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力晶:大陆DRAM做不起来 5G时代存储器会长缺

作者:时间:2017-04-23来源:DIGITIMES 收藏

  力晶创办人暨执行长黄崇仁表示,大陆扶植半导体以为撒钱就可以,但未来用补助研发费用来扶植新厂的策略很难再延续,必须要有技术在手才行,但现在美系存储器大厂美光(Micron)已经盯上大陆3家存储器,包括紫光长江存储、合肥长鑫和联电的福建晋华,预计进入大陆产业的脚步会放缓,配合韩国2018年冬季奥运率先展示技术,未来是长期缺货的走势!

本文引用地址:http://www.eepw.com.cn/article/201704/358312.htm

  黄崇仁进一步表示,全球产业已经5年没有新厂加入,三星电子(Samsung Electronics)盖厂也是针对10纳米晶圆代工和NAND Flash产品线,DRAM产业已经无战争,真正的战场在晶圆代工产业。

  他进一步指出,DRAM制程技术发展到20纳米世代以下,会整个慢下来,过去透过技术制程微缩带来的成本下降效应已经到达瓶颈,要增加供给只能再盖新厂,但重新计算新机台设备的折旧,只是会让生产成本垫高,所以未来DRAM产业注定是供需吃紧。

  再者,虽然个人电脑(PC)对于存储器的用量越来越少,但服务器到未来时代,会吃掉很大量的存储器,2018年韩国办冬季奥运会率先展示技术,会将大量影片秒速上传,背后需要庞大的存储器容量做支援,预计,未来5G时代来临,全球存储器会面临面临长期性的大缺货。

  力晶同时也宣布和利基型存储器(SDRAM)IC设计公司将合作技术开发,看好爱普团队是英特尔(Intel)出身,力晶会支付设计费用和IP授权费给爱普。

  谈到力晶自己的营运状况,黄崇仁自信满满地表示,2016年EPS达到2.97元,董事会已经通过配股息1元,预计2017年获利可再攻100亿元,达到5年获利500亿元的目标,重新挂牌上市不会等太久!

  他也重申,力晶现在是晶圆代工厂,承袭日本技术是采用铝制程,12吋厂可以自由转换逻辑和存储器生产线,可以随着景气波动而弹性变换产品线。

  力晶目前12吋晶圆厂的产能全满,2017年考虑再增加几千片产能,制程技术会从30纳米转25纳米或20纳米制程。力晶现在有P1+P2厂房和P3厂,其中,P1+P2厂以晶圆代工为主,单月产能6~7万片,存储器代工占50%,其他代工产品有LCD Driver IC、电源管理芯片(PMIC)、感测器(Sensor)等。

  再者,力晶P3厂单月产能快3万片,是帮存储器模组大厂金士顿(Kingston)做DRAM代工,机台设备归属金士顿,以3x纳米制程技术生产,预计2017年技术将转进2x纳米制程世代。

  黄崇仁认为,放眼台湾、大陆、日本、韩国、新加坡、美国这6个地方,台湾的生产成本仍是最有竞争力的,以自己在大陆合肥盖面板驱动芯片LCD Driver IC的12吋晶圆厂晶合的经验,台湾的生产效率和成本仍是较高。



关键词: DRAM 5G

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