端接DDR DRAM的电源电路

    DDR（双数据速率）DRAM应用于工作站和服务器的高速存储系统中。存储器IC采用1.8V或2.5V电源电压，并需要等于电源电压一半的基准电压（V_REF＝V_DD/2）。此外，各逻辑输出端都接一只电阻器，等于并跟踪V_REF的终端电压V_TT。在保持V_TT=V_REF+0.04V的同时，必须提供源流或吸收电流。图1所示电路可为1.8V和2.5V两种存储器系统提供终端电压，并可输出高达6A的电流。IC₁有一个降压控制器和2个线性稳压控制器。IC₁在输入电压为4.5～28V下工作。
　　IC₁的200kHz固定频率PWM控制器通过提供源流和吸收电流来保持输出电压。最大源电流等于最大吸收电流，但吸收电流没有限流作用。IC₁吸收电流时，将某些电流返回电源输入端。为了实现跟踪功能，IC₁额外的线性稳压控制器之一被配置成一个倒相放大器。这一放大器将V_DD/2（由R₁和R₂产生）与来自IC₁的V_REF进行比较，产生一个误差信号，误差信号通过R₃到达IC₁的FB引脚，从而迫使V_OUT跟踪V_DD/2。为实现精密跟踪，必须用一只10mA的负载电阻器R₄来给倒相放大器提供偏量。当V_DD为1～4V时，V_OUT可跟踪VDD/2。