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Panasonic电工PhotoMOS MOSFET的控制电路

作者:时间:2010-09-27来源:电子产品世界收藏

  前言

本文引用地址:http://www.eepw.com.cn/article/113045.htm

  电工的在输出中采用了光电元件和功率,是作为微小模拟信号用而开发出的SSD,以高功能型的HF型为首,正逐步扩展系列,如通用型的GU型、高频型的RF型。

  上次介绍了的概要,此次将介绍内置在中构成控制电路的独特的光电元件的特点、构造、布线等。

  FET型输出光电耦合器的基本电路

  图1是PhotoMOS中具有代表性的、即所谓的FET型输出光电耦合器的最基本电路。在该电路中由于输出元件的功率MOSFET是电压驱动型元件,因此利用光电二极管阵列(P.D.A)所供给的电压使栅极容量充电,致使栅极电压上升至接通电压(阈值),从而使MOSFET输出光电耦合器动作。

  然而,要使MOSFET输出光电耦合器复位,则需要做与上述动作相反的工作,即让栅极内充电的电荷尽量快速地放电。在图1所示的电路中,由于复位时间过长,故不能作为MOSFET输出光电耦合器使用。

 

  图1 FET型MOSFET输出光电耦合器基本电路

  PhotoMOS利用图2所示的内置于光电元件的控制电路来解决这些问题。该控制电路为实现动作时间与复位时间保持平衡的良好的转换特性,以及输入LED电流的良好的灵敏度特性发挥着最关键的作用。

 

  图2 PhotoMOS 等效电路

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关键词: Panansonic PhotoMOS MOSFET

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