IR推出新系列40V至200V车用MOSFET

        全新沟道 HEXFET 功率 MOSFET 系列采用多款表面贴装器件 (SMD) 封装，电压范围从 40V 至 200V。标准和逻辑电平栅级驱动 MOSFET 都为 IR 车用塑料封装 MOSFET 产品系列设定了导通电阻性能新标准。基准导通电阻在 40V 下最大为 1.25 毫欧，60V 下最大为2.1 毫欧，75V 下为 2.6 毫欧，100V 下为 4.0 毫欧。在 D2Pak-7P 封装中许多器件的最大额定电流达 240A。

       IR 亚太区销售副总裁潘大伟表示：“IR 全新车用沟道 MOSFET 系列可在下一代汽车应用，包括集成式起动发电机和电动助力转向系统应用中实现基准性能。”

        所有 IR 车用 MOSFET 产品都遵循 IR 要求零缺陷的汽车质量理念，并经过了动态和静态器件平均测试及 100% 自动晶圆级目视检查。AEC-Q101 标准要求器件在经过1, 000 次温度循环测试后，导通电阻变化幅度不能超过 20%。然而，经过延长测试后，IR 的新款 AU 物料单在 5,000 次温度循环时的最大导通电阻变化不到 10%，体现了该物料单的高强度和耐用性。

        新器件符合 AEC-Q101 标准，所采用的材料环保，不含铅，也符合电子产品有害物质管制规定 (RoHS) 。