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根据集邦科技(DRAMeXchange)所发表的最新内存市场报告指出,上周DRAM现货报价受到三星停电事件影响而短暂走高,但后续追价力道不强,使得部份库存较多的分销商反手杀出手中的库存。集邦表示,DDR2 eT......
受高阶记忆体晶片和小型电子设备用微处理器的需求提振,全球晶片厂产能利用率在4-6月呈现连续第二季上扬。 国际半导体产能统计协会(SICAS)周四表示,全球晶片厂4-6月产能利用率升至89.7%,前季则为87.5......
近期内存芯片(DRAM)现货市场交投的疲弱已经导致部分行内企业开始向市场倾倒库存,这种形势更开始向内存模块生产商蔓延。 有市场观察家发现,在过去几个星期里,内存芯片的交易量急剧下降。这段时间里,不但市场需求疲弱,还传......
摘要:SST89C54/58j Silicon Storage Technology公司推出的带有20KB/36KB Flash的单片机。芯片内部集成了可以对Flash进行操作的功能模块。通过对Flash的分区实现在......
海力士已经同意在其动态随机存储器(DRAM)芯片中采用ISi的Z-RAM技术。采用Z-RAM的DRAM将使用一种单晶体管位单元,来替代多个晶体管和电容器的组合,这代表了自上世纪70年代初发明DRAM来,基本DRAM位单元......
从国外媒体处获悉:当地时间本周四,由于计算机内存芯片价格大幅上涨,包括韩国现代半导体在内的主要亚洲芯片生产商股价均呈现不同程度的上涨。 根据DRAMeXchange公布的数据显示,本周三512MB......
业界预测DRAM内存合同价在8月还将上升,同时受三星电子上周一因某工厂停产的影响,NAND闪存的价格也持续攀升。三星近日提高了NAND闪存在现货市场的价格,力晶半导体公司(Powerchip Semicondu......
根据集邦科技资料,8月上旬NAND型闪存价格受韩国三星停电事件影响,平均上涨约15-25%。集邦分析师指出,由于短期内旬NAND型闪存市场供货不足,预估8月下旬价格将持平或......
最近,目前主流的DRAM、SRAM和FLASH等存储技术一定感觉到既有近忧,又有远虑,因为新型存储技术PRAM(相变存储器)、MRAM(磁性随机存储器)及FRAM(铁电储存器)表现活......
Spansion宣布,其MirrorBit® NOR闪存已完成在MediaTek主流手机参考设计平台上的预先验证。MediaTek总部位于台湾,是全球前十大提供无线通信和数字媒体解决方案的半导体芯片设计......
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