全球新兴记忆体与储存技术市场正快速扩张，而台积电、三星、美光、英特尔等半导体巨头正与专业IP供应商合作，积极推动先进非挥发性存储器解决方案的商业化。过去两年，相变内存（PCM）、电阻式随机存取内存 （RRAM） 和 自旋转移矩磁阻式随忆式内存 （STT-MRAM） 已从实验室走向次22纳米节点的试产阶段，并运用3D堆叠技术实现高密度，以解决传统DRAM和NAND闪存在延迟、耐用性和能源效率方面的限制。在台积电、三星、美光、英特尔等业界领导者的合作下，每年超过50亿美元的研发投入加速新材料与制程的成熟。 这
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AI 内存 台积电 三星 存储技术
据报道，当地时间4月16日，JEDEC固态技术协会宣布，正式推出HBM4内存规范JESD270-4，该规范为HBM的最新版本设定了更高的带宽性能标准。据介绍，与此前的版本相比，HBM4标准在带宽、通道数、功耗、容量等多方面进行了改进。其中，HBM4采用2048位接口，传输速度高达8Gb/s，HBM4可将总带宽提高至2TB/s。 还支持 4 / 8 / 12 / 18 层 DRAM 堆栈和 24Gb / 32Gb 的芯片密度，单堆栈容量可达 64GB。此外，HBM4将每个堆叠的独立通道数加倍，从16个通道（
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HBM4 存储技术 存储芯片
自铠侠官网获悉，铠侠（Kioxia）宣布其多项创新研究成果，将于今年12月7日至11日在美国旧金山举行的IEEE国际电子器件大会（IEDM）上发表。声明中称，铠侠旨在不断创新以满足未来计算和存储系统的需求。此次发布包括以下三大创新技术：氧化物半导体通道晶体管DRAM（OCTRAM）：该技术由铠侠联合南亚科技共同开发，通过改进制造工艺，开发出一种垂直晶体管，提高了电路集成度。OCTRAM技术有望大幅降低DRAM的功耗，使其在人工智能、5G通信等领域具有广阔的应用前景。高容量交叉点MRAM（磁阻随机存取存储器
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铠侠 存储技术 DRAM MRAM 3D堆叠
近日，复旦大学和清华大学团队在存储芯片上创下新突破。复旦团队研发超快闪存集成工艺，可实现20纳秒超快编程、10年非易失；清华大学团队则提出一种基于磁振子的新型逻辑器件，有望重构逻辑存储器。复旦团队研发超快闪存集成工艺，突破存储速度极限非易失性存储器是指即使在存储器芯片的电源被关闭时，也可以保存数据的计算机存储器。常见的非易失性存储器包括闪存（Flash
Memory）、只读存储器（ROM），以及一些新技术如磁性随机存储器（MRAM）、铁电随机存储器（FeRAM）、相变存储器（PCM）等。其中闪存是目前
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存储技术
当前低功耗问题仍是业界关心重点。根据国际能源署(IEA)最近报告显示，考虑到谷歌平均每次搜索需要0.3Wh，OpenAI的ChatGPT每次请求消耗2.9Wh，每天进行90亿次搜索，每年需要额外消耗10太瓦时(TWh)的电力。从预计销售的AI服务器需求来看，到2026年，AI行业可能会呈指数级增长，消耗的电力需求至少是去年的十倍。德州仪器首席技术官Ahmad Bahai此前表示，最近，除了云端之外，AI服务还转向移动和PC设备，这导致功耗激增，因此这是一个关键的讨论话题。因应市场需求，目前业界正积极致力于
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内存 存储技术
近日，中国科学家铁电隧道结存储器研发取得了新的进展。据中国科学院金属研究所官网介绍，在最新完成的研究中，其研究团队提出利用缓冲层定量调控薄膜应变，延迟铁电薄膜晶格弛豫从而增强铁电极化强度的策略，成功揭示极化强度同铁电隧道结存储器隧穿电阻之间的内在关联，并实现巨大隧穿电致电阻(或器件开关比)。铁电隧道结具有简洁的金属-超薄铁电-金属叠层器件结构。利用铁电极化翻转调控量子隧穿效应获得不同的电阻态，从而实现数据存储功能，具有高速读写、低功耗和高存储容量等优点，属于下一代信息存储技术，近年来在信息存储领域备受关注
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存储器 存储技术
