3d nand 文章
3D打印和增材制造解决方案供应商Stratasys（Nasdaq：SSYS）今日亮相2019年TCT亚洲3D打印、增材制造展览会（TCT Asia 2019），以其业界领先的创新型增材制造技术与智能制造解决方案引领行业新发展。展会期间，Stratasys所展示的体素级3D打印解决方案和FDM TPU 92A弹性材料，能够突破3D打印原型应用极限，大幅降低生产耗时及人工成本，满足客户多元化的专业、快速原型制作需求。 TCT亚洲展是3D打印行业顶级的行业盛会，汇聚了3D打印技术的创新发展
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医疗，3D
3D打印和增材制造解决方案供应商Stratasys（Nasdaq：SSYS）今日亮相2019年TCT亚洲3D打印、增材制造展览会（TCT Asia 2019），以其业界领先的创新型增材制造技术与智能制造解决方案引领行业新发展。展会期间，Stratasys所展示的体素级3D打印解决方案和FDM TPU 92A弹性材料，能够突破3D打印原型应用极限，大幅降低生产耗时及人工成本，满足客户多元化的专业、快速原型制作需求。 TCT亚洲展是3D打印行业顶级的行业盛会，汇聚了3D打印技术的创新发展和最新应用，
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3D 打印
据businesskorea报道，中国计划在未来六年内将在美国的半导体采购增加到2000亿美元(约合225.9万亿韩元)，大约是目前水平的五倍。 然而，许多专家表示，美国急于遏制中国的半导体野心，不太可能接受中国的提议，因为它将增加对中国的半导体依赖。 韩国企业对该计划持谨慎态度，主要有两个原因。 首先，中国没有提及将购买哪一种半导体。一家韩国半导体公司的高级官员表示:“中国没有说明将进口何种半导体芯片，无论是内存、中央处理器(CPU)还是系统半导体芯片。在这种情况下，很难预测对韩国企业的影响。
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NAND DRAM
ICInsights最新报告显示，大陆的集成电路生产仍远低于政府的目标。报告指出，2018年大陆半导体市场为......
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半导体 晶圆 NAND
就在新一轮中美经贸高级别磋商即将开启之际，为期近两年的美光、晋华知识产权诉讼案，也来到了一个关键节点。 第一财经记者查阅美国法院信息，并比照获得的最新法律文件发现，1月18日法院裁定美系存储大厂美光(Micron)对福建晋华诉讼案的文件有瑕疵，驳回了美光对晋华的民事诉讼，但允许美光再变更诉请，变更的截止期限是2月8日。但2月8日已过，美光是否已经修改并重新提交，目前并没有体现在公开的信息变更中。 一位接近中美谈判的人士独家对第一财经记者称，晋华与美光的专利侵权案件及商业秘密案件，都属于正常的个案，
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晋华 美光 NAND
根据韩国媒体Business Korea报道，由于存储器产业从2018年年底迎来低迷，存储器产品价格下跌，各大存储器厂商先后宣布降低产量以来，虽然三星仍然稳坐半导体产业头把交椅，但是其盈利能力已经受到质疑。 无独有偶，SK海力士等厂商的日子也不好过。头部厂商的日子尚且如此，那还在奋斗中的中国存储器厂商又将面对怎样的未来呢?
