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瑞萨和台积电合作开发自动驾驶汽车用MCU

作者: 时间:2016-09-05 来源:技术在线 收藏

  电子和(TSMC)于2016年9月1日宣布,将以新一代环保汽车及自动驾驶汽车为对象,合作开发采用28nm工艺的MCU。该28nm车载用MCU计划2017年开始样品供货,2020年开始由实施量产。

本文引用地址:http://www.eepw.com.cn/article/201609/296470.htm

  在90nm以后工艺方面,两公司在委托制造以及内置闪存的MCU的开发方面建立了紧密的合作关系。从4年前开始在40nm工艺的MCU平台方面开展共同开发及委托制造的合作(本站报道),此次双方将把合作范围扩大至28nm工艺MCU的共同开发。

  在此次合作中,双方将把的MONOS(Metal-Oxide-Nitride-Oxide-Silicon)构造的混载闪存技术与的28nm High-K金属栅极技术相融合,开发全球首例28nm MCU。该MCU适用于广泛的车载应用程序,可覆盖以自动驾驶为对象的传感器控制、整合化的ECU、以新一代环保车为对象的高环保性低燃耗发动机,以及用于电动汽车的高效率电机逆变器等领域。

  该28nm MCU与现行的40nm MCU相比,可实现最大约4倍以上的程序存储容量和4倍以上的高性能,能够满足新一代车载应用方面的多种要求。比如,通过配备大容量闪存,不仅可极为细致地符合各国的环保规定及性能指标要求,而且还可支持以无线方式向安全性更高的控制程序实施更新的技术(Over The Air: OTA)。



关键词: 瑞萨 台积电

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