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RS瑞森半导体超高压MOSFET 900V-1500V填补国内市场空白

作者:时间:2022-11-21来源:RS瑞森半导体收藏

现阶段半导体市场,900V-1500V的超高压几乎被进口品牌垄断,并存在价格高、交付周期长等问题,为填补国内该项系列产品的市场空白,瑞森半导体采用新型的横向变掺杂技术,利用特殊的耐压环和晶胞设计,研发出电压更高、导通内阻更低的超高压系列MOS管,打破了进口品牌垄断的局面 。

本文引用地址:http://www.eepw.com.cn/article/202211/440644.htm


一、破局进口品牌垄断

现阶段半导体市场,900V-1500V的超高压几乎被进口品牌垄断,并存在价格高、交付周期长等问题,为填补国内该项系列产品的市场空白,瑞森半导体采用新型的横向变掺杂技术,利用特殊的耐压环和晶胞设计,研发出电压更高、导通内阻更低的超高压系列MOS管,打破了进口品牌垄断的局面 。


RS瑞森半导体超高压MOSFET 900V-1500V填补国内市场空白


二、产品应用及特点

超高压的器件主要应用场景为音响电源、变频器电源、逆变器、DC-DC转换、工业三相智能电表、LED照明驱动等辅助电源。


RS瑞森半导体超高压MOSFET 900V-1500V填补国内市场空白


产品特点:

1.新型的横向变掺杂技术、超高电压,超小内阻;

2.散热性能好,高温漏电小,高温电压跌落小;

3.开关速度较低,具有更好的EMI兼容性;

4.产品性能高,可实现国产替代进口。


三、产品型号匹配应用


瑞森半导体超高压-RS9N90F产品匹配:

可替代国外品牌多个产品型号,如:意法STF9NK90Z, ON安森美FQPF9N90C。

超高压MOSFET-RS9N90F漏源击穿电压高达900V,漏极电流最大值为9A,适用于LED照明驱动电源、变频器电源、音响电源等。


RS9N90F的开启延迟典型值为50nS,关断延迟时间典型值为86nS,上升时间65nS,下降时间34nS,反向传输电容4pF,反向恢复时间550nS,正向电压的最大值为1V。其导通阻抗典型值为1.2Ω,最大功耗为68W,最大结温为150℃。此产品的储存温度在-55℃到150℃,可适用于大部分环境。


瑞森半导体超高压MOSFET-RS3N150F产品匹配:

N沟道MOSFET--RS3N150F漏源击穿电压高达1500V,漏极电流最大值为3A,适用于逆变器、工业三相智能电表、DC-DC转换等,可以替代3N150等型号参数的场效应管。例如,在工业三相智能电表上主要运用AC 380V变频器反激式辅助电源其特点:

该MOS管VDS电压1500V,在550V电压上需留有1.5-2.5倍的余量,以2.5倍最高耐压余量计算就是需要耐压1375V,故需要应用到1500V耐压的MOS管,而RS3N150F耐压VDS电压为1500V满足应用需求;


其导通电阻为典型值5.5Ω,可降低导通损耗,降低输入电源功耗;续漏极电流在25℃时最大额定值为3A,一般辅助电源功率在10几V,电流余量可满足功率需求,同时最大结温为150℃,存储温度范围均为-55℃到150℃,符合工业级温度范围,可完全适用于工业市场。


四、典型应用拓扑图


RS瑞森半导体超高压MOSFET 900V-1500V填补国内市场空白


五、瑞森半导体产品推荐

RS3N150F的VDS电压是1500V,完全适合母线电压高达800V的使用场景,并留有足够的防击穿余量,同时瑞森半导体还推荐如下产品选型:


RS瑞森半导体超高压MOSFET 900V-1500V填补国内市场空白


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