新闻中心

EEPW首页 > 网络与存储 > 业界动态 > 国产128层QLC闪存问世 武汉基地二期开工

国产128层QLC闪存问世 武汉基地二期开工

—— 国产128层QLC闪存已问世 武汉国家存储器基地项目二期开工
作者:时间:2020-06-21来源:快科技收藏

4年前的2016年,国家在武汉建设了国家存储器基地项目一期,不仅量产了64层,今年初还研发成功。昨天国家存储器基地项目二期也在武汉东湖高新区未来科技城正式启动,整个项目投资高达240亿美元,约合1697亿元。

本文引用地址:http://www.eepw.com.cn/article/202006/414491.htm

在开工仪式上,紫光集团、长江存储董事长赵伟国介绍了项目有关情况。他表示,国家存储器基地项目一期开工建设以来,从一片荒芜之地变成了一座世界领先的存储器芯片工厂,实现了技术水平从跟跑到并跑的跨越。

赵伟国表示,国家存储器基地项目于2016年12月30日开工,计划分两期建设3D NAND芯片工厂,总投资240亿美元。其中一期主要实现技术突破,并建成10万片/月产能,二期规划产能20万片/月,两期项目达产后月产能共计30万片。

今年4月13日,长江存储重磅宣布,其 3D闪存(X2-6070)研制成功,并已在多家主控厂商SSD等终端产品上通过验证。

按照长存的说法,这款产品的独特之处在于,它是业内首款规格3D NAND,且拥有已知型号产品中最高单位面积存储密度,最高I/O传输速度和最高单颗NAND闪存芯片容量。

目前长江存储正在不断提升产能,今年底的目标将达到10万片晶圆/月的产能,这也是整个国家存储器基地一期工程的目标。

国产128层QLC闪存已问世 武汉国家存储器基地项目二期开工





关键词: 国产 128层 QLC 闪存

评论


相关推荐

技术专区

关闭