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3d nand 文章 进入3d nand技术社区

千亿美元蛋糕!3D DRAM分食之战悄然开局

  • 从目前公开的DRAM(内存)技术来看,业界认为,3D DRAM是DRAM技术困局的破解方法之一,是未来内存市场的重要发展方向。3D DRAM与3D NAND是否异曲同工?如何解决尺寸限制等行业技术痛点?大厂布局情况?如何理解3D DRAM?DRAM(内存)单元电路是由一个晶体管和一个电容器组成,其中,晶体管负责传输电流,使信息(位)能够被写入或读取,电容器则用于存储位。DRAM广泛应用于现代计算机、显卡、便携式设备和游戏机等需要低成本和高容量内存的数字电子设备。DRAM开发主要通过减小电路线宽来提高集成度
  • 关键字: 3D DRAM  存储  

为什么仍然没有商用3D-IC?

  • 摩尔不仅有了一个良好的开端,但接下来的步骤要困难得多。
  • 关键字: 3D-IC  HBM  封装  

1年利润暴跌84.9%!三星乐观 今年业绩回暖:存储涨价是开始

  • 2月1日消息,存储一哥三星2023年的日子不太好过,全年利润暴跌84.9%,确实没办法,不过他们保持乐观态度。2023年IT市场整体低迷,尤其是存储芯片价格暴跌的背景下,三星全年营收为258.94万亿韩元,同比减少14.3%;营业利润为6.57万亿韩元,同比下滑84.9%。按照三星的说法,2024年上半年业绩会回暖,其中以存储产品价格回暖最为明显,相关SSD等产品涨价不会停止,只会更猛烈。NAND芯片价格止跌回升后,目前报价仍与三星、铠侠、SK海力士、美光等供应商达到损益两平点有一段差距。国内重量级NAN
  • 关键字: 存储  三星  镁光  海力士  NAND  

一季度 NAND Flash合约价预计上涨15%-20%

  • 供应商为了尽量减少损失,正在推高 NAND Flash 价格。
  • 关键字: NAND Flash  

预估2024年第一季NAND Flash合约价平均季涨幅15~20%

  • 据TrendForce集邦咨询研究显示,尽管适逢传统淡季需求呈现下降趋势,但为避免缺货,买方持续扩大NAND Flash产品采购以建立安全库存水位,而供应商为减少亏损,对于推高价格势在必行,预估2024年第一季NAND Flash合约价季涨幅约15~20%。值得注意的是,NAND Flash原厂为减少亏损而急拉价格涨幅,但由于短期内涨幅过高,需求脚步却跟不上,后续价格上涨仍需仰赖Enterprise SSD拉货动能恢复。2024年第一季供应商的投产步伐不一,随着部份供应商产能利用率提早拉升
  • 关键字: NAND Flash  TrendForce  

SSD 正迎来量价齐升

  • 2023 已近尾声,跌跌不休的存储行情终在四季度发生逆转,尤其以 Flash Wafer 为代表的产品在 9 月、10 月、11 月的价格连续上涨,站在目前的时间节点,虽然从需求端看完全改善还需时日,但在各大原厂积极减产的作用下,供应已经大幅度收紧。根据 CFM 闪存市场数据,自 10 月份以来,现货市场 NAND Flash 价格指数涨幅已达 40%。近日西部数据更是直接打响了 NAND 大涨价的第一枪。NAND 大涨价!近日,全球第四大 NAND Flash 供应商西部数据对客户发出涨价通知信。在信中
  • 关键字: SSD  NAND  

DRAM / NAND 巨头明年加码半导体投资:三星增加 25%、SK 海力士增加 100%

  • IT之家 12 月 21 日消息,根据韩媒 ETNews 报道,三星和 SK 海力士都计划 2024 年增加半导体设备投资。三星计划投资 27 万亿韩元(IT之家备注:当前约 1482.3 亿元人民币),比 2023 年投资预算增加 25%;而 SK 海力士计划投资 5.3 万亿韩元(当前约 290.97 亿元人民币),比今年的投资额增长 100%。报道中指出,三星和 SK 海力士在增加半导体设备投资之外,还提高了 2024 年的产能目标。报道称三星将 DRAM 和 NAND
  • 关键字: 存储  DRAM  NAND Flash  

日本东芝正式退市

  • 据日媒报道,12月20日,日本东芝公司正式退市,结束其作为一家上市公司74年的历史。今年8月起,以日本国内基金“日本产业合作伙伴”(JIP)为主的财团正式开始向东芝发起总额约2万亿日元的要约收购。东芝在官网发布的文件中称,该财团将从普通股东收购剩余股份,将东芝收购为全资子公司。公开资料显示,东芝创立于1875年,距今已有140多年的历史。东芝是日本制造业的代表之一,在家电、电气、能源、基建等领域都有巨大影响力。此外,东芝还是日本最大的半导体制造商,曾发明NAND闪存芯片。
  • 关键字: 东芝  家电  NAND  闪存  退市  

