Panasonic电工PhotoMOS MOSFET的控制电路

　　前言

　　Panansonic电工的PhotoMOS在输出中采用了光电元件和功率MOSFET，是作为微小模拟信号用而开发出的SSD，以高功能型的HF型为首，正逐步扩展系列，如通用型的GU型、高频型的RF型。

　　上次介绍了PhotoMOS的概要，此次将介绍内置在PhotoMOS中构成控制电路的独特的光电元件的特点、构造、布线等。

　　FET型MOSFET输出光电耦合器的基本电路

　　图1是PhotoMOS中具有代表性的、即所谓的FET型MOSFET输出光电耦合器的最基本电路。在该电路中由于输出元件的功率MOSFET是电压驱动型元件，因此利用光电二极管阵列(P.D.A)所供给的电压使栅极容量充电，致使栅极电压上升至接通电压(阈值)，从而使MOSFET输出光电耦合器动作。

　　然而，要使MOSFET输出光电耦合器复位，则需要做与上述动作相反的工作，即让栅极内充电的电荷尽量快速地放电。在图1所示的电路中，由于复位时间过长，故不能作为MOSFET输出光电耦合器使用。

　　图1 FET型MOSFET输出光电耦合器基本电路

　　PhotoMOS利用图2所示的内置于光电元件的控制电路来解决这些问题。该控制电路为实现动作时间与复位时间保持平衡的良好的转换特性，以及输入LED电流的良好的灵敏度特性发挥着最关键的作用。

　　图2 PhotoMOS 等效电路