ARM与台积电宣布7nm FinFET制程合作协议

　　ARM与台积公司(TSMC)共同宣布一项为期多年的协议，针对7奈米FinFET制程技术进行合作，包括支援未来低功耗、高效能运算系统单晶片(SoC)的设计解决方案。这项新协议将扩大双方长期的合作夥伴关系，推动先进制程技术向前迈进，超越行动产品的应用并进入下一世代网路与资料中心的领域。此外，这项协议并延续先前采用ARM Artisan基础实体IP之16奈米与10奈米FinFET的合作。

　　ARM执行副总裁暨产品事业群总经理Pete Hutton表示：“既有以ARM为基础的平台已展现提升高达10倍运算密度的能力，支援特定资料中心的工作负载，未来ARM特别为资料中心与网路架构量身设计，并针对台积公司7奈米FinFET进行最佳化的技术，将协助双方客户在各种不同效能产品上皆能使用业界最低功耗的架构。”

　　台积公司研究发展副总经理侯永清表示：“台积公司持续投入先进制程技术的研发以支援客户事业的成功，藉由7奈米FinFET制程，我们的制程与设计生态环境解决方案已经从行动扩大到高效能运算的应用。客户设计的下一世代高效能运算系统单晶片将受惠于台积公司领先业界的7奈米FinFET制程。相较于10奈米FinFET制程，7奈米FinFET制程将在相同功耗下提供更多的效能优势，或在相同效能下提供更低的功耗。ARM与台积公司共同最佳化的解决方案将能够协助客户推出具有颠覆性创新且市场首创的产品。”

　　此项最新协议奠基于ARM与台积公司先前在16奈米FinFET与10奈米FinFET制程技术成功的合作基础之上。台积公司与ARM长期保持合作，共同创新，提供先进的制程与矽智财来协助客户加速产品开发周期。近期成果包括客户及早使用Artisan实体IP及采用16奈米FinFET与10奈米FinFET制程完成的ARM Cortex-A72处理器设计定案。