TI：运用GaN技术可提升数据中心的能源效率

德州仪器(TI)副总裁暨台湾、韩国与南亚总裁李原荣，26日于2022 COMPUTEX Taipei论坛中表示，TI将协助客户充分发挥氮化镓（GaN）技术的潜力，以实现更高的功率密度和效率。
李原荣今日以「数据中心正在扩建 – 以氮化镓技术实现更高效率」为题，分享设计工程师如何利用TI 氮化镓技术为数据中心达成体积更小、更高功率密度的解决方案。
李原荣表示，随着各产业领导者期盼透过数据中心实现技术创新，从而也提高了运算能力的需求，TI希望协助客户充分发挥氮化镓技术的潜力，以实现更高的功率密度和效率。
他也强调，一直以来，TI始终致力于支持台湾和全球客户在不同应用领域里迅速发展。
李原荣补充，TI 的自有产能和长期投资，能够快速扩展氮化镓等各项技术，以协助客户透过实现更小的系统来满足不断增长的市场需求，进而以更高的效率处理更多数据。
而面对扩建数据中心的有限空间和服务器持续运行所需的大量电力，企业必须不断提高数据中心的用电效率及功率密度。
TI的GaN FET如LMG3525R030整合快速切换驱动器，以及内部保护与温度感测功能，可在有限的电路板空间中具有更高效能表现，实现业界领先的功率密度（100W/in3）。而 TI 的C2000实时微控制器提供复杂并具时效性的处理能力、精确控制、软件和周边产品可扩充性等，透过支持不同电源设计与高切换频率的特性，能充分发挥GaN型电源解决方案潜能，从而最大限度地提高电源效率。