第四季营收增加了2.4%，税后纯益增加6.9%，每股盈余则增加了7.2%。这些财务数字皆为合并财务报表数字，并依照中国台湾一般公认会计准则所编制。
2009年第四季毛利率
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台积电 晶圆代工 40纳米 28纳米
两岸经济合作架构协议(ECFA)25日展开第1次协商，业界传出台积电董事长张忠谋日前亲赴上海会见当地重量级官方代表，张忠谋前往上海当日，正巧华虹NEC与宏力半导体宣布合资兴建12寸厂，张忠谋应大陆官方之邀，以两岸半导体产业大老身分给予产业建言。不过，台积电对于张忠谋行程不予置评，中芯国际亦否认张忠谋此行与执行长王宁国会面。
张忠谋上周紧急飞往上海，业界传出张忠谋可能与上海重量级官方代表会面，半导体业者指出，张忠谋此行受到瞩目且颇为敏感，主要系因两岸经济合作架构协议25日首次展开协商，由于过去张忠
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台积电 晶圆代工 40纳米 28纳米
2010年4大DRAM阵营三星电子(Samsung Electronics)、海力士(Hynix)、尔必达(Elpida)和美光(Micron)战场直接拉到40纳米世代!继尔必达跳过50纳米制程，大举转换至45纳米后，美光阵营也不甘示弱宣布年中将同步转42纳米。华亚科表示，表示旗下的50纳米制程是最正统的完整世代技术，并非是制程微缩下的产物，因此成本竞争力有十足把握;在尔必达、美光跟上制程进度后，年底4大阵营技术实力大幅缩小，竞争更激烈。
虽然三星电子和海力士已先一步转到40纳米世代，其中三星是
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Hynix DRAM 40纳米
台积电新竹Fab 12第5期(phase 5)19日正式举行上梁典礼，台积电营运资深副总刘德音表示，phase 5预计2010年第3季投入28纳米制程量产，此外，南科Fab 14第4期厂房过完农历年后亦将开始动工兴建，以加速扩充40纳米制程产能。他并透露，未来新竹亦规划投入phase 6用来投资22纳米制程。因此，根据台积电目前建厂规画估算，2年内台积电12寸厂数将高达10座之多，堪称业界之冠!
台积电新竹Fab 12第5期19日举行上梁典礼，典礼主持人刘德音表示，预计2010年第3季迅速完工装
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台积电 晶圆代工 40纳米 28纳米
AMD旗下的Globalfoundries(GF)合并新加坡特许后，计划斥资42亿美元，在纽约州建立12寸新晶圆厂(Fab8)，2012年完工19日第五期将举行上梁典礼。
台积电12厂第五期上梁典礼，将由资深营运副总刘德音主持。设备商指出，今年半导体景气进入多头，全球三大晶圆代工厂扩产火力全开，三家公司新厂房总耗资172亿美元，相当于新台币5,469亿元，支出将高度集中在今、明两年，有史以来最大。
GF目前拥有新加坡特许Fab7与德勒斯登Fab1，两座12寸晶圆厂，为了扩大40纳米以下先进
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AMD 晶圆代工 40纳米 Globalfoundries
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