ST率先推出SO8窄型封装的1Mbit串行EEPROM

　　ST推出一款新的1-Mbit串行EEPROM 芯片，这个型号为M24M01的新产品采用微型SO8N封装，封装外壳宽度仅为150-mil (3.8mm)；这个串行EEPROM是目前市场上唯一的在如此小的封装内挤进高密度存储器芯片的半导体器件。该产品还有一款是采用SO8W封装，这款产品内置I2C双线串口，专门为消费电子和医疗设备设计，是保存参数经常被修改的海量数据的理想选择。存储密度从1千位一直到1兆位，ST的I2C EEPROM系列是目前市场上的最强大的产品阵容。

　　M24M01支持100 kHz和400 kHz时钟频率，全面兼容I2C规范，1.8V到5.5V的宽工作电源电压。 128-Kbits x 8存储结构，支持字节和页式写模式，写操作极快，256字节写操作低于5ms。改进的输入噪声过滤功能可以防止器件在电气噪声环境中出现乱真写操作。数据保存能力超过40年，耐擦写能力不低于100万次擦写循环。工作温度范围-40℃到+85℃。

　　这个紧凑型产品的高存储密度归功于ST先进的0.18微米EEPROM制造工艺。SO8N封装的尺寸极小,将为数字电视、DVD影碟机、机顶盒和医疗设  
备制造商降低应用中的电路板空间需求提供机会，同时还能扩大设置参数、调谐信息、用户自定义设置和其它数据的可用存储空间。.