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存储器，NAND
根据集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)指出，2018年NAND
Flash市场经历全年供过于求，且2019年笔记本电脑、智能手机、服务器等主要需求表现仍难见起色，预计产能过剩难解。在此情况下，供应商将进一步降低资本支出以放缓扩产进程，避免位元成长过多导致过剩状况加剧。 DRAMeXchange调查指出，2018年因供过于求难以遏制，韩系供应商带头降低资本支出。NAND
Flash总体资本支出下调近10%，但供需失衡的情形仍无法逆转。2019年美系厂商减少资本支出，使得NAND
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NAND 东芝
存储器一直被看成是半导体行业的晴雨表，它的表现也影响着整个市场的枯荣变换。2018年的存储器行业在兴奋和失望迷茫的情绪交替中前行，伴随着技术上的几许亮色，迈向了2019年。从热火朝天到凛冬将至 2017年的存储器市场可以用火热来形容，三大存储器公司(三星、海力士、美光)的财报都非常喜人。
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存储器 NAND
CES 2019展会上，英特尔宣布了因应5G时代的“Snow Ridge”。此外，该公司还同时发布了10nm工艺的下代桌面和移动处理器Ice Lake、服务器处理器Ice Lake、Foveros 3D立体封装处理器Lakefield。
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CES2019 5G芯片 Snow Ridge Foveros 3D
2018年，手机厂商在围绕提升屏占比、充电速度、拍照素质等方面上都有不少突破和尝试。衍生出滑盖屏、水滴屏、打孔屏的设计，充电速度最高也提升到了50W、拍照则出现各种“超级夜景”，这些设计与创新为消费者提供了更多的选择，但这些创新相比上述三种，它们出现并没有让消费者对手机的使用体验有着超预期的提升，实用但并不令人心生向往。
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屏下指纹 3D ToF
闪存是当今数据存储的重要介质之一，主流的闪存体系有NAND和NOR两种。不过随着半导体工艺不断发展，相比于NAND技术的快速演进，NOR技术似乎在几年前工艺就迟滞不前，因为存在部分设计缺陷而让NOR闪存无法继续跟进先进工艺成为了阻碍NOR闪存大规模应用的关键。不过，因为中国企业中天弘宇集成电路有限公司的潜心研究，NOR闪存的应用也许将重获新生。 “我们经过了近十年的研发积累，完成了对原有NOR闪存架构的大胆创新，也可以说是一个完全的颠覆。我们沿用了整个NOR的架构，但和英特尔最早发明的NOR完全不是一回事
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NOR NAND 存储器
半导体设备供应商的排名在2016-2017年间没有发生太大的变化，但是这种格局正在发生变化。不仅Lam
Research、ASML和东京电子的位次发生调转，排名第一的应用材料公司的宝座位置也岌岌可危。 自1990年以来，应用材料公司一直是半导体设备领域的市场领导者。在此之前的1989年，坐在铁王座位置上的还是日本的东京电子，该公司2016年排名第四，今年前三季度的新排名则是第二。除了位次的变化，也许更重要的是，领头羊和第二名的差距正在迅速收窄。 2016年，应用材料公司的市场份额比Lam
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ASML NAND
2018年12月11日，以“智数据·创未来”为主题的2018中国存储与数据峰会在北京拉开帷幕。作为中国数据与存储行业顶级的交流平台，本次峰会汇集了全球近百位来自产业界、学术界的专家，就数据洪流时代下，企业如何实施数据战略、深挖数据价值，变数据资源为实现更广泛商业价值的数据资产等话题展开深入探讨。
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数据 存储 傲腾 QLC 3D NAND
全球DRAM市场上，三星一家独大，接着是SK
Hynix及美光，这三家的DRAM份额占到了全球95%左右，而华亚科被美光全资收购之后，Nanya南亚科技也就变成全球第四大内存芯片厂商了，虽然2.5%的份额跟前面三家公司20%—45%的份额相比是小巫见大巫。 1 DRAM连涨之后持续下跌 在DRAM内存涨价超过9个季度之后，内存芯片价格终于在10月份大跌了一次，DRAMxChange称10月份DRAM现货价格跌了10%，预计2019年还会继续跌20%。 受此影响，全球第四大内存芯片厂商南亚科
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DRAM NAND
3D NAND的出现也是因为2D
NAND无法满足人们的需求。NAND闪存不仅有SLC、MLC和TLC几种类型之分，为了提高其容量、降低成本，NAND的制造工艺也在不断进步，厚度开始不断降低，但NAND闪存和处理器还是有很大不同的。虽然先进的工艺带来了更大的容量，但是其可靠性和性能却在下降，因为工艺越先进，NAND的氧化层越薄，其可靠性也就越差，厂商就需要采取额外手段弥补这一问题，这必然会提高成本，以至于在达到某个最高点之后完全抵消掉制造工艺带来的优势。 3D NAND将思路从提高制造工艺转
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存储 NAND
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