飞兆全新中压MOSFET采用空间节省型封装可优化电能应用

　　2014年2月13日，许多终端应用 – 比如IP电话、电机控制电路、有源钳位开关和负载开关 – 需要以更小的尺寸提供更高的能效，以便满足制造商的要求。飞兆半导体开发了FDMC86xxxP系列P沟道PowerTrench^® MOSFET，在尺寸减小的同时可实现卓越的开关速度和功耗性能。

　　该系列包括FDMC86261P 150 V和FDMC86139P 100 V P沟道MOSFET。与竞争对手的器件相比，这类P沟道MOSFET具有更好的开关性能品质因数(FOM)，比竞争对手提供的最佳器件还要高出67%。此外，其导通损耗减小了46%，开关损耗减小了38%。因此，设计人员能够缩小尺寸并提高系统整体性能。

　　相比竞争对手提供的5 mm x 6 mm封装解决方案，该系列器件采用3 mm x 3 mm MLP封装，可节省电路板空间。此外，FDMC86xxxP系列可满足客户对于耗散更少功率实现更高能效的更低 热特性需求。该器件还具有同尺寸器件中最低的导通电阻RDS(ON)。

　　飞兆半导体低压产品营销总监Mike Speed表示：“众所周知，传统产品因功耗高而效率低下，不适用于如今的电源和电机控制电路。客户如果转而采用FDMC86xxxP系列器件，那么在其应用中就能使功耗降低多达50%，从而提升系统整体性能，并降低其终端产品中的能耗，有助于节省全球资源。”

　　主要功能：

　　· 极低RDS(ON)中压P沟道硅技术，优化得到较低的Qg
　　· 非常适合快速开关应用以及负载开关应用
　　· 100%经过UIL^®测试
　　· 符合 RoHS 标准

　　空间受限型应用以及我们的客户和其所服务的市场要求DC-DC电源的尺寸更小、电流更高，基于对这一需求的理解，飞兆半导体量身定制结合了功能、工艺和创新封装技术的节能型解决方案，从而能使您的电子设计与众不同。