- 全球4大晶圆代工厂2010年积极扩充40纳米以下先进制程产能，台积电、联电、全球晶圆(Global Foundries)与中芯(SMIC)资本支出金额逾100亿美元。然而，目前40纳米以下先进制程客户只有超微(AMD)、NVIDIA、赛灵思 (Xilinx)等少数大厂，随著4大晶圆代工厂产能在2012年相继开出，届时恐有供过于求的疑虑。
2009年台积电与全球晶圆的40纳米制程技术开始进入量产，三星电子(Samsung Electronics)、联电也随后跟进，中芯则预估于2011年下半进入量产
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台积电 晶圆代工 40纳米
- 晶圆代工40纳米价格战开打，设备商传出， 联电、全球晶圆(GF)、 三星近期打算以低价抢市，龙头厂商台积电因应二线厂点燃价格战战火，本周举行季度业务周时，有可能同步降价因应，恐压抑台积电毛利与营收动能。
台积电15日表示，每一个制程，都会在成本下降后，与客户分享利润，公司今年与客户的价格，去年上半年就谈好，不会因为市场供需有所变动。间接否认加入40纳米价格战的说法。
台积电本周将展开季度业务周(Sales Week);据了解，台积电内部会针对第四季客户需求再次确认，并先了解明年上半订单状况
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台积电 40纳米
- TSMC 29日公布2010年第二季财务报告，合并营收为新台币1,049.6亿元，税后纯益为新台币402.8亿元，每股盈余为新台币1.55元(换算成美国存托凭证每单位为0.24美元)。
与2009年同期相较，2010年第二季营收增加41.4%，税后纯益增加64.8%，每股盈余则增加了65%。与前一季相较，2010年第二季营收增加了13.9%，税后纯益及每股盈余皆增加了19.7%。这些财务数字皆为合并财务报表数字，并依照中国台湾一般公认会计准则所编制。
2010年第二季毛利率为49.5%，营
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TSMC 40纳米 晶圆
- TSMC昨日公布2010年第二季财务报告，合并营收为新台币1,049.6亿元，税后纯益为新台币402.8亿元，每股盈余为新台币1.55元(换算成美国存托凭证每单位为0.24美元)。
与2009年同期相较，2010年第二季营收增加41.4%，税后纯益增加64.8%，每股盈余则增加了65%。与前一季相较，2010年第二季营收增加了13.9%，税后纯益及每股盈余皆增加了19.7%。这些财务数字皆为合并财务报表数字，并依照中国台湾一般公认会计准则所编制。
2010年第二季毛利率为49.5%，营业利
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TSMC 40纳米 晶圆
- 备受半导体产业信赖的IP供应商Virage Logic公司 和中国最先进的半导体制造商中芯国际集成电路有限公司(中芯国际，纽约证券交易所交易代码：SMI，香港联交所交易代码：0981.HK)日前宣布其长期合作伙伴关系扩展到40纳米(nanometer)的低漏电(low-leakage)工艺技术。Virage Logic 公司和中芯国际从最初的130纳米工艺合作起便为双方共同的客户提供具高度差异的 IP，涵盖的工艺广泛还包含90纳米以及65纳米。根据协议条款，系统级芯片(SoC)设计人员将能够使用 Vi
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中芯国际 40纳米 低漏电
- 据韩国ET NEWS报导，过去1年2个月期间呈现上升趋势的DRAM价格，可能将再度下滑。预期第3季DRAM价格将小幅下滑后止跌，但第4季将会有大幅的下滑趋势。虽韩国企业的净利也将减少，但对台湾企业打击可能更大。
据相关业者及证券师指出，自2009年4月持续上升的DRAM价格进入第3季后可能会有 5%的价格下滑。业界相关人员表示，第3季DRAM价格依据PC业者的调降要求，可能会有5%的下滑，但DRAM供货货量有限制，因此下滑幅度应不大。
摩根大通(JP Morgan Chase &
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海力士 DRAM 40纳米
- TSMC 7日宣布扩展开放创新平台服务，增加着重于提供系统级设计、类比/混合讯号/射频设计(analog/mixed-signal (AMS)/RF)，以及二维/三维集成电路(2-D/3-D IC)的设计服务。TSMC亦同时针对上述新增的服务，宣布开放创新平台的三项创新技术。
TSMC自2008年推出促进产业芯片设计的开放创新平台后，帮助缩短产品上市时程，改善设计投资的报酬，并减少重复建构设计工具的成本。此开放创新平台包含一系列可相互操作支援的各种设计平台介面、及合作元件与设计流程，能促进供应链
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台积电 芯片设计 65纳米 40纳米 28纳米
- 全球晶圆(Global Foundries)加入晶圆代工战局后动作频频，不仅合并特许半导体，并大幅扩产，更积极布局先进制程，挑战台积电与联电，市场预期，Global Foundries此次扩充德国厂45/40纳米产能后，加上联电40纳米制程良率提升，以及领先在前头的台积电，将使得2011年40纳米战场更为火热。
