首页  资讯  商机   下载  拆解   高校  招聘   杂志  会展  EETV  百科   问答  电路图  工程师手册   Datasheet  100例   活动中心  E周刊阅读   样片申请
EEPW首页 >> 主题列表 >> 沟槽功率

沟槽功率 文章 进入沟槽功率技术社区

英飞凌推出首款采用OptiMOS™ 7技术15 V PQFN封装的沟槽功率MOSFET

  • 数据中心和计算应用对电源的需求日益增长,需要提高电源的效率并设计紧凑的电源。英飞凌科技股份公司顺应系统层面的发展趋势,推出业界首款15 V沟槽功率MOSFET ——全新OptiMOS™ 7系列。OptiMOS™ 7 15 V系列于服务器、计算、数据中心和人工智能应用上提升DC-DC转换率。该半导体产品组合包含最新的PQFN 3.3 x 3.3 mm²源极底置(Source-Down)封装,标准门级和门级居中引脚排列形式均提供底部冷却型和双面冷却型以供选择;此外,该产品组合还包含稳定可靠的超小型的PQFN
  • 关键字: 英飞凌  沟槽功率  MOSFET  
共1条 1/1 1

沟槽功率介绍

您好,目前还没有人创建词条沟槽功率!
欢迎您创建该词条,阐述对沟槽功率的理解,并与今后在此搜索沟槽功率的朋友们分享。    创建词条

热门主题

树莓派    linux   
关于我们 - 广告服务 - 企业会员服务 - 网站地图 - 联系我们 - 征稿 - 友情链接 - 手机EEPW
Copyright ©2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《电子产品世界》杂志社 版权所有 北京东晓国际技术信息咨询有限公司
备案 京ICP备12027778号-2 北京市公安局备案:1101082052    京公网安备11010802012473