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Nexperia推出一系列A-selection齐纳二极管,可提供高精度基准电压

  • 基础半导体元器件领域的高产能生产专家Nexperia(安世半导体)今天宣布推出业内首批A-selection齐纳二极管。BZT52H-A(SOD123F)和BZX384-A(SOD323)系列的容差仅有±1%,相比B(±2%)和C(±5%)版本,可提供更高精度的基准电压。这两个系列不仅可以满足日渐增长的移动便携式和可穿戴应用、汽车和工业应用的需求及监管要求,也可以支持Q产品组合器件。 “Nexperia的A-selection齐纳二极管涵盖从1.8V至75V的各种应用,提供高精度、低容差基准电压
  • 关键字: Nexperia  A-selection  齐纳二极管  

Nexperia推出全新高性能碳化硅(SiC)二极管系列

  • 基础半导体元器件领域的专家Nexperia,今天宣布推出650V、10A SiC肖特基二极管,正式进军高功率碳化硅(SiC)二极管市场。这对于高效功率氮化镓(GaN) FET的可靠供应商Nexperia而言是一项战略性举措,旨在扩展高压宽禁带半导体器件产品范围。 Nexperia的首款SiC肖特基二极管为工业级器件,重复反向峰值电压为650V(VRRM),持续正向电流为10A(IF),旨在为功率转换应用实现超高性能、高效率、低损耗。以及兼容高压的具有更高爬电距离的纯双引脚(R2P)封装,使该系列
  • 关键字: Nexperia  碳化硅  SiC  二极管  

Nexperia表面贴装器件通过汽车应用的板级可靠性要求

  •  基础半导体器件领域的专家Nexperia宣布,公司研发的表面贴装器件-铜夹片FlatPower封装CFP15B首次通过领先的一级供应商针对汽车应用的板级可靠性 (BLR)测试。该封装将首先应用于发动机控制单元。 BLR是一种评估半导体封装坚固性和可靠性的方法。测试遵循极为严格的程序,在十分注重安全性和可靠性的汽车应用中具有重要的指导意义。随着汽车行业向电动和车联网转型,车载电子系统越来越复杂,因此该认证至关重要。 Nexperia双极性功率分立器件产品经理Guido Söh
  • 关键字: Nexperia  表面贴装器件  

Nexperia将于2021年9月21日-23日举办“Power Live”

  • 基础半导体器件领域的专家Nexperia,今日宣布将于9月21日至23日举办‘Power Live’,这是其第二次举办此年度虚拟会议。鉴于去年首届活动取得圆满成功,本届为期三天的活动将扩大规模,涵盖与功率电子元件相关的众多主题,包括面向汽车和工业应用的GaN、MOSFET、功率二极管和双极性晶体管。 会议重点将包括:l MOSFET全电热模型Nexperia新款MOSFET电热模型的详细预览,该模型可以在仿真中准确呈现器件的静态和动态特性,并降低在设计过程后期发现EMC问题的风险。 l
  • 关键字: Nexperia  Power Live  

Nexperia再度蝉联博世全球供应商大奖

  •  基础半导体器件领域的专家Nexperia非常荣幸地宣布,公司荣获博世全球供应商荣誉大奖“采购直接材料 - 移动解决方案”。连续两次获得这一殊荣足以证明Nexperia与全球领先的技术和服务供应商博世已建立长期协作关系,包括合作进行早期阶段的产品开发,以应对汽车行业面临的挑战。 博世供应链管理主管Arne Flemming博士表示:“博世全球供应商大奖旨在表彰全球各地的最佳供应商。作为开发和创新领域的合作伙伴,他们在帮助博世保持竞争力方面发挥了重要作用。” 每隔两年,博世会从全球各地的供应商中挑
  • 关键字: Nexperia  博世  供应商大奖  

适用于热插拔的Nexperia新款特定应用MOSFET

  • 新推出的80 V和100 V器件最大限度降低额定值,并改善均流,从而提供最佳性能、高可靠性并降低系统成本。基础半导体器件领域的专家Nexperia今日宣布推出新款80 V和100 V ASFET,新器件增强了SOA性能,适用于5G电信系统和48 V服务器环境中的热插拔与软启动应用以及需要e-fuse和电池保护的工业设备。 ASFET是一种新型MOSFET,经过优化,可用于特定应用场景。通过专注于对某一应用至关重要的特定参数,有时需要牺牲相同设计中其他较不重要的参数,以实现全新性能水平。新款热插拔ASFET
  • 关键字: Nexperia  MOSFET  

Nexperia的新型双极结晶体管采用DPAK封装,为汽车和工业应用提供高可靠性

  • 基础半导体器件领域的专家Nexperia今日宣布推出9款新的功率双极性晶体管,扩大了具有散热和电气优势的DPAK封装的产品组合,涵盖2 A - 8 A 和45 V - 100 V应用。新的MJD系列器件与其他DPAK封装的MJD器件引脚兼容,且在可靠性方面有着显著优势。新的MJD系列双极性晶体管满足AEC-Q101汽车级器件和工业级器件标准,额定值为2 A 50 V (MJD2873/-Q)、3 A 100 V (MJD31CH-Q)、4 A 45 V (MJD148/-Q)和6 A 100 V(MJD4
  • 关键字: MJD系列  Nexperia  功率产品  

独立半导体设备制造商ITEC借助高生产率的芯片组装系统缓解半导体短缺问题

  • 由飞利浦(现为Nexperia)于1991年创立的半导体设备制造商ITEC,今日宣布成为独立实体。ITEC仍然是Nexperia集团的一部分。通过此举,ITEC能够及时解决第三方市场的问题,满足对半导体的喷井式需求。ITEC致力为全球半导体制造商提供经久耐用的创新性制造解决方案。 ITEC一直处于半导体生产的前沿。总经理Marcel Vugts表示:“ITEC扎根于半导体制造领域,作为飞利浦、恩智浦和Nexperia的合作伙伴,我们将30多年来的自动化专业知识与最先进的设备结合起来。ITEC致力于将最新的
  • 关键字: ITEC  Nexperia  

