Bulk Si技术近极限，功率半导体大厂加速投入GaN、SiC开发

　　DIGITIMES Research观察，传统以块体矽(Bulk Si)材料为基础的功率半导体逐渐难提升其技术表现，业界逐渐改以新材料寻求突破，其中氮化镓(GaN)、碳化矽(SiC)材料技术最受瞩目，氮化镓具有更高的切换频率，碳化矽则能承受更高温、更大电流与电压，而原有的矽材仍有成本优势，预计未来功率半导体市场将三分天下。

　　更高的耐受温度、电压，或更高的切换频率、运作频率，分别适用在不同的应用，对于电动车、油电混合车、电气化铁路而言需要更高电压，对于新一代的行动通讯基地台，或资料中心机房设备而言，则需要更高的切换频率。

　　氮化镓、碳化矽技术表现虽佳，但现阶段发展上有其挑战，包含过高的成本、技术表现可靠度不足、可供货业者有限，以及缺乏配套的封装整合技术等，不过业界正逐一寻求突破。

　　业界为了加速发展新材料功率半导体已进行多项商业布局，包含投资新创业者、发动购并、事业体分拆、技术合作等。期许让功率半导体获得新应用话题、新成长动能。

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