“新基建”或将成为疫后重建最大动力，半导体产业迎来新机遇（下）

如果我们把前互联网时代称之为互联网时代的话，那么当前则从以软件服务为核心的互联网时代向以硬件服务为核心的工业互联网、物联网时代转变。特别是在疫情期间14亿人宅在家的流量井喷让我们所有人都意识到了通信网络、数据中心的重要意义。

在当前的节点之上，几乎上至国家，下至企业，所有人都认识到了硬科技生态体系对于中国经济的重要意义，这也是为什么国家提出了新基建，而资本市场也把所有的目光都聚焦到了新基建上面的根本原因。

从中长期看， 中国企业上“云”、数字化的趋势不可逆转，经过此次疫情，预计进度还将加快，数字经济的趋势已经势不可挡，在这个时候其实对于数字经济的基础设施要求反而更高。

截至3月1日，包括北京、上海、江苏、福建、河南、重庆等在内的 13 个省市区发布了 2020 年重点项目投资计划清单，包括 10326 个项目，其中 8 个省份公布了计划总投资额，共计 33.83 万亿元。如此高的新基建投入，让所有人不得不相信，这个大风口正在全面到来。

5G、大数据中心、人工智能、工业互联网等多个领域加速崛起，为半导体行业带来了新的增长动力。

“新基建”助力第三代半导体发展

以碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）为代表的第三代半导体材料，具有禁带宽、击穿电场强度高、饱和电子迁移率高、热导率大、介电常数小、抗辐射能力强等优点。以第三代半导体材料为基础制备的电子器件是支撑“新基建”5G基建、特高压、城际高速铁路和城际轨道交通、新能源汽车充电桩等领域的关键核心器件。

随着“新基建”政策的进一步推进，以碳化硅和氮化镓为核心的第三代半导体必然会是受益者。贯穿于“新基建”中的第三代半导体产品包括：

▶以碳化硅以及IGBT为核心的功率半导体：主要支撑了新能源汽车、充电桩、基站/数据中心电源、特高压以及轨道交通系统；SiC基SBD、MOSFET及GaN基HEMT功率器件是特高压输电、轨道交通和新能源汽车的核心器件。

▶以氮化镓为核心的射频半导体：主要支撑的是5G基站以及工业互联网系统建设；GaN基射频器件是5G基站核心器件之一， GaN基LED可见光通信是5G 通信的重要组成部分，5G基建将直接促进Mini/Micro-LED 4K/8K高清显示及VR/AR等数据高容量存储、大流量传输和快速度响应有强烈需求的相关产业的发展。

▶以AI芯片为核心的SOC芯片、人工智能芯片：主要支撑的是数据中心、人工智能系统建设；在人工智能、工业互联网应用中，基于第三代半导体的传感器产品在市场上还相对较少，这些产品目前仍处于实验室研发阶段。

目前碳化硅和氮化镓发展的比较成熟，所以，其生产成本也在不断的降低，此后，它将会凭借着自身出色的性能突破硅基材料的瓶颈，从而有望引领新一轮的产业革命。而凭借着“新基建”政策，我国第三代半导体技术发展也将得到保证，这样在全球化市场上，也会有一席之地。

另外，以上是从“新基建”的角度说宽禁带/第三代半导体，实际上宽禁带/第三代半导体的核心应用还有在光电领域，比如2014年获得诺贝尔奖的中村修二就是做氮化镓蓝光器件。

产业界的布局实际上比较早，比如以下几个厂商：

▶小米是全球氮化镓功率器件领导生产商Navitas的股东，拆解小米氮化镓充电器，其中NV6115_NV6117器件应用其中。

▶华为参股了山东天岳，天岳作为中国为数不多的碳化硅衬底企业，碳化硅对于功率和射频的重要意义不言而喻。

▶2016年，大陆收购AIXTRON被否，然后中微半导体热炒的原因，都是与第三代半导体有关。

▶疫情以来，紫外LED消毒技术也将氮化镓推上一个风口，可以看看中科院半导体所在山西的公司布局。

面上是大家看到的，面下是以碳化硅与氮化镓为核心的第三代半导体的暗潮汹涌。在这一轮“新基建”的催化下，资本的嗅觉已经开始发动。

“新基建”释放新动能 国产芯片趁势崛起

2020年，国产替代还将会是国内半导体产业发展的主线，在国家政策的扶持下，国产存储产业正在加速突围，积极打造完整的芯片代工、封装、测试以及配套设备和材料等产业链的协同发展格局，实现关键装备、材料的全面国产化。

