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台积电高通格罗芳德等决战 28nm来到临界点

作者:时间:2014-04-03来源:元器件交易网收藏

  在的指引下,集成电路的线宽不断缩小,基本上是按每两年缩小至原尺寸的70%的步伐前进。如2007年达到45nm,2009年达到32nm,2011年达到22nm。但是到了2013年的14nm时开始出现偏差,英特尔原先承诺的量产时间推迟。

本文引用地址:http://www.eepw.com.cn/article/235862.htm

  Fabless大厂Altera2013年把它原来交由台积电生产的14nm代工订单转给英特尔,这一事件曾经引起业界一阵躁动。但是由于英特尔14nm量产的推迟,风向又开始转向,传说将把订单转回给台积电代工。这一事件反映出,集成电路微缩之路未来的前进规则将要改变。两年的周期很难再维持下去,存在两种可能性:一种是延长时间,另一种是把30%的缩小比例减缓一些。

  之所以单把提出来讲,是因为产业界在从45nm向下演进时,原本公认的32nm节点并未成熟,反而又向前延伸了一步,达到,中间跳过32nm。因此这个节点非常特殊,估计28nm制程的生存周期会相当长。另外,在SoC中包括嵌入式SRAM(eSRAM)、I/O及其他逻辑功能时,在大部分情况下28nm是最优化成本。甚至有人计算得出这样的结论:28nm以下集成电路的成本没有下降反而上升。这说明28nm已经是一个临界点了,到达28nm后,实际已经面临终结。

  28nm既然如此特殊,自然值得仔细研究一下。

  28纳米工艺角逐

  28nm制程主要有两个工艺方向:高性能型和低功耗型。而高性能型才是真正的高介电常数金属闸极工艺。

  目前,28nm制程主要有两个工艺方向:HighPerformance(HP,高性能型)和LowPower(LP,低功耗型)。LP低功耗型是最早量产的,不过它并非Gate-Last后栅工艺,还是传统的SiON(氮氧化硅)介质和多晶硅栅极工艺,优点是成本低,工艺简单,适合对性能要求不高的手机和移动设备。而HP才是真正的高介电常数金属闸极(HKMG)+Gate-Last工艺,又可细分为HP、HPL(LowPower)、HPM(Moblie)三个方向。HP工艺拥有最好的每瓦性能比,频率可达2GHz以上;HPL的漏电流最低,功耗也更低;HPM主要针对移动领域,频率比HPL更高,功耗也略大一些。

  高通是第一家量产28nm制程的移动芯片厂商,2013年是28nm制程的普及年。

  Intel一直是以技术领先为导向的,虽然自己的CPU在移动通信领域中不太受欢迎,但是其最先使用HKMG+Gate-Last工艺,又最先量产3D晶体管,其制程领先对手可以按代来计算。目前移动通信领域与Intel展开合作的公司不是太多。

  TSMC受到移动终端芯片厂商的青睐,长期以来霸占着集成电路代工市场占有率的第一名。高通骄龙800就采用了TSMC的28nmHPMHKMG这一最高标准,而高通MSM8960和联发科四核芯片MT6589T以及联芯、展讯等厂商的芯片使用的则是TSMC相对较差的28nmLP工艺。据说,MTK的MT6588和八核芯片MT6592采用的是TSMC的28nm级别最好的HPM工艺。



关键词: 摩尔定律 28nm

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