三星 3D NAND 快闪存储器新厂上半年投产

　　三星电子周二宣布，位在首尔南方的新芯片厂施工进度顺利，将如期于 2017 上半年投产。

　　三星新芯片厂于 2015 年动土，共投入 15.6 万亿韩元(约 144 亿美元)建厂，为三星史上最大单一产线投资项目。据三星表示，新厂第一阶段施工目前已完成九成。

　　新芯片厂主要用于生产高容量 3D 立体 NAND 快闪存储器。快闪存储器可取代传统硬盘，并广泛应用于数码相机、智能手机与其他 USB 界面储存设备。

　　市调机构 DRAMeXchange 日前指出，三星稳坐去年第四季 NAND 快闪存储器龙头，受惠于供给吃紧、平均报价(ASP)飙升，三星 NAND 快闪存储器当季报价增加 5%、单位出货量季增 11-15%，推升营收成长近两成(19.5%)，市占率来到 37.1%。

　　东芝同期间 NAND 存储器市占率达 18.3%，暂居第二。Western Digital 紧追在后，仅差东芝 0.6 个百分点。