目前40纳米市场仍由台积电独大，不过此次Global Foundries的扩产计划中，德国德勒斯登Fab1将于2011年开始量产，并且计划扩充45/40纳米制程，同时联电40纳米逐渐跟上
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GlobalFoundries 40纳米 晶圆代工
- 全球晶圆(Global Foundries)在台北计算机展(COMPUTEX)首日在台举行记者会，宣布一系列扩产计画，执行长Douglas Grose指出，Global Foundries将扩充12寸晶圆厂产能，位于德国的Fab1将成为欧洲首座Giga Fab，另外也将目前正在兴建的纽约Fab8，将每月产能增加到6万片。
Douglas Grose表示，德国Fab1将成为欧洲首座Giga Fab与最大的12寸厂，产能增加33%，由每月6万片提升到8万片，用以增加45奈米、40奈米与28奈米制程产
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GlobalFoundries 45纳米 40纳米 28纳米
- 全球专业IC设计软件供货商SpringSoft今天宣布，支持台积电(TSMC)的40纳米可相互操作制程设计套件(iPDK)。这是以SpringSoft所支持TSMC 65纳米RF制程iPDK为基础，预计在2010年第二季结束，40纳米与65纳米TSMC iPDKs都将可搭配Laker™ Custom Layout Automation System量产使用。
两家公司之间的合作起因于彼此对于可相互操作PDKs的支持，为全定制芯片设计人员提供制造弹性、技术选择与设计生产力。Spring
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台积电 40纳米 iPDK
- 全球DRAM产业40纳米大战出现变量，由于浸润式机台(Immersion Scanner)递延交货之故，瑞晶已松口表示，原本计划年底前旗下8万片12寸晶圆产能要全转进45纳米制程的目标，将正式递延至2011年第1季，其第1台浸润式机台本周才会正式到货，比原订时程晚了2~3个月，内部已决定将8万片产能全数转进63纳米制程作为应变。DRAM业者皆认为，全球DRAM 产业的40纳米正式对决时间点，会是在2011年!
瑞晶总经理陈正坤表示，瑞晶第1台浸润式机台将于本周正式到货，预计在9月之前会有5~6台
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- 据国外媒体报道，台联电(UMC)日前发布了2010年第一季度业绩报告。
在今年第一季度中，台联电实现净利润34.8亿元新台币，约合1.1亿美元。去年同期联电亏损81.6亿新台币，而在09年第四季度，公司净利润为44亿新台币。
汤森路透调查的分析师此前普遍认为，台联电第一季度有望实现净利润35.8亿元新台币。
公司第一季运营利润率为12.7%。这一水平低于竞争对手台积电同期的37%。台积电大力推行其更为先进的40与65纳米工艺技术，这部分产品带来的销售收入约占公司总收入的41%。
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台联电 40纳米 65纳米
- 日韩DRAM大厂制程竞赛延伸至产品规格之战，在三星电子(Samsung Electronics)于3月底，宣布推出由32GB大容量服务器内存模块后，日系内存大厂尔必达(Elpida)也宣布4Gb DDR3芯片正式问世，不但采40奈米制程生产，未来也将用此芯片生产32GB内存模块，应用于服务器、大型数据中心或其他大型系统等，DRAM大厂在产品规格之战，逐渐由主流规格2Gb，延伸至4Gb容量。
尔必达22日指出，将正式推出4Gb DDR3芯片，主要是采用40纳米制程生产，且响应近期科技产业吹起的环保
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Samsung DRAM 40纳米
- 2010年DRAM产业自谷底回春，不淡摆脱过去亏损连连的情况，或是各厂要求政府要纾困，几乎每家DRAM业者都开始赚钱，且DRAM供不应求情况越来越严重，价格也不断上涨，现在DDR3和DDR2价格1颗3美元的情况发生在传统淡季，实在少见，且缺货的情况短期内无法纾解。
市场分析主要原因可分为供给和需求两方配合。在供给端方面，除了三星电子(SamsungElectronics)实力和财力雄厚外，厂的资本支出顶多只能应付制程微缩的需求，没有多余的资金可盖新厂房。
再者，2010年各厂转进50或是4
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- 巴黎银行在本周二公布的投资报告中表示，台积电公司正在与欧洲及日本的芯片生产商就设备采购问题进行谈判，这也意味着台积电公司的订单有可能增加。
对于巴黎银行的报告，台积电新闻发言人J.H. Tzeng表示，他目前无法对此事发表评论。截至台北时间本周五上午9点17分，台积电股价上涨了0.3%，报每股62.8新台币。目前，台积电是全球最大的代工芯片生产商。
巴黎银行分析师在其报告中表示：“台积电计划提高其市场份额并扩大市场规模，同时还将进一步丰富其IP组合。通过这些资产收购，台积电及其
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