· 继HBM3，其扩展版HBM3E也率先进入量产阶段· 研发完成后仅隔7个月开始向客户供货，期待能实现最高性能的AI· “将维持用于AI的存储技术全球领先地位，并巩固业务竞争力”2024年3月19日，SK海力士今日宣布，公司率先成功量产超高性能用于AI的存储器新产品HBM3E*，将在3月末开始向客户供货。这是公司去年8月宣布开发完成HBM3E后，仅隔7个月取得的成果。SK海力士表示，“继HBM3，公司实现了全球首次向客户供应现有DRAM最高性能的HBM3E。将通过成功HBM3
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2月1日消息，存储一哥三星2023年的日子不太好过，全年利润暴跌84.9%，确实没办法，不过他们保持乐观态度。2023年IT市场整体低迷，尤其是存储芯片价格暴跌的背景下，三星全年营收为258.94万亿韩元，同比减少14.3%；营业利润为6.57万亿韩元，同比下滑84.9%。按照三星的说法，2024年上半年业绩会回暖，其中以存储产品价格回暖最为明显，相关SSD等产品涨价不会停止，只会更猛烈。NAND芯片价格止跌回升后，目前报价仍与三星、铠侠、SK海力士、美光等供应商达到损益两平点有一段差距。国内重量级NAN
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疫情后数字时代的复苏，使得世界数字经济快速发展、数据产业百业待兴，因此数据存储市场也逐渐迎来活力；存储市场经历了价格战，减产维稳到“硬涨价”，每一步都让我们看到了日益激烈的竞争势态。当然，在面对挑战和威胁的时候，也激励着存储技术持续突破。与此同时，环境的不确定性骤增，人工智能、闪存等技术的快速发展，也让市场竞争格局分化，各细分领域争夺激烈。存储器是集成电路的重要组成部分，根据WSTS统计，2022年全球半导体市场规模达到5741亿美金，其中集成电路市场规模4744亿美金，占比 82.6%，存储器的市场规模
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在2024年即将到来之际，多家机构给出预测，认定生成式AI将成为2024年的增长重点之一。回顾2023年，年初的ChatGPT引爆了今年的生成式AI热潮，不仅仅是下游市场的AI应用，这股大火一直烧到了上游芯片领域，根据权威机构预测，2023年和2024年，AI服务器将有38%左右的增长空间。随着GPU等AI芯片走向高峰的同时，也极大带动了市场对新一代内存芯片HBM（高带宽内存）的需求。 HBM是何方神圣？ 首先，我们先来了解一下什么是HBM。HBM全称为High Bandwich Me
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11 月 28 日消息，上周就有研究机构的数据显示，在人工智能聊天机器人 ChatGPT 大火带动的人工智能领域应用需求增加的推动下，SK 海力士三季度在全球 DRAM 市场的份额达到了 35%，是他们自成立以来市场份额最高的一个季度。而从最新报告来看，DRAM 市场份额在三季度创下新高的 SK 海力士，也缩小了同竞争对手三星电子在这一产品领域的市场份额差距。研究机构的报告显示，SK 海力士 DRAM 产品在三季度的销售额为 46.3 亿美元，环比增长 34.59%；三星电子 DRAM 三季度的销售额则是
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11 月 30 日消息，据外媒报道，从去年下半年开始，受消费电子产品需求下滑影响，全球存储芯片的需求也明显下滑，三星电子、SK 海力士等主要厂商都受到了影响。但在削减产量、人工智能领域相关需求增加的推动下，DRAM 这一类存储产品的价格已在回升，销售额环比也在增加。研究机构最新的数据就显示，在今年三季度，全球 DRAM 的销售额达到了 132.4 亿美元，环比增长 19.2%，在一季度的 93.7 亿美元之后，已连续两个季度环比增长。全球 DRAM 的销售额在三季度明显增长，也就意味着主要厂商的销售额，环
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三星（Samsung）、海力士（SK Hynix）近期接续举行法说，释出对存储器产业看法，两大厂商均表示，PC、手机终端库存去化已告一段落、传统服务器需求依然疲弱，而AI服务器需求则较为强劲。业界人士认为，存储器原厂减产以求获利的决心不容小觑，在获利数字翻正前，应会持续减产策略，预期2024年上半年内存报价向上趋势不变。台系存储器相关厂商包括南亚科、华邦电、群联、威刚、创见、十铨、宇瞻等有望受惠。时序进入第四季，三星认为，市场复苏将加速，在旺季带动之下，市场DRAM、NAND Flash位出货量，可望分别