Nexperia获得Newport Wafer Fab的100%所有权,正式更名为Nexperia Newport

  • 基础半导体器件领域的专家Nexperia宣布已完成收购Newport Wafer Fab (NWF)的交易,此举可助力公司实现宏伟的增长目标和投资,进一步提高全球产能。通过此次收购,Nexperia获得了该威尔士半导体硅芯片生产工厂的100%所有权。Nexperia Newport将继续在威尔士半导体生态系统中占据重要地位,引领新港地区和该区域其他工厂的技术研发。 Nexperia是Newport Wafer Fab所提供晶圆代工服务的客户,并于2019年通过投资Neptune 6 Limite
  • 关键字: Nexperia  Fab  

Nexperia全球最小且最薄的14、16、20和24引脚标准逻辑DHXQFN封装

  •  基础半导体器件领域的专家Nexperia今日宣布推出用于标准逻辑器件的全球最小且最薄的14、16、20和24引脚封装。例如,16引脚DHXQFN封装比行业标准DQFN16无引脚器件小45%。新封装不但比竞争产品管脚尺寸更小,而且还节省了25%的PCB面积。封装尺寸仅为2 mm x 2 mm(14 引脚)、2 mm x 2.4 mm(16引脚)、2 mm x 3.2 mm(20引脚)和2 mm x 4 mm(24引脚),0.4 mm间距的DHXQFN封装只有0.45 mm高。器件包括:十六路反向
  • 关键字: Nexperia  DHXQFN封装  

Nexperia新8英寸晶圆线启动,生产领先Qrr品质因数80 V/100 V MOSFET

  • 基础半导体器件领域的专家Nexperia今日宣布,位于英国曼彻斯特的新8英寸晶圆生产线启动,首批产品使用最新的NextPower芯片技术的低RDS(on)和低Qrr ,80 V和100 V MOSFET。新生产线将立即扩大Nexperia的产能,新的PSMN3R9-100YSF (100 V)和PSMN3R5-80YSF (80 V)器件将具有行业内极低的Qrr品质因数(RDS(on) x Qrr)。Nexperia产品经理Mike Becker指出:“鉴于全球半导体短缺的情况下,Nexperia积极投资
  • 关键字: Nexperia  MOSFET  

Nexperia计划在2021和2022年投资7亿美元提高产能

  • 基础半导体器件领域的专家Nexperia宣布了全球增长战略最新举措,即在未来12个月至15个月期间投资7亿美元用于扩建欧洲的晶圆厂、亚洲的封装和测试工厂和全球的研发基地。 新投资将提高所有工厂的制造能力、支持氮化镓(GaN)宽带隙半导体和电源管理IC等领域的研发,并将支持举办招聘活动,吸引更多芯片设计师和工程师人才。 Nexperia首席运营官Achim Kempe表示:“全球半导体市场正逐渐走出去年上半年以来的颓势,并重新崛起。2020年,Nexperia 年销售额为14亿美元,销量从去年第三季度和第四
  • 关键字: Nexperia  

Nexperia新型40 V低RDS(on) MOSFET助力汽车和工业应用实现更高功率密度

  •  基础半导体器件领域的专家Nexperia今日宣布推出新型0.55 mΩ RDS(on) 40 V功率MOSFET,该器件采用高可靠性的LFPAK88封装,适用于汽车(BUK7S0R5-40H)和工业(PSMNR55-40SSH)应用。这些器件是Nexperia所生产的RDS(on) 值最低的40 V器件,更重要的是,它们提供的功率密度相比传统D2PAK器件提高了50倍以上。此外,这些新型器件还可在雪崩和线性模式下提供更高的性能,从而提高了耐用性和可靠性。Nexperia产品市场经理Neil M
  • 关键字: Nexperia  低RDS(on)  MOSFET  

Nexperia推出全新Trench肖特基整流器 旨在为快速开关应用提高效率

  • 奈梅亨,2021年5月10日:基础半导体器件领域的专家Nexperia宣布扩充了旗下的Trench肖特基整流器产品组合,最新推出额定电压和电流分别高达100 V和20 A的全新器件,具有出色的开关性能和领先的热性能。新器件采用Nexperia的夹片式FlatPower (CFP)封装,管脚尺寸远小于SMA/SMB/SMC器件。 Trench工艺可在降低漏电流的同时,大幅减少存储在器件中的Qrr电荷。因而,Trench肖特基整流器能够实现超快的开关速度,既能减少整流器的开关损耗,又减少了同一换向单元中MOS
  • 关键字: Nexperia  Trench  肖特基整流器  

Nexperia第二代650 V氮化镓场效应管使80 PLUS®钛金级电源可在2 kW或更高功率下运行

  • 基础半导体器件领域的专家Nexperia今天宣布其第二代650 V功率GaN FET器件系列开始批量供货。与之前的技术和竞争对手器件相比,新款器件具有显著的性能优势。全新的功率GaN FET具有低至35mΩ(典型值)的RDS(on)性能,适用于2 kW至10 kW的单相AC/DC和DC/DC工业开关模式电源(SMPS),特别是必须满足80 PLUS®钛金级效率认证的服务器电源和高效率要求的电信电源。该器件也非常适合相同功率范围内的太阳能逆变器和伺服驱动器。 全新650V H2功率GaN FET采用TO-2
  • 关键字: Nexperia  MOSFET  GaN  
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