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机器学习或能为延长NAND寿命提供解决方案

作者:时间:2016-08-31来源:Digitimes 收藏

  在今日储存市场中占有一席之地,而为了延长的使用寿命,近来有研究提出,透过机器学习(Machine Learning)的应用,可让的储存容量、耐久性以及资料保存达到最佳化。

本文引用地址:http://www.eepw.com.cn/article/201608/296270.htm

  InformationWeek网站报导,近期数位资料储存顾问机构Coughlin Associates于快闪存储器高峰会(Flash Memory Summit)揭露了一篇论文指出,NAND因重覆读写而使储存单元劣化、致使耐用度降低的情况,将可望因机器学习的应用而改善,使其生命周期延长。

  一般来说,Flash存储器的组成包括了浮闸(Floating Gate)及绝缘层等构造,运作时透过施加高电压电流以推动电荷、使其突破绝缘层进入浮闸,并在绝缘层的阻隔下,于断电后仍可将电荷保留在浮闸中不会消失,因而得以将资料储存下来。

  而当要清除电荷时,则施以反向高电压以吸引电荷离开浮闸,如此便可清除资料。在这样的过程中,绝缘层的效能会逐渐衰退,使得要将电荷保留在浮闸上变得日益困难。

  在储存单元老化后,所需的电压会更高,但这样一来绝缘层的损耗会更快,一旦电荷开始渗漏,就会使浮闸的电压改变,并产生位元错误。

  报导认为,一旦了解电荷的渗漏率,便能预测出储存单元里的资料还能完整保存多久,若储存单元使用频率越高,也可预期装置的使用年限将会缩短。随着存储器芯片设计越来越复杂、堆叠层数越来越多,NAND运作时受到各种内外在因素影响的程度也跟着加遽。

  想透过手动的方式对暂存器或电压等因子进行调配以改善,几乎是不可能,故提出以机器学习方式来了解固态硬碟()的运作模式,并进行必要之调配,以延长使用周期。

  透过机器学习的应用,可得知存储器芯片的特征以及资料储存的模式,并进一步为芯片的运作、及应如何修正运作以延长使用寿命,建立出一套最佳模型。

  这种利用机器学习来延长高容量系统使用寿命的应用已然是一新兴领域,早早就投入此领域开发、并已推出相关产品的爱尔兰新创公司NVMdurance亦赞助了论文研究。

  在NVMdurance版本的机器学习中,是由名为Plotter的机器学习引擎,利用测试资料来调谐运行中之装置的暂存器来进行。

  NVMdurance的技术主要是让装置最初开始使用时,就能在自动化引擎的辅助下,尽可能将电压控制在最低,以降低对储存单元的损耗,并监控储存单元电荷渗漏的情况,此外,亦能为NAND储存装置是否应汰旧换新提供相关预测。

  过去NVMdurance的最佳化技术原是以手动执行,然此类做法已不适用于今日复杂度极高的NAND存储器上,此次与Coughlin Associates的合作研究,将可望让NVMdurance的产品更上层楼,提升其在该领域之竞争力。



关键词: NAND SSD

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