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动态随机存取内存(dram) 文章

三星电子平泽工厂第二生产线开始量产

  • 实现DRAM量产后,预计生产新一代VNAND与超精细制程的晶圆代工产品 凭借更快更薄的产品抢占移动设备市场,下一步进军汽车电装市场 韩国首尔2020年8月30日 /美通社/ -- 三星电子平泽工厂第二生产线正式开工,首发量产产品是采用了EUV(Extreme Ultraviolet,极紫外光刻)制程的16Gb(吉字节)LPDDR5移动DRAM,开创业界先河。     三星电子 16GB LPDDR5    三星电子平泽工厂第二生产线的建筑面积达12.89万平方米(
  • 关键字: EUV10  纳米级  LPDDR5  DRAM  

三星宣布其全球最大半导体生产线开始量产16Gb LPDDR5 DRAM

  • 三星今日宣布,其位于韩国平泽的第二条生产线已开始量产业界首款采用极紫外光(EUV)技术的16Gb LPDDR5移动DRAM。新的16Gb LPDDR5基于三星第三代10nm级(1z)工艺打造,拥有当下最高的移动产品内置内存性能和最大的容量。"基于1z的16Gb LPDDR5将行业提升到了一个新的门槛,克服了先进节点下DRAM扩展的主要发展障碍。"三星电子DRAM产品与技术执行副总裁Jung-bae Lee表示。三星平泽2号线占地超过128900平方米,相当于约16个足球场,是迄今为止全
  • 关键字: 三星  LPDDR5  DRAM  

第四代低功耗动态 DRAM 与其延展版的车辆应用解决方案

  • 日本计划在东京奥运会上展示无人驾驶技术,展现了近年来汽车智能化的成果。随着5G技术与人工智能( AI)的发展,车载通讯技术已慢慢从早期的娱乐影音播放以及导航系统,发展到现在的深度学习与车联网( V2X),并朝着无人驾驶的目标前进。而实现此目标的关键因素正是半导体。目前,先进驾驶辅助系统(ADAS)是车载通讯中最普遍的应用之一,它包含不同的子功能主动式巡航控制、自动紧急煞车、盲点侦测以及驾驶人监控系统等。车辆制造商一直试着添加更多主动式安全保护,以达到无人驾驶的最终目标。因此,越来越多的半导体产商与车辆制造
  • 关键字: ADAS  NOR  DRAM  AI  V2X  EM  

KLA推出全新突破性的电子束缺陷检测系统

  • 近日 KLA公司 宣布推出革命性的eSL10™电子束图案化晶圆缺陷检查系统。该系统具有独特的检测能力,能够检测出常规光学或其他电子束检测平台无法捕获的缺陷,从而加速了高性能逻辑和存储芯片的上市时间(包括那些依赖于极端紫外线(EUV)光刻技术的芯片)。eSL10的研发是始于最基本的构架,针对研发生产存在多年的问题而开发出了多项突破性技术,可提供高分辨率,高速检测功能,这是市场上任何其他电子束系统都难以比拟的。KLA电子束部门总经理Amir Azordegan 表示:“利用单一的高能量电子
  • 关键字: DRAM  NAND  

SK海力士开始量产超高速DRAM‘HBM2E’

  • 7月2日,SK海力士宣布开始量产超高速DRAM“HBM2E”。SK海力士的HBM2E以每个pin 3.6Gbps的处理速度,通过1,024个I/Os(Inputs/Outputs, 输入/输出)能够每秒处理460GB的数据。这速度相当于能够在一秒内传输124部全高清(FHD)电影(每部3.7GB),是目前业界速度最快的DRAM解决方案。不仅如此,公司的HBM2E借助TSV(Through Silicon Via)技术将8个16Gb DRAM垂直连接,其容量达到了16GB,是前一代HBM2容量的两倍以上。H
  • 关键字: SK海力士  DRAM  

SK海力士宣布开始量产超高速DRAM‘HBM2E’

  • SK海力士宣布开始量产超高速DRAM‘HBM2E’。这是公司去年8月宣布完成HBM2E开发仅十个月之后的成果。           图1. SK海力士宣布开始量产超高速DRAM, HBM2E    SK海力士的HBM2E以每个pin 3.6Gbps的处理速度,通过1,024个I/Os(Inputs/Outputs,  输入/输出)能够每秒处理460GB的数据。这速度相当于能够在一秒内传输124部全高清(FHD)电影(每部3.
  • 关键字: SK海力士  超高速  DRAM  HBM2E  

国产DRAM内存抱团发展 合肥长鑫与3家公司合作

  • 6月6日,长三角一体化发展重大合作事项签约仪式在湖州举行,合肥长鑫与苏州瑞红电子化学品有限公司、宁波江丰电子材料股份有限公司、上海新昇半导体科技有限公司共同签约,一致同意支持长鑫12英寸存储器晶圆制造基地项目建设。2019年国内存储芯片取得了两个突破——长江存储的3D闪存、合肥长鑫的DRAM内存双双量产,其中内存国产化的意义更重要一些,毕竟这个市场主要就是美日两大阵营主导,门槛太高。合肥长鑫的12英寸内存项目总计投资高达1500亿,去年底量产了1Xnm级别(具体大概是19nm)的内存芯片,可以供应DDR4
  • 关键字: 国产  DRAM  内存  合肥长鑫  

