新闻中心

EEPW首页 > 电源与新能源 > 设计应用 > Panasonic电工PhotoMOS MOSFET的控制电路

Panasonic电工PhotoMOS MOSFET的控制电路

作者:时间:2010-09-27来源:电子产品世界收藏

  ・(c)的控制电路

本文引用地址:http://www.eepw.com.cn/article/113045.htm

 

  图3(c) FET型输出光电耦合器控制电路

  作为放电电路,该电路使用常闭型元件,因此断开时输出MOS的电荷会急速放电。另外接通时,该元件被第二光电二极管阵列(P.D.A)偏压,形成开路状态,从而使第一光电二极管阵列(P.D.A)所产生的光电流被高效快速地传导至输出MOS的栅极,因此与(a)的电路相比,接通时间就变短了。

  另外,利用该常闭型元件还可大幅度地改善速动性。但与此同时该控制电路必须具备二个光电二极管阵列。

 

  图4 输出光电耦合器的磁保持特性

电荷放大器相关文章:电荷放大器原理
电流传感器相关文章:电流传感器原理

上一页 1 2 3 下一页

关键词: Panansonic PhotoMOS MOSFET

评论


相关推荐

技术专区

关闭