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英特尔三星东芝联手提升芯片制造工艺

—— 在2016年前将芯片制造工艺提升到10纳米级别
作者:时间:2010-10-31来源:新浪科技收藏

  据国外媒体报道,、东芝和三星电子将联手开发新技术,在2016年前将制造工艺提升到级别。

本文引用地址:http://www.eepw.com.cn/article/114056.htm

  据《日经新闻》报道,全球排名前两位的NAND闪存制造商三星电子和东芝将与最大的厂商结成合作伙伴,并邀请大约10家半导体材料及其他领域的企业加入这一联合体。

  据称,日本经济产业省有可能提供大约50亿日元(约合6121万美元)作为研发启动资金。参与此项目的各家企业将再提供50亿日元。

  东芝和三星电子计划利用新技术制造级别的NAND闪存及其他则希望用它开发更快的微处理器。



关键词: 英特尔 芯片 10纳米

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