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DDR5内存芯片:美光在2019新策略

作者:时间:2018-10-30来源:网络收藏

  随着科技的发展,DIY行业又一次迎来了春天,各类产品层出不穷,而成为内存的老牌厂商,为无数玩家提供纵横游戏的尖端装备,近日,内部有消息称,已经开始研发16Gb容量的产品,并计划在2019年底量产。

本文引用地址:http://www.eepw.com.cn/article/201810/393566.htm



  作为DDR4内存的继任者,内存在性能上自然要高出DDR4一大截。近日,正式公布了内存的详细规格。

  从美光公布的文件来看,DDR5内存将从8GB容量起步,最高可达单条32GB,I/O带宽能达到3.2-6.4Gbps,同时电压1.1V,内存带宽将为DDR4内存的两倍。

  DDR5 SDRAM的主要特性是芯片容量,而不仅仅是更高的性能和更低的功耗。DDR5预计将带来4266至6400 MT / s的I / O速度,电源电压降至1.1 V,允许的波动范围为3%(即±0.033V)。每个模块使用两个独立的32/40位通道(不使用/或使用ECC)。此外,DDR5将具有改进的命令总线效率(因为通道将具有其自己的7位地址(添加)/命令(Cmd)总线),更好的刷新方案以及增加的存储体组以获得额外的性能。

  事实上,Cadence甚至表示,与DDR4相比,改进的DDR5功能将使实际带宽提高36%,即使在3200 MT / s(此声明必须进行测试)和4800 MT / s速度开始,与DDR4-3200相比,实际带宽将高出87%。与此同时,DDR5最重要的特性之一将是超过16 Gb的单片芯片密度。

  此外,美光还表示他们将在2018年成功流片DDR5内存样品,并将在2019年实现正式量产。

  在日前美光公布的2018财年第四季度和全年财报中可以看出截止美光第四财季收入84.40亿美元(均按GAAP),同比增长37.5%,毛利率61.0%,同比提高10.3个百分点,净利润43.25亿美元,同比增长82.6%。

  整个2018财年美光的财务报表更是异常抢眼:收入303.91亿美元,同比增长49.5%,毛利率58.9%,同比提高17.4个百分点,净利润141.35亿美元,同比大涨178%!

  DRAM内存贡献了美光总收入的超过70%,是绝对的主力,而且同比增长了47%,毛利率更是高达恐怖的71%,而且均价还在稳定或微涨。NAND闪存收入占比也超过25%,增长21%,毛利率也有48%。

  美光CEO Sanjay Mehrotra更是表示,在创纪录业绩的支撑下,美光已经成为仅次于Intel的美国第二大半导体企业。

  作为半导体行业三大支柱的存储器产业,竞争的重点集中在制造工艺和产能,从而为有效降低成本,最终赢得市场提供保证,生产制造能力是存储器厂商的核心竞争力。

  对于美光科技这家内存和储存巨擘来说,现在正值充满挑战的时期,因为他们已在储存领域落后于三星(Samsung)、海力士(SK Hynix)和东芝(Toshiba)等竞争对手。其混合内存立方体(Hybrid Memory Cube;HMC)和Automata处理器等突破性产品,未能取得明显的成长动能,再加上与英特尔(Intel)共同设计的3DXPoint内存延迟,而使得美光的收益被推迟至2020年。

  美光科技的高层认为,深度学习的崛起将有助于推动对于内存和储存的需求。这笔1亿美元的创投基金将有助于美光科技利用AI趋势扩展该公司涉及的DRAM、NAND和NOR Flash内存等应用领域,其目标在于藉由投资于AI的硬件、软件和服务,从而推动该公司的成长,特别是在该公司看好的自动驾驶、AR/VR以及工厂自动化等技术领域。



关键词: DDR5 美光

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