南亚科:视欧美疫情定市场 10纳米级产品试产

  • 存储器大厂南亚科28日召开年度股东常会,会中董事长吴嘉昭对于近期的产业状况发表看法,指出2020年上半年DRAM市场的需求较2019年同期有小幅度的成长,其主要原因是受惠于异地工作、远端教育、视频会议等各项需求所致。至于,2020年下半年市况,吴嘉昭则是表示,因为各项不确定因素仍多,因此目前仍必须要持续的观察。吴嘉昭表示,2019年因中美贸易战导致的关税问题,使得供应链面临调整,加上全球经济放缓、英特尔处理器缺货等因素,导致DRAM需求减少,使得平均销货较2018年减少超过45%,也使得南亚科在2019年
  • 关键字: 存储器  10nm  南亚科  DRAM  

三星一季度全球DRAM市场份额超过40% 但销售额有下滑

  • 三星电子一季度在全球DRAM市场的份额超过了40%,但销售额在这一季度有下滑。外媒的数据显示,一季度三星电子在全球DRAM市场的份额为44.1%,是第一大厂商,较第二大厂商SK海力士高出了近15个百分点,后者的市场份额为29.3%。虽然三星的市场份额超过了40%,但一季度三星DRAM的营收其实有下滑,较上一季度下滑3%。DRAM市场份额仅次于三星的SK海力士,一季度的销售额也下滑了4%,下滑幅度还高于三星。三星电子和SK海力士之后的第三大DRAM厂商是美光科技,其一季度的市场份额为20.8%,销售额下滑1
  • 关键字: 三星  DRAM  

漏电流和寄生电容引起的DRAM故障识别

  • 从20nm技术节点开始,漏电流一直都是动态随机存取存储器(DRAM)设计中引起器件故障的主要原因。即使底层器件未出现明显的结构异常,DRAM设计中漏电流造成的问题也会导致可靠性下降。漏电流已成为DRAM器件设计中至关重要的一个考虑因素。图1. (a) DRAM存储单元;(b)单元晶体管中的栅诱导漏极泄漏电流 (GIDL);(c)位线接触 (BLC) 与存储节点接触 (SNC) 之间的电介质泄漏;(d) DRAM电容处的电介质泄漏。DRAM存储单元(图1 (a))在电
  • 关键字: DRAM   GIDL  

三星首次将EUV技术应用于DRAM生产

  • 据ZDnet报道,三星宣布,已成功将EUV技术应用于DRAM的生产中。
  • 关键字: 三星  EUV  DRAM  

三星率先为DRAM芯片导入EUV:明年将用于DDR5/LPDDR5大规模量产

  • 当前在芯片制造中最先进的EUV(极紫外光刻)工艺被三星率先用到了DRAM内存颗粒的生产中。这家韩国巨头今日宣布,已经出货100万第一代10nm EUV级(D1x)DDR4 DRAM模组,并完成全球客户评估,这为今后高端PC、手机、企业级服务器等应用领域开启新大门。得益于EUV技术,可以在精度更高的光刻中减少多次图案化的重复步骤,并进一步提升产能。三星表示,将从第四代10nm级(D1a)DRAM或高端级14nm级DRAM开始全面导入EUV,明年基于D1a大规模量产DDR5和LPDDR5内存芯片,预计会使12
  • 关键字: 三星  DRAM  EUV  

TrendForce:2019年第四季量增抵销价跌影响,DRAM产值较前季近持平

存储器行业的冰与火之歌:凛冬是否已经结束 ?

  • 据IDC预测,2025年全球数据将有175 ZettaBytes的总量,如此惊人而又庞大的数据量,半导体存储器将具有极大的市场。半导体存储器分为易失存储器和非易失存储器两种,具体类型如下:“凛冬将至”:这两年的存储器市场2017年的存储器市场可以用火热来形容,三大存储器公司(三星、海力士、美光)的财报都非常喜人,SK海力士、美光的营收规模均成长近8成,而三星电子更是夺取了英特尔把持多年的全球半导体营收头把交椅。整体来说,2017年全球半导体市场规模比2016年成长22.2%,达4197.2亿美元,存储器的
  • 关键字: 存储器、NAND、DRAM  

全球DRAM产业迎来大牛市 内存将连涨7个季度

  • 最近的疫情危机给全球大多数电子产品的前景蒙上了阴影,智能手机Q1季度会是暴跌50%。不过内存厂商现在可以轻松下了,Q1季度开始就进入全球牛市,预计会连涨七个季度,也就是2020年底才可能稳下来。自从1月初的三星供电停电、东芝工厂起火之后,这两家公司纷纷表态对生产基本没影响,但是全球存储芯片的市场依然像是打了鸡血,内存及SSD硬盘的现货价应声而起,1月份就涨价高达30%。那这一波内存涨价要持续多久呢?UBS瑞银分析师Timothy Acuri日前发表报告评估了内存市场的发展趋势,他认为内存涨价将持续至少7个
  • 关键字: DRAM、内存  
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动态随机存取内存(dram)介绍

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