Siliconix与ST达成双面冷却型MOSFET封装技术许可协议

    2005年3月10日意法半导体与Siliconix宣布达成一项许可协议，Siliconix将向ST提供最新的功率MOSFET封装技术的许可使用权，这项技术使用强制性空气冷却方法，系统顶端与底部设有散热通道，从而使封装具有更加优异的散热性能。Siliconix是Vishay Intertechnology科技有限公司（纽约证券交易所：VSH）持有80.4%股权的子公司。
    Siliconix提供给ST的新封装命名为PolarPAK™，这种封装的引线架与塑料封装类似于大多数标准功率MOSFET封装，能够良好地保护裸片，而且在制造过程中也很容易管理。与标准SO-8封装相比，PolarPAK封装的散热效率更高，在占板尺寸相同时，处理电流的能力比标准封装提高一倍。
    “随着DC/DC转换器体积不断缩小， PCB上各种组件的散热问题已经成为设计人员必须解决的一个挑战，” ST功率MOSFET部门经理Ian Wilson表示，“封装技术的进步必须与硅片技术的改良同步。PolarPAK封装技术拥有极佳的热处理能力，代表了封装技术一个巨大进步，让设计人员可以提高效率与功率密度。这种封装技术将会进一步提升ST针对计算机、数据传输与电信应用的功率转换开发的STripFETTM MOSFET系列产品的性能。”
    意法半导体公司副总裁兼微控制器、线性产品及分立器件部总经理Carmelo Papa表示：“新封装是实现成本效益型解决方案的必要技术，通过与Siliconix公司合作，我们将能够提高这个新封装的市场接受度。我们全力以赴开拓电信和计算机市场，ST期望通过不断创新成为这两个市场的领导者。” 
    Vishay公司董事长兼技术及商业开发部总监Felix Zandman博士和公司总裁兼首席执行官Gerald Paul博士均表示：“Siliconix的功率MOSFET创新产品包括业内第一个沟道MOSFET和功率性能及热密度最大化的各种封装，这些技术的众多创新成果使Siliconix 和 Vishay成为业内的领导者，PolarPAK是Siliconix的最新开发成果，与ST签署合作协议对于我们来说是一个令人骄傲的时刻。”
    “通过与ST签署这项许可协议，我们朝着推动PolarPAK成为业界标准封装技术的目标迈进了一大步，该技术能为客户提供多源解决方案的设计灵活性”， Siliconix总裁兼首席执行官King Owyang博士表示，“我们很高兴像ST这样的半导体产业主导厂商能够认识到PolarPAK为各种功率MOSFET应用带来的效益。” 
    PolarPAK具有优异的散热性能，封装功耗极低，大小仅为5mm