高容量SSD揭幕　美光、东芝、新帝抢进128Gb TLC芯片

　　美光(Micron)、东芝(Toshiba)、新帝(SanDisk)旗下16纳米和15纳米制程不但放量，生产蓝图也朝128Gb容量TLC型NAND Flash芯片规划，带动整个大容量固态硬碟(SSD)商机大爆发。

　　美光宣示，16纳米制程的TLC型NAND Flash芯片正式进入量产，将是2015年消费性产品的主力零组件;再者，东芝和新帝的15纳米制程在生产初期频传出良率不佳，也传出新帝因此遭到苹果(Apple)从供应商中剔除，但经过1~2季努力，15纳米制程已上轨道，目前已先在自家产品中采用，预计第3季可大量供应给客户做生产。

　　美光、东芝、新帝的16纳米和15纳米制程NAND Flash芯片规划，都以128Gb容量TLC型NAND Flash芯片，取代过去的64Gb芯片，这也象征大容量SSD时代来临。

　　美光16纳米制程的TLC型NAND Flash芯片已获得多家合作伙伴导入和技术支援，包括创见、慧荣和希捷(Seagate)。

　　美光储存事业部行销总监Kevin Kilbuck表示，16纳米TLC型NAND Flash技术可满足市场对于可靠的高容量储存装置持续提升的需求，将是2015年消费性应用的最佳解决方案，2016年将朝生产3D NAND型的TLC芯片迈进。

　　据美光蓝图规划，目前美光生产的NAND Flash芯片中，采用16纳米制程技术的比重超过50%，包含SLC/MLC/TLC型NAND Flash芯片，预计 2015年第4季将量产3D NAND技术，新加坡厂将是3D NAND生产基地，日前也投资40亿美元强化技术。

　　美光指出，新TLC型NAND是使用16纳米制程技术，可用在随身碟、SSD等产品上，取得价格和效能的平衡，从2015年开始，对于TLC型NAND需求会大步提升，光是10亿位元的NAND存储器，总出货量就约占快闪存储器产品市场的50%。

　　东芝和新帝阵营中，是从19纳米制程转到15纳米制程NAND Flash技术上，在转进15纳米制程过程中，传出良率不佳问题，由于新帝后来被苹果剔除于供应链之外，传出与15纳米制程良率问题有关。但此问题陆续获得解决，15纳米制程已经陆续用于东芝和新帝自己的产品中，预计第3季会在市场上大量供货。