半导体三强高端制程对决 FD-SOI契机乍现

　　自从英特尔(Intel)宣示将全力进军晶圆代工领域，成为台积电的头号劲敌，原本声势减弱的GlobalFoundries(GF)，近期却靠着在大陆市场另辟FD-SOI战场，再度吸引业界目光，随着三星电子(Samsung Electronics)跟进加入FD-SOI战局，上海华力微亦评估导入，使得定位在22纳米FD-SOI制程的GlobalFoundries颇有杀出重围的气势。

　　GlobalFoundries在14纳米FinFET制程一度放弃自行开发，选择与三星授权合作，然未做出太大的成绩，在市场沉寂一阵子之后，GlobalFoundries宣布另辟FD-SOI技术战局，并表示在高端制程技术虽不会参与10纳米制程竞赛，但会自行研发7纳米技术，不会缺席半导体主流技术发展。

　　半导体业者认为，GlobalFoundries在22纳米FD-SOI技术定位不错，22纳米可望是一个分水岭，对于高效能手机芯片客户将会往12/14/16纳米FinFET制程，或是10/7纳米更先进技术移动，但这个领域恐只有苹果(Apple)、高通(Qualcomm)、联发科、海思、NVIDIA等一线客户玩得起。

　　对于多数无法负担高端制程昂贵成本的IC设计客户而言，28纳米制程下一步多半会选择22纳米，因此，GlobalFoundries、英特尔、台积电均投入22纳米制程，联电亦在评估中，22纳米世代虽不如10纳米先进高端，但已成为半导体产业一股不容忽视的力量。

　　相较之下，英特尔22纳米FinFET制程昂贵，台积电22纳米仍是高功耗的平面式(Planar CMOS)制程，由于GlobalFoundries的22纳米FD-SOI制程拥有低成本、低功耗、低漏电的优势，虽然是锁定中、低端市场，但有机会在英特尔和台积电鹬蚌相争的局面下，杀出一条不同的道路。

　　事实上，台积电22纳米是28纳米微缩版本，业界认为其漏电问题可能会比28纳米严重，虽可透过制程调整来放慢速度，解决漏电的缺点，但亦会影响到22纳米的性能。就手机芯片最在意的漏电问题来看，FD-SOI和FinFET制程的漏电都比较低，在同样的22纳米制程上，平面式制程相对吃亏。

　　半导体业者指出，若以性能来看，FinFET制程性能最佳，其次是平面式制程，最后才是FD-SOI制程，因此，FD-SOI较适合用在中、低端产品，以及物联网等应用上，对于包括手机AP、固态硬碟(SSD)、人工智能(AI)、机器学习等高端应用，必须要往更高端10、7纳米制程走下去。

　　GlobalFoundries的22纳米制程世代主要锁定一些物联网应用，该领域不需要昂贵的FinFET制程，采用22纳米制程生产相当适合，因为FinFET制程走到10、7纳米以下，能负担昂贵成本的客户越来越少，原本不被看好的FD-SOI领域，开始吸引一些大陆本土晶圆代工厂评估投入。

　　由于大陆物联网市场够大，该技术很适合中、小规模的IC设计公司导入，在主流领域没有被选上的FD-SOI领域，在大陆物联网崛起浪潮中，找到另一个适合发展的空间。至于台积电、英特尔对决的战场，仍是高端的FinFET领域，还有三星近期决议分割晶圆代工部门，在7纳米制程以下明显是半导体三强对决局面。

　　业界对于半导体7纳米制程以下究竟会有多少客户负担得起，抱持高度疑问，这也是为什么苹果处理器订单让台积电、三星抢得面红耳赤，未来英特尔极有可能加入战局，若少了苹果订单，半导体大厂恐怕有不少产能要闲置。

　　尽管半导体大厂往下投资高端制程，要烦恼庞大的投资是否能回收，但不做等于是将市场拱手让给竞争对手，使得半导体大厂被迫硬着头皮做下去。不过，台积电、三星、英特尔等半导体大厂每年动辄百亿美元的资本战，并非每家厂商都玩的起，未来应会有更多半导体厂投身FD-SOI阵营。