存储器是电子信息处理系统中不可或缺的组成部分。在过去，依靠CMOS工艺的不断进步，存储器的性能得以不断提高。但近年来，一方面，尺寸微缩导致的晶体管漏电问题越来越严重，在增大存储器功耗的同时，恶化了存储单元的保持特性，存储器的发展遇到较为明显的瓶颈；另一方面，人工智能和物联网等领域的快速发展又对存储器的容量速度以及功耗等性能指标提出了更高的要求。在这样的背景下，由于嵌入式铁电随机存取存储器(Embedded Ferroelectric Random Access Memory，eFeRAM)具有非易失、高密
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存储器 存储技术
不负期待 与美光相约2023进博会2023年11月5日，第六届中国国际进口博览会正式开幕，吸引了来自世界各地的企业参展。其中，美光首次亮相进博会，为业界带来了一系列创新的内存和存储产品及解决方案，并展示了其为赋能数据经济发展，推动人工智能和5G应用进步所付出的不懈努力。深入存储四大应用领域美光的展位以“深耕存储领域，赋能数字中国”为主题，向观众展示了一系列高性能内存和存储产品。展台划分为数据中心、汽车与智能边缘领域、移动设备以及PC客户端四大应用领域，最新的产品和解决方案令人印象深刻。这些创新的
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美光 进博会 LPDDR5 内存 存储技术
如何开发出尺寸更小、速度更快、功耗更少、成本更低，同时容量更大的闪存产品，这是美光研发工程师每天都要应对的挑战。随着各国对数字化转型和云迁移的重视，世界对存储容量和性能的要求越来越大。美光正在迎接这一创新变局。这些变化体现在异构计算、边缘计算、数据中心、金融系统实时大数据更新，以及移动设备、消费电子、汽车信息娱乐系统带来智能化沉浸式体验。美光232层NAND技术为这些高性能存储应用环境提供了可能。优秀的架构，高效优化存储颗粒的使用空间和密度 美光推出的全球首款232层NAND基于CuA架构，通过增加NAN
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美光 232层 NAND 存储技术
双方将推动分区存储技术标准化，共同致力于开发和推广硬件规范，以及软件应用模型，以建立一个强大的生态系统三星和西部数据（Nasdaq:
WDC）于今日宣布，双方已签署一份独特的合作谅解备忘录（MOU），以实现下一代数据放置、处理和结构（D2PF）存储技术的标准化，并推动其广泛采用。首先，双方将致力于为分区存储解决方案打造一个充满活力的生态系统。这样的举措能让行业催生出更多的应用，为客户创造更大的价值。图片上的内容：data taken as-is 按照原样获取数据 / serialized data 序
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三星 西部数据 存储技术
在如此庞大的资料储存、传输需求下，在DRAM、SRAM以及NAND Flash等传统记忆体已逐渐无法负荷，且再加上传统记忆体的制程微缩愈加困难的情况之下，驱使半导体产业转向发展更高储存效能、更低成本同时又可以朝制程微缩迈进的新兴记忆体。
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存储技术 MRAM RRAM PCRAM
由于近年来C/S计算模型的广泛采用，服务器都带有自己的存储系统，信息分散到各个服务器上，形成了所谓的“信息孤岛”，不利于信息整合与数据共享。而网
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现在每一个闪存厂家都在向3D NAND技术发展，我们之前也报道过Intel 3D NAND的一些信息。5月14日，Intel Richmax举办了一场技术讲解会3D Nand Technical Workshop，I
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3D NAND SSD 存储技术
以下所列三项技术趋于实用性，我们尽可能集中在了足够成熟的热门技术上。复制数据管理管理来自多种工具同一数据的繁多物理副本依然费用昂贵，
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