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3d hal传感器 文章 进入3d hal传感器技术社区

千亿美元蛋糕!3D DRAM分食之战悄然开局

  • 从目前公开的DRAM(内存)技术来看,业界认为,3D DRAM是DRAM技术困局的破解方法之一,是未来内存市场的重要发展方向。3D DRAM与3D NAND是否异曲同工?如何解决尺寸限制等行业技术痛点?大厂布局情况?如何理解3D DRAM?DRAM(内存)单元电路是由一个晶体管和一个电容器组成,其中,晶体管负责传输电流,使信息(位)能够被写入或读取,电容器则用于存储位。DRAM广泛应用于现代计算机、显卡、便携式设备和游戏机等需要低成本和高容量内存的数字电子设备。DRAM开发主要通过减小电路线宽来提高集成度
  • 关键字: 3D DRAM  存储  

为什么仍然没有商用3D-IC?

  • 摩尔不仅有了一个良好的开端,但接下来的步骤要困难得多。
  • 关键字: 3D-IC  HBM  封装  

300层之后,3D NAND的技术路线图

  • 开发下一代 3D NAND 闪存就像攀登永无止境的山峰。
  • 关键字: 3D NAND  

TDK发布适用于汽车和工业应用场景的全新ASIL C级杂散场稳健型3D HAL传感器

  • ●   HAL 3930-4100(单芯片)和 HAR 3930-4100(双芯片)是两款精确的霍尔效应位置传感器,具备稳健的杂散场补偿能力,并配备 PWM 或 SENT 输出接口●   单芯片传感器已定义为 ASIL C 级,可以集成到汽车安全相关系统中,最高可达 ASIL D 级●   目标汽车应用场景包括转向角位置检测、变速器位置检测、换档器位置检测、底盘位置检测、油门和制动踏板位置检测**TDK株式会社利用适用于汽车和工业应用场景的新型
  • 关键字: TDK  ASIL C  3D HAL传感器  

TDK推出采用3D HAL技术并具备模拟输出和SENT接口的位置传感器

  • ●   全新霍尔效应传感器 HAL 3927 采用符合 SAE J2716 rev.4 的比率模拟输出和数字 SENT 协议。●   卓越的角度测量以及符合 ISO 26262 标准的开发水平,以小型 SOIC8 SMD 封装为高安全要求的汽车和工业应用场景提供支持。TDK 株式会社近日宣布,其 Micronas 直接角霍尔效应传感器系列产品增添了新成员,现推出面向汽车和工业应用场景的全新 HAL® 3927* 传感器。HAL 3927 采用集成断线检测的
  • 关键字: TDK  3D HAL  位置传感器  

3D ToF相机于物流仓储自动化的应用优势

  • 3D ToF智能相机能藉助飞时测距(Time of Flight;ToF)技术,在物流仓储现场精准判断货物的摆放位置、方位、距离、角度等资料,确保人员、货物与无人搬运车移动顺畅,加速物流仓储行业自动化。2020年全球疫情爆发,隔离政策改变人们的消费模式与型态,导致电商与物流仓储业出现爆炸性成长;于此同时,人员移动的管制,也间接造成人力不足产生缺工问题,加速物流仓储行业自动化的进程,进而大量导入无人搬运车AGV(Automated Guided Vehicle)/AMR(Autonomous Mobile
  • 关键字: 3D ToF  相机  物流仓储  自动化  台达  

3D NAND还是卷到了300层

  • 近日,三星电子宣布计划在明年生产第 9 代 V-NAND 闪存,据爆料,这款闪存将采用双层堆栈架构,并超过 300 层。同样在 8 月,SK 海力士表示将进一步完善 321 层 NAND 闪存,并计划于 2025 年上半期开始量产。早在 5 月份,据欧洲电子新闻网报道,西部数据和铠侠这两家公司的工程师正在寻求实现 8 平面 3D NAND 设备以及超过 300 字线的 3D NAND IC。3D NAND 终究还是卷到了 300 层……层数「争霸赛」众所周知,固态硬盘的数据传输速度虽然很快,但售价和容量还
  • 关键字: V-NAND  闪存  3D NAND  

3D DRAM时代即将到来,泛林集团这样构想3D DRAM的未来架构

  • 动态随机存取存储器 (DRAM) 是一种集成电路,目前广泛应用于需要低成本和高容量内存的数字电子设备,如现代计算机、显卡、便携式设备和游戏机。技术进步驱动了DRAM的微缩,随着技术在节点间迭代,芯片整体面积不断缩小。DRAM也紧随NAND的步伐,向三维发展,以提高单位面积的存储单元数量。(NAND指“NOT AND”,意为进行与非逻辑运算的电路单元。)l  这一趋势有利于整个行业的发展,因为它能推动存储器技术的突破,而且每平方微米存储单元数量的增加意味着生产成本的降低。l  DRAM技
  • 关键字: 3D DRAM  泛林  

被垄断的NAND闪存技术

  • 各家 3D NAND 技术大比拼。
  • 关键字: NAND  3D NAND  

3D 晶体管的转变

基于 LPC5528 的 3D 打印机方案

  • MCU-Creator 是基于 NXP LPC5528 做的 3D 打印机主板方案,该方案主控 MCU LPC5528 是一颗 Cortex-M33 内核的高性能 MCU,主频达到 150MHz,拥有 512KB 片上 Flash ,256KB RAM ,有多个 Timer,多路 PWM,多种通信接口,支持 16 位的 ADC,资源丰富。      该方案支持 3.5 寸触摸屏显示,480*320 分辨率,支持 SD 卡、 U 盘传输打印资料给打印机,支持 5 轴电机控制,支
  • 关键字: 3D 打印机  NXP  LPC5528  

Teledyne将在Vision China展示最新3D和AI成像方案

  • 中国上海,2023 年 7 月 4 日 — Teledyne 将于 7 月 11-13 日在上海国家会展中心举办的 2023中国(上海)机器视觉展 (Vision China) 展示最新产品和解决方案。欢迎各位莅临 5.1A101 展位了解先进的 3D 解决方案,Teledyne DALSA、e2v 和 FL
  • 关键字: Teledyne  Vision China  3D  AI成像  

DRAM迎来3D时代?

3D NAND 堆叠可超 300 层,铠侠解读新技术

  • 5 月 5 日消息, 铠侠和西数展示最新的技术储备,双方正在努力实现 8 平面 3D NAND 设备以及具有超过 300 条字线的 3D NAND IC。根据其公布的技术论文,铠侠展示了一种八平面 1Tb 3D TLC NAND 器件,有超过 210 个有源层和 3.2 GT/s 接口,可提供 205 MB/s 的程序吞吐量,读取延迟缩小到 40 微秒。此外,铠侠和西部数据还合作开发具有超过 300 个有源字层的 3D NAND 器件,这是一个具有实验性的 3D NAND IC,通过金属诱导侧向
  • 关键字: 3D NAND  
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