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波导SOl化学气相沉积工艺特点

作者:时间:2012-08-30来源:网络收藏

对于来说,CVD技术一般用来淀积其上包层,通常为二氧化硅或氮化硅。

本文引用地址:http://www.eepw.com.cn/article/167581.htm

对于调制器等有源器件来说,这一层还起着隔离金属电极减小电极对造成损耗的作用,所以厚度一定要选择合适,不能太薄,如果薄了就不能起到隔离金属的作用;但也不能太厚,因为如果太厚,金属覆盖也存在问题。

对于器件如波导分束器(Y分支、S弯曲分支)等器件来说,波导上包层的覆盖比较困难,因为这种分支的角度一般很小(小于1°),直接导致分支间距很小,这就存在着上包层覆盖填充的问题,如果填充不好,就会留有空隙,对波导器件性能造成不利的影响;对于有源器件来说还有可能造成上层金属断路。所以如何选择合适的温度、气流、掺杂剂含量使得上包层填充覆盖完好是至关重要的。



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