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超高压MOS在变频器上的应用

  • 一、变频器的定义及应用领域 变频器的定义变频器是应用变频技术与微电子技术,通过改变电机工作电源频率方式来控制交流电动机的电力控制设备。变频器主要由整流(交流变直流)、滤波、逆变(直流变交流)、制动单元、驱动单元、检测单元、微处理单元等组成。变频器的应用领域钢铁、轧钢制线、电力、石油、造纸业等。变频器的作用1、调整电机的功率,实现电机的变速运行,达到省电的目的。2、降低电力线路中电压的波动,避免一旦电压发生异常而导致设备的跳闸或者出现异常运行的现象。3、减少对电网的冲击,从而有效地减少无功损耗,增
  • 关键字: RS瑞森半导体  MOS  变频器  

碳化硅MOS管在三相逆变器上的应用

  • 三相逆变器的定义是将直流电能转换为交流电能的转换器,其基本原理就是SPWM,硬件架构为四个功率模块组成单相、三相桥式电路,桥式输出至负载间串接低通滤波元件,控制回路具有两个信号产生源,一个是固定幅值的三角波(调制波)发生器,一个为正弦波发生器,利用三角波对正弦波进行调制,就会得到占空比按照正弦规律变化的方波脉冲列,调制比不同,一个正弦周期脉冲列数等于调制波频率除以基博频率)。再用方波脉冲列去控制上述桥式电路,在输出上就得到了符合要求的正弦电压电流了。一、前言 三相逆变是指转换出的交流电压为三相,
  • 关键字: RS瑞森半导体  碳化硅  MOS管  

超结MOS/低压MOS在微型逆变器上的应用

  • 微型逆变器,一般指的是光伏发电系统中的功率小于等于1000瓦、具组件级MPPT的逆变器,全称是微型光伏并网逆变器。“微型”是相对于传统的集中式逆变器而言的。传统的光伏逆变方式是将所有的光伏电池在阳光照射下生成的直流电全部串并联在一起,再通过一个逆变器将直流电逆变成交流电接入电网;微型逆变器则对每块组件进行逆变。一、前言 微型逆变器,一般指的是光伏发电系统中的功率小于等于1000瓦、具组件级MPPT的逆变器,全称是微型光伏并网逆变器。“微型”是相对于传统的集中式逆变器而言的。传统的光伏逆变方式是将
  • 关键字: RS瑞森半导体  微型逆变器  

RS瑞森半导体在PC电源上的应用

  • PC电源又称电脑电源,是电脑各部件供电的枢纽,是电脑的重要组成部分。主要作用是将220V交流电(全球不同国家电压不同,做到80V-264Vac全球通用)变换为+5VSB、+5V、+12V、-12V、+3.3V等稳定可靠的直流电源,供给主机箱内的系统板、各种适配器和扩展卡、 硬盘驱动器 、光盘驱动器等系统部件及键盘和鼠标使用,具有体积小,效率高等优点,同时兼有过流(OCP)、过压(OVP)、过温(OTP)保护。PC电源又称电脑电源,是电脑各部件供电的枢纽,是电脑的重要组成部分。主要作用是将220V交流电(全
  • 关键字: RS瑞森半导体  PC电源  

RS瑞森半导体碳化硅二极管在光伏逆变器的应用

  • 碳化硅 (SiC) 是一种由硅 (Si) 和碳 (C) 组成的半导体化合物,属于宽带隙 (WBG) 材料系列。它的物理结合力非常强,使半导体具有很高的机械、化学和热稳定性。宽带隙和高热稳定性允许 SiC器件在高于硅的结温下使用,甚至超过 200°C。碳化硅在功率应用中的主要优势是其低漂移区电阻,这是高压功率器件的关键因素。一、前言碳化硅 (SiC) 是一种由硅 (Si) 和碳 (C) 组成的半导体化合物,属于宽带隙 (WBG) 材料系列。它的物理结合力非常强,使半导体具有很高的机械、化学和热稳定性。宽带隙
  • 关键字: RS瑞森半导体,光伏逆变器  

RS瑞森半导体-大功率开关电源的应用

  • 大功率开关电源就是用通过电路控制开关管进行高速的导通与截止。将直流电转化为高频率的交流电提供给变压器进行变压,从而产生所需要的一组或多组电压。一、开关电源功率简介 大功率开关电源就是用通过电路控制开关管进行高速的导通与截止。将直流电转化为高频率的交流电提供给变压器进行变压,从而产生所需要的一组或多组电压。转化为高频交流电的原因是高频交流在变压器变压电路中的效率要比50Hz高很多。所以开关变压器可以做的很小,而且工作时不是很热,成本很低。如果不将50Hz变为高频开关电源就没有意义。二、开关电源工作
  • 关键字: RS瑞森半导体  开关电源  

RS瑞森半导体-PCB LAYOUT中ESD的对策与LLC方案关键物料选型分享

  • 运用LAYOUT技巧改善性能,可提升产品性价比,把握关键物料选型可降低产品故障率,缩短产品开发周期,加快产品上线。接上一篇:关于 LAYOUT通用原则在LLC系列方案中提升稳定性的应用做分享,本篇对LAYOUT中ESD的对策及瑞森LLC系列方案做设计时,关键物料选型事项继续做分享。一、PCB LAYOUT中ESD的对策 (一)PCB LAYOUT的关键中的重点:功率回路经过正确的路径回流。(二)在不同电位的两个铜箔之间,尤其是高压侧与低压侧的间距需要大于或等于P,如下公式:P 〉0.015*(V
  • 关键字: RS瑞森半导体  PCB  

RS瑞森半导体超高压MOSFET 900V-1500V填补国内市场空白

  • 现阶段半导体市场,900V-1500V的超高压MOSFET几乎被进口品牌垄断,并存在价格高、交付周期长等问题,为填补国内该项系列产品的市场空白,瑞森半导体采用新型的横向变掺杂技术,利用特殊的耐压环和晶胞设计,研发出电压更高、导通内阻更低的超高压系列MOS管,打破了进口品牌垄断的局面 。一、破局进口品牌垄断现阶段半导体市场,900V-1500V的超高压MOSFET几乎被进口品牌垄断,并存在价格高、交付周期长等问题,为填补国内该项系列产品的市场空白,瑞森半导体采用新型的横向变掺杂技术,利用特殊的耐压环和晶胞设
  • 关键字: RS瑞森半导体  MOSFET  
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