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半导体产业作为现代科技的重要支撑，对经济发展和社会进步起着关键性的作用。半导体在计算机、通信、消费电子、汽车、工业控制、医疗设备等各个领域广泛应用，扮演着连接现实世界与数字世界的桥梁。然而，半导体产业正面临着严峻的挑战。1、技术研发半导体技术日新月异，要保持竞争力必须不断进行技术研发和创新。新兴技术的涌现不仅促使企业进行升级换代，同时也带来了更多的市场机会。然而，技术研发需要投入大量的资金和人力资源，对于规模较小的企业来说具有较大的挑战。 2、产品质量半
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韩媒报道，美国将无限期延长对三星电子和 SK 海力士在中国业务的豁免。
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IT之家 9 月 12 日消息，根据韩国 The Elec 报道，三星电子和 SK 海力士两家公司加速推进 12 层 HBM 内存量产。生成式 AI 的爆火带动英伟达加速卡的需求之外，也带动了对高容量存储器（HBM）的需求。HBM 堆叠的层数越多，处理数据的能力就越强，目前主流 HBM 堆叠 8 层，而下一代 12 层也即将开始量产。报道称 HBM 堆叠目前主要使用正使用热压粘合（TCB）和批量回流焊（MR）工艺，而最新消息称三星和 SK 海力士正在推进名为混合键合（Hybrid Bonding
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由于各大企业对布局AI领域的兴趣激增，同时，SK海力士在用于生成式AI领域的高带宽存储器（HBM）DRAM方面处于市场领先地位，其二季度用于AI领域的高性能DRAM销售增长强劲，对高端DRAM的需求增长了一倍多。继英伟达之后，全球多个科技巨头都在竞购SK海力士的第五代高带宽内存HBM3，包括AMD、微软和亚马逊等等。
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6 月 18 日消息，据 businesskorea 以及 etnews 报道，SK 海力士将扩展其 HBM3 后道工艺生产线，并已收到英伟达要求其送测 HBM3E 样品的请求据称，考虑到对人工智能 (AI) 半导体的需求增加，S 海力士正在考虑将 HBM 的产能翻倍的计划。业内消息称 SK 海力士于 6 月 14 日收到了 NVIDIA 对 HBM3E 样品的请求，并正在准备发货。HBM3E 是当前可用的最高规格 DRAM HBM3 的下一代，被誉为是第五代半导体产品。SK 海力士目前正致力于开发该产品
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IT之家5 月 30 日消息，海力士宣布已经完成了 1bnm 的开发，这是 10 纳米工艺技术的第五代，并对针对英特尔至强处理器的 DDR5 产品的内存程序进行验证。海力士的 DRAM 开发主管 Jonghwan Kim 说，1bnm 将在 2024 年上半年被 LPDDR5T 和 HBM3E 等产品所采用。英特尔内存和 IO 技术副总裁 Dimitrios Ziakas 表示：英特尔一直在与内存行业合作，以确保 DDR5 内存在英特尔至强可扩展平台上的兼容性；海力士 1bnm 是其中第一个针对
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海力士介绍
海力士半导体公司（Hynix，谚文：???? ???，KSE：000660 ）是一家韩国的电子公司，全球二十大半导体销量巨头之一。海力士于1983年以现代电子产业有限公司的名字创立。在80及90年代 他们专注于销售DRAM，后来是SDRAM。2001年他们以6亿5000万美元的价格出售TFT LCD业务，同年他们开发出世界第一颗128MB图形DDR SDRAM。
价格操控与处份
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