3d nand 文章

三星加快部署3D芯片封装技术 希望明年同台积电展开竞争

• 据国外媒体报道，本月中旬，三星展示了他们的3D芯片封装技术，而外媒最新的报道显示，三星已加快了这一技术的部署。外媒是援引行业观察人士透露的消息，报道三星在加快3D芯片封装技术的部署的。加快部署，是因为三星寻求明年开始同台积电在先进芯片的封装方面展开竞争。从外媒的报道来看，三星的3D芯片封装技术名为“eXtended-Cube” ，简称“X-Cube”，是在本月中旬展示的，已经能用于7nm制程工艺。三星的3D芯片封装技术，是一种利用垂直电气连接而不是电线的封装解决方案，允许多层超薄叠加，利用直通硅通孔技术来
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三星电子展示3D晶圆封装技术 可用于5纳米和7纳米制程

• 据台湾媒体报道，三星电子成功研发3D晶圆封装技术“X-Cube”，称这种垂直堆叠的封装方法，可用于7纳米制程，能提高该公司晶圆代工能力。图片来自三星电子官方三星的3D IC封装技术X-Cube，采用硅穿孔科技(through-silicon Via、简称TSV)，能让速度和能源效益大幅提升，以协助解决次世代应用严苛的表现需求，如5G、人工智能(AI)、高效能运算、行动和穿戴设备等。三星晶圆代工市场策略的资深副总裁Moonsoo Kang表示，三星的新3D整合技术，确保TSV在先进的极紫外光(EUV)制程节
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研究机构预计全球NAND闪存销售额今年增至560亿美元 同比大增27%

• 据国外媒体报道，研究机构预计，销售额在去年大幅下滑的NAND闪存，在今年将大幅增长，同比增长率将达到27.2%，销售额将达到560.07亿美元。从研究机构的预计来看，在集成电路的33个产品类别中，NAND闪存今年销售额的同比增长率，将是最高的，是增长最明显的一类。就预期的销售金额而言，NAND闪存依旧会是集成电路中的第二大细分市场，仅次于DRAM，后者的销售额预计为645.55亿美元，较NAND闪存高85.48亿美元。在研究机构的预计中，在全球集成电路市场，NAND闪存今年的销售额将占到15.2%，仅次于
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KLA推出全新突破性的电子束缺陷检测系统

• 近日 KLA公司 宣布推出革命性的eSL10™电子束图案化晶圆缺陷检查系统。该系统具有独特的检测能力，能够检测出常规光学或其他电子束检测平台无法捕获的缺陷，从而加速了高性能逻辑和存储芯片的上市时间（包括那些依赖于极端紫外线（EUV）光刻技术的芯片）。eSL10的研发是始于最基本的构架，针对研发生产存在多年的问题而开发出了多项突破性技术，可提供高分辨率，高速检测功能，这是市场上任何其他电子束系统都难以比拟的。KLA电子束部门总经理Amir Azordegan 表示：“利用单一的高能量电子
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打破国外垄断，全国产3D芯片为机器人“点睛”

从原子的物理世界到0和1的数字世界，3D视觉“感知智能”技术是第一座桥梁。我国放量增长的工业级、消" />

• 传统机器人只有“手”，只能在固定好的点位上完成既定操作，而新一轮人工智能技术大大推动了机器和人的协作，这也对机器人的灵活性有了更高要求。要想像人一样测量、抓取、移动和避让物体，机器人首先需要对周边世界的距离、形状、厚薄有高精度的感知，而3D视觉芯片可以引导机器人完成上述复杂的自主动作，它相当于机器人的”眼睛”和”大脑”。近日，中科融合感知智能研究院（苏州工业园区）有限公司（以下简称中科融合）的全球首颗高精度3D-AI双引擎SOC芯片，已经在国内一家芯片代工厂进入最终流片阶段。这颗芯片将和中科融合已经进入批
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游戏新机上市填补云端需求空缺 三季度NAND Flash价格波动有限

• 根据TrendForce内存储存研究(DRAMeXchange)调查，尽管消费性产品及智能型手机受到疫情冲击导致需求下降，但云端服务、远距教学的需求也同步催生，加上部份客户因担忧供应链中断而提前备货，促使NAND Flash市场在2020年第一季与第二季呈现缺货。整体而言，目前需求以SSD占最大宗，与手机、消费性较相关的eMMC、UFS及wafer市场较为冷却。根据TrendForce分析师叶茂盛指出，当前为NAND Flash第三季议价的关键时刻，初步观察因新款游戏机的年底上市计划不变，首次转进SSD的
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Melexis 推出汽车级 3D 霍尔效应传感器 IC

• 微电子半导体解决方案全球供应商Melexis 近日宣布推出 MLX90395 Triaxis® 磁力计节点，这是一款汽车级 (AEC-Q100) 单片传感器 IC，可利用霍尔效应提供三维无接触式传感功能。MLX90395 双裸片版本可实现冗余，适用于要求苛刻的场景，例如汽车应用中的变速换档杆位置传感。MLX90395 的功能通过系统处理器定义，而不是硬连线到器件本身。就位置传感的适用性而言，该产品几乎不受任何范围限制。MLX90395 提供 I2C 和 SPI 两种接口，可轻松在汽车或工业控制环境中集成。
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三星电子拟投资8万亿韩元在平泽建NAND闪存生产线