集邦咨询称 2024Q1 手机 DRAM、eMMC / UFS 均价环比增长 18-23%

  • IT之家 12 月 20 日消息,集邦咨询近日发布报告,预估 2024 年第 1 季度 Mobile DRAM 及 NAND Flash(eMMC / UFS)环比增长 18-23%,而且不排除进一步拉高的情况。集邦咨询表示 2024 年第 1 季中国智能手机 OEM 的生产规划依然稳健,由于存储器价格涨势明确,带动买方积极扩大购货需求,以建设安全且相对低价的库存水位。集邦咨询认为买卖双方库存降低,加上原厂减产效应作用,这两大因素促成这一波智能手机存储器价格的强劲涨势。集邦咨询认为明年第 1 季
  • 关键字: 存储  DRAM  NAND Flash  

明年半导体暴增20%,哪些赛道市场回暖?

  • 今年的半导体可谓寒风瑟瑟,市场下滑的消息从年头传到年尾,半导体企业也疲于应对萧瑟的市场环境,不断传出减产、亏损的消息。熬过冬就是春,最近的半导体市场总算是迎来了一些好消息。IDC 最新的预测,认为半导体市场已经触底,明年开始半导体将会加速恢复增长。在它的预测中,2023 年全球半导体市场收入从 5188 亿美元上调至 5265 亿美元,2024 年收入预期也从 6259 亿美元上调至 6328 亿美元。到明年,全球半导体收入将同比增长 20.2%。IDC 全球半导体供应链技术情报研究经理 Rudy Tor
  • 关键字: NAND flash  射频前端  CPU  模拟芯片  

300层之后,3D NAND的技术路线图

  • 开发下一代 3D NAND 闪存就像攀登永无止境的山峰。
  • 关键字: 3D NAND  

TDK发布适用于汽车和工业应用场景的全新ASIL C级杂散场稳健型3D HAL传感器

  • ●   HAL 3930-4100(单芯片)和 HAR 3930-4100(双芯片)是两款精确的霍尔效应位置传感器,具备稳健的杂散场补偿能力,并配备 PWM 或 SENT 输出接口●   单芯片传感器已定义为 ASIL C 级,可以集成到汽车安全相关系统中,最高可达 ASIL D 级●   目标汽车应用场景包括转向角位置检测、变速器位置检测、换档器位置检测、底盘位置检测、油门和制动踏板位置检测**TDK株式会社利用适用于汽车和工业应用场景的新型
  • 关键字: TDK  ASIL C  3D HAL传感器  

存储市场前瞻:DDR5 需求显著增长、AI 崛起让手机内存迈入 20GB 时代

  • IT之家 11 月 24 日消息,由于厂商减产的效果逐渐显现,以及特定应用市场的持续强劲需求,DRAM 和 NAND 闪存价格在 2023 年第 4 季度呈现全面上涨,并有望持续到明年第 1 季度。集邦咨询分析预估,2023 年第 4 季度移动 DRAM 合约价格预计上涨 13-18%,而 eMMC 和 UFS NAND Flash 合约预计上涨约 10-15%,上涨趋势会持续到 2024 年第 1 季度。移动 DRAM:根据国外科技媒体 WccFtech 报道,2024 年手机的一个明显变化是
  • 关键字: 闪存  DRAM  NAND  

越便宜越没人买!全球SSD出货量暴跌10% 用户买涨不买跌

  • 11月22日消息,据TrendForce最新报告,2022年全球SSD出货量为1.14亿块,同比下降10.7%。报告中指出,2021年上半年受到主控IC短缺的影响,SSD出货量不高;但在2022年下半年供应情况已经极大缓解,渠道SSD市场恢复正常供需状态。随着个人电脑和计算机硬件市场的萎缩,固态硬盘的需求依然疲软,而更多的用户也是买涨不买跌(便宜了还能更便宜,便宜反而买单的人锐减)。TrendForce称,由于NAND闪存供应商积极减产,导致整个行业价格上涨,市场情绪在2022年第三季度末"迅速
  • 关键字: SSD  固态硬盘  闪存  NAND  

一文看懂TSV技术

  • 前言从HBM存储器到3D NAND芯片,再到CoWoS,硬件市场上有许多芯片是用英文称为TSV构建的,TSV是首字母缩写,TSV(Through Silicon Via)中文为硅通孔技术。它是通过在芯片与芯片之间、晶圆和晶圆之间制作垂直导通;TSV技术通过铜、钨、多晶硅等导电物质的填充,实现硅通孔的垂直电气互联,这项技术是目前唯一的垂直电互联技术,是实现3D先进封装的关键技术之一。在本文中,我们将告诉您它们是什么,它们如何工作以及它们的用途。在2000年的第一个月,Santa Clara Universi
  • 关键字: 芯片  TSV  HBM  NAND  先进封装  
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