与此同时，“新基建”的航行恰逢国产替代正成为国内半导体业发展的主线，两者交汇将会释放新动能。在“新基建”动能的释放下，芯片产业将迎发展“春天”，有望引导我国半导体产业进入新一轮发展周期。

新基建大量新增的需求，诸多重点建设项目将寻求经济转型、数字化转型、节能环保转型，进行颠覆式行业创新。这会为国内半导体业发展带来新的机遇，特别是在国产替代方面也留足了充分的发展空间。同时，通过参与新基建建设，国内厂商也得以掌握核心技术，进入供应链的核心环节，加速实现国产化替代。

目前，我国已有四条4/6英寸SiC生产/中试线和三条GaN生产/中试线相继投入使用，并在建多个与第三代半导体相关的研发中试平台。国产化的单晶衬底、外延片所占市场份额不断扩大，国产化的SiC二极管和MOSFET开始进入市场。

不过，在头部厂商取得成绩的背后，我国整体实力和产业化能力的提升，还有待进一步加强。国内半导体厂商在处理器、传感器、微控制器、通信芯片和功率半导体等核心器件方面仍主要集中在中低端市场，模拟芯片方面几乎被国际巨头垄断，这是既须正视的现实，也是努力的方向。

除了海思、紫光展锐、中星微这些资深玩家，造芯新势力也在迅速崛起，甚至不乏阿里、百度、格力、比亚迪这样的跨界选手。相信随着国内互联网巨头进军芯片产业，国产自研芯片热潮已经到来，中国芯正在崛起。

综合来看，摆脱国外依赖，掌握核心技术已经成为共识，国产芯片的加速发展，使我国逐渐掌握半导体领域的核心话语权，然而在中高端领域的发力，才是国内半导体产业发展的重要角力点，让我们拭目以待。

“新基建”中半导体产业发展需要注意的问题

新基建领域涉及的半导体领域众多，反映国家对半导体业的重视，从立意上一定要攻克难关，但目前困难仍然重重，主要是缺领军人才和先进制程技术，包括前后道、设计及设备与材料，以及外部的一些阻力等。

目前，最大的问题在于如何推进市场化，这样才能避免出现许多地方政府雷同的项目上马，缺乏可行性分析，导致同质化厉害，力量难以集中。如果能集中力量办大事，将会取得更为扎实的进步。

半导体业已经是一个成熟行业，属于高资本长周期，并要不断地迭代，其实是很辛苦的行业。刺激性的政策最大的问题就是它会促进需求形成一个波峰，但在波峰之后就会迎来一个波谷，导致产能过剩，心态能否及时调整、风险能否担当都要加以考量。

虽然新基建的更新换代将拉动半导体产业的发展，但理想与现实总有“差距”：国内具备创新性并实现盈利的IC设计公司仍然较少，晶圆制造和封测产能仍有较大的缺口，特别是在先进工艺、先进材料和关键产能等方面还较多依赖于国外。

在国产替代和新基建的背景下，还应着力寻求技术突破、产能扩充和加强人才培养。同时，防止结构性产能过剩也要注重产品类型的全面布局和长期发展，避免扎堆于单一的短平快的中低端产品及市场，造成恶性竞争。

政府政策的驱动难以是普惠型的，国家对新基建项目虽然都会加大投入力度，但如何投入还没有细化。以往的基建基本上都以国有企业为主导，效果也是立竿见影的。但新基建等行业上游涉及大量的民营企业，如何衔接还存在诸多障碍。只有充分发挥“新基建”对七大领域的政策落实，才能让半导体产业真正的站在风口上，最后的结果才能事半功倍。