• 据国外媒体报道，三星电子日前表示，计划投资8万亿韩元（约合人民币466亿元）在韩国平泽工业园区建NAND闪存生产线。三星电子生产线建设上月已经开始，预计2021年下半年开始生产三星最先进的V-NAND产品。三星电子表示，此次投资旨在应对随着人工智能、物联网等第四次工业革命，以及5G普及而来的NAND需求。上月，三星电子还透露，已在平泽投资建设生产线，新产线专注于基于极紫外光刻（EUV）技术的5nm、及以下制程。新产线已开始建设，预计明年下半年开始量产5nm芯片。三星电子表示，加上平泽生产线，韩国将拥有7条
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集邦咨询：数据中心需求大增，NAND Flash营收成长8.3%

• 根据集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)调查，2020年第一季NAND Flash（闪存）位元出货量较前一季大致持平，加上平均销售单价上涨，带动整体产业营收季成长8.3%，达136亿美元。延续去年第四季开始的数据中心强劲采购力道，第一季Enterprise SSD仍是供不应求。此外，自年初起，各供应商当时的库存水位多已恢复至正常，也带动主要产品合约价呈现上涨。随后在农历春节期间爆发新冠肺炎疫情，根据集邦咨询当时的调查，服务器供应链的恢复状况优于笔记本电脑及智能手机，也因此对于数据中心需求
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集邦咨询：数据中心需求大增，第一季NAND Flash营收成长8.3%

• 根据集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)调查，2020年第一季NAND Flash（闪存）位元出货量较前一季大致持平，加上平均销售单价上涨，带动整体产业营收季成长8.3%，达136亿美元。
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英特尔最新发展蓝图：明年或全面转向144层堆叠NAND

• 处理器龙头英特尔(Intel)近期在快闪存储器的发展上也随着其他各家厂商的脚步，开始有了新的进度。根据外媒报导，英特尔的快闪存储器部门最近公布了发展蓝图，在目前其他各家NAND快闪存储器供应商都已经开始向1xx层堆叠的发展当下，作为主要NAND制造商之一的英特尔也预计在2021年全面转向144层堆叠的产品发展。
• 关键字： 英特尔  144层  NAND  

群联全系列控制芯片支持长江存储3D NAND

• 电子医疗设备、电竞游戏机、NB笔记本电脑、电视机顶盒、云端服务器服务等因为新冠肺炎 (COVID-19) 所产生的医护或宅经济需求上升，不仅刺激了闪存储存装置 (NAND StorageDevices) 维持稳健的成长动能，更让NAND Flash产业成为这波疫情的少数成长亮点之一。而近期受到讨论的闪存 (NAND Flash) 产业新人长江存储 (YMTC)，在2016年加入NAND Flash设计生产后，也为市场添增了一股活力。
• 关键字： 群联  控制芯片  长江存储3D NAND  

群联全系列控制芯片支持长江存储3D NAND

• 电子医疗设备、电竞游戏机、NB笔记本电脑、电视机顶盒、云端服务器服务等因为新冠肺炎 (COVID-19) 所产生的医护或宅经济需求上升，不仅刺激了闪存储存装置 (NAND StorageDevices) 维持稳健的成长动能，更让NAND Flash产业成为这波疫情的少数成长亮点之一。而近期受到讨论的闪存 (NAND Flash) 产业新人长江存储 (YMTC)，在2016年加入NAND Flash设计生产后，也为市场添增了一股活力。
• 关键字： 群联  3D NAND  长江存储  

长江存储：128层3D NAND技术会按计划在今年推出

• 据证券时报消息，长江存储CEO杨士宁在接受采访时谈及了该公司最先进的128层3D NAND技术的研发进度。杨士宁表示，128层3D NAND技术研发进度短期确实会有所波及。但目前长江存储已实现全员复工，从中长期来看，这次疫情并不会影响总体进度。128层技术会按计划在2020年推出。今年早些时候，长江存储市场与销售资深副总裁龚翔表示，接下来，长江存储将跳过如今业界常见的96层，直接投入128层闪存的研发和量产工作。▲长江存储64层3D NAND闪存晶圆了解到，长江存储科技有限责任公司成立于2016年7月，总
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集邦咨询：受新冠肺炎疫情扩大冲击，NAND Flash均价可能提前于下半年反转向下

• 根据集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)最新调查，虽然新冠肺炎疫情延烧，使得2020年第一季的终端产品出货动能格外疲弱，但在NAND Flash领域，因为2020年全年供给位元产出年成长收敛至三成，加上各大供应商资本支出保守，第一季NAND Flash均价在淡季仍上涨约5%。
• 关键字： 集邦咨询  新冠肺炎  NAND Flash