网传中芯国际5nm工艺良率超60%，各路消息扑朔迷离

众所周知，我国芯片业面临美国强力制裁，无法取得生产先进制程所需的 EUV 设备，只能通过不断改良的 DUV 设备提升制程能力。近日，网络上传出大量信息：国产5nm迎来历史性突破，不仅实现量产，而且良率从早期的35%大幅提升至60%-70%，接近台积电初期的SF3良率水平。

根据微博爆料者“定焦数码”表示，中芯国际5纳米制程的良率已提升至60%-70%，他还进一步指出，中芯国际5纳米良率与三星电子3纳米GAA制程相当。后者已被用于生产Galaxy Z Flip 7搭载的Exynos 2500芯片。但X账号Jukanlosreve也表达了对此传言的强烈质疑，据其之前透露，中芯国际计划在2025年前完成5纳米芯片开发，但由于采用深紫外光（DUV）微影设备而非极紫外光（EUV）设备，预计成本将增加50%。如果Jukanlosreve所言非虚，那么他的质疑也并不是没有道理。

据传，这一突破背后，是工程师们在没有 EUV 光刻机的情况下，他们选择了 DUV 设备，这是一种相对成熟且成本较低的光刻技术。但 DUV 设备的分辨率有限，难以直接满足先进制程的要求。为了解决这一问题，工程师们采用了四重图案化技术（SAQP）。这种技术的核心在于通过多次曝光和复杂的工艺步骤，逐步细化芯片上的线条和图案。

目前市面上并未看到实际使用中芯 5 纳米的产品，最新麒麟 X90 芯片是采用 7 纳米制程，在商用技术至少 70%良率的推测下，中芯 5 纳米很难达到该水平。

   但是，如果传言为真，这无疑对我国所有芯片相关厂商来说都是一次重大的利好。还有小道消息表示，华为即将推出的Mate 80系列将采用网传的国产5nm工艺制造的麒麟9030 SoC，就让我们拭目以待。

目前，全球都在关注我国的芯片业的技术能力，也有外媒传出大陆正在测试自行研发的 EUV 设备，预计今年第三季开始试产，实际应用状况受到市场高度关注，若效果不错，目前全球最大半导体制造设备厂商 ASML 将面临前所未有的挑战。

如果我国完成自行生产 EUV 设备，就代表我国半导体产业突破技术瓶颈，有机会持续推进先进制程技术，甚至挑战英特尔、三星或台积电。这就代表着，美国特朗普政府想要想要对我国进行“科技围堵”政策的彻底破产。