新闻中心

EEPW首页 > 电源与新能源 > 业界动态 > 士兰明镓SiC功率器件生产线初步通线,首个SiC器件芯片投片成功

士兰明镓SiC功率器件生产线初步通线,首个SiC器件芯片投片成功

作者:时间:2022-10-24来源:全球半导体观察收藏

10月24日,发布公告称,近期,生产线已实现初步通线,首个器件芯片已投片成功,首批投片产品各项参数指标达到设计要求,项目取得了阶段性进展。正在加快后续设备的安装、调试,目标是在今年年底形成月产2000片6英寸芯片的生产能力。

本文引用地址:http://www.eepw.com.cn/article/202210/439479.htm

表示,公司目前已完成第一代平面栅SiC-MOSFET技术的开发,性能指标达到业内同类器件结构的先进水平。公司已将SiC-MOSFET芯片封装到汽车主驱功率模块上,参数指标较好,继续完成评测,即将向客户送样。

据了解,2017年12月18日,与厦门半导体投资集团有限公司于在中国厦门共同签署了《关于化合物半导体项目之投资合作协议》。双方合作在厦门市海沧区建设一条4/6吋兼容的化合物半导体生产线,总投资50亿元,其中一期总投资20亿元,二期总投资30亿元。

根据《投资合作协议》,双方在厦门市海沧区共同投资设立了厦门化合物半导体有限公司(以下简称“士兰明镓”)。

截至2021年底,士兰明镓已完成第一期20亿元的投资,形成了每月7.2万片4英寸GaN和GaAS高端LED芯片的产能,其产品在小间距显示、miniLED显示屏、红外光耦、安防监控、车用LED等领域得到广泛应用。

士兰明镓已于2022年7月正式启动化合物半导体第二期建设项目,即“SiC生产线建设项目”。本项目计划投资15亿元,建设一条6吋SiC芯片生产线,最终形成年产14.4万片6吋SiC功率器件芯片的产能,其中SiC-MOSFET芯片12万片/年、SiC-SBD芯片2.4万片/年。




评论


相关推荐

技术专区

关闭