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RS瑞森半导体超高压MOSFET 900V-1500V填补国内市场空白

  • 现阶段半导体市场,900V-1500V的超高压MOSFET几乎被进口品牌垄断,并存在价格高、交付周期长等问题,为填补国内该项系列产品的市场空白,瑞森半导体采用新型的横向变掺杂技术,利用特殊的耐压环和晶胞设计,研发出电压更高、导通内阻更低的超高压系列MOS管,打破了进口品牌垄断的局面 。一、破局进口品牌垄断现阶段半导体市场,900V-1500V的超高压MOSFET几乎被进口品牌垄断,并存在价格高、交付周期长等问题,为填补国内该项系列产品的市场空白,瑞森半导体采用新型的横向变掺杂技术,利用特殊的耐压环和晶胞设
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