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- 关键半导体器件领域的专家Nexperia今天宣布推出一系列采用节省空间的LFPAK56D封装技术的半桥（高端和低端）汽车MOSFET。采用两个MOSFET的半桥配置是许多汽车应用（包括电机驱动器和DC/DC转换器）的标准构建模块。这种新封装提供了一种单器件半桥解决方案。与用于三相电机控制拓扑的双通道MOSFET相比，由于去掉了PCB线路，其占用的PCB面积减少了30%，同时支持在生产过程中进行简单的自动光学检测(AOI)。LFPAK56D半桥产品采用现有的大批量LFPAK56D封装工艺，并具有成熟的汽车级
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Nexperia MOSFET AEC-Q101
- 奈梅亨，2021年2月9日：基础半导体器件领域的专家Nexperia宣布将在2021年度大幅增加制造能力和研发方面的全球投资。 新投资与公司的发展战略相吻合。去年，Nexperia的母公司闻泰科技承诺投资120亿元人民币（18.5亿美元）在上海临港新建一座300mm（12英寸）功率半导体晶圆厂。该晶圆厂将于2022年投入运营，预计年产40万片晶圆。 Nexperia今年的计划包括提高生产效率，并在其位于德国汉堡和英国曼彻斯特的欧洲晶圆厂试试全新的200mm技术。汉堡晶圆厂还会增加对宽带隙半导体制造新技术的
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Nexperia 闻泰科技
- 半导体基础元器件领域的高产能生产专家Nexperia今天首次宣布推出80 V RET（配电阻晶体管）系列。这些新的RET或“数字晶体管”提供了足够的余量，可用于48 V汽车板网（如轻度混合动力和EV汽车）和其他更高电压的电路，这些电路经常受到较大的尖峰和脉冲影响，以前的50 V器件无法处理。 通过在与晶体管相同的SOT23 (250 mW Ptot)或SOT323 (235 mW Ptot)封装中组合偏置电阻和偏置发射极电阻，RET可以节省空间并降低制造成本。SOT363封装还提供双RET（两个晶体管和两
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Nexperia RET
- 半导体基础元器件领域的高产能生产专家Nexperia今天发布获得AEC-Q101认证的新重复雪崩专用FET (ASFET)产品组合，重点关注动力系统应用。该技术已通过十亿个雪崩周期测试，可用于汽车感性负载控制，例如电磁阀和执行器。除了提供更快的关断时间（高达4倍）外，该技术还能通过减少BOM数量简化设计。 在汽车动力总成中的电磁阀和执行器控制领域，基于MOSFET的电源方案通常围绕着升压、续流二极管或主动钳位拓扑结构进行构建。第四个选择是重复雪崩设计，利用MOSFET的重复雪崩能力来泄放在其关
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Nexperia AEC-Q101 MOSFET
- 半导体基础元器件领域的高产能生产专家Nexperia宣布推出适用于CAN-FD应用的新款无引脚ESD保护器件。器件采用无引脚封装，带有可湿锡焊接侧焊盘，支持使用AOI工具。PESD2CANFDx系列部件完全符合AEC-Q101标准，同时提供行业领先的ESD和RF性能，节省了PCB空间。 Nexperia通过有引脚和无引脚封装为CAN-FD总线提供硅基ESD保护。带有可湿锡焊接侧焊盘的全新DFN1412D-3和DFN1110D-3无引脚DFN封装占用的PCB空间比传统SOT23和SOT323封装少
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Nexperia CAN-FD 保护二极管
- 奈梅亨，2020年10月29日：半导体基础元器件生产领域的高产能生产专家Nexperia将首次亮相于2020年11月5日至10日在上海举办的第三届中国国际进口博览会并将全方位介绍Nexperia如何运用逻辑IC、分立器件、MOSFET和GAN FET等创新器件推动全球各类电子设计的发展。 Nexperia凭借多元化、高产能的产品组合和行业领先的小封装技术引领全球市场。Nexperia生产约15,000种产品，每年新增800余种新产品。作为未来创新技术的推动者，Nexperia展台位于本届中国国际进口博览会
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Nexperia
- 半导体基础元器件领域的高产能生产专家Nexperia响应行业需求，通过定义一组全新的MOSFET产品，最大限度提高性能。特定型应用FET（简称ASFET）所采用的MOSFET能为特定应用提供优化的参数。通过专注于特定的应用，可实现显著的改进。 Nexperia为电池隔离、电机控制、热插拔和以太网供电(PoE)应用提供ASFET系列。 定制ASFET可实现的改进因应用而异，例如对于热插拔应用，安全工作区域(SOA)能提高3至5倍；对于电机应用，最大额定电流可超过300 A。 Nexpe
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Nexperia
- 2020年10月12日消息，半导体基础元器件生产领域的高产能生产专家Nexperia宣布新推出一系列LED驱动器，采用DFN2020D-6 (SOT1118D)封装，能有效节省空间。LED驱动器带可焊性侧面(SWF)，可促进实现AOI（自动光学检测）并提高可靠性。这是LED驱动器首次采用这种有益封装。新量产的无引脚的产品加入已经量产的带引脚的产品提供更广的产品组合，新产品与SOT223相比，在具备同等性能的情况下，将PCB空间减少了90%。新推出的DFN2020D-6 LED驱动器采用NPN和PNP技术，
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Nexperia LED驱动器
- 半导体基础元器件领域的高产能生产专家Nexperia宣布推出全新产品PCMFxHDMI2BA-C，这款集成了ESD保护功能的共模滤波器具有超过10 GHz差分带宽。它适用于高达12Gbps 的最新HDMI 2.1标准，能够轻松通过眼图测试。 Nexperia高速保护和滤波产品经理Stefan Seider说：“HDMI 2.1使显示器具有更高的分辨率和更出色的色彩。但是，这需要更优秀的抗干扰保护，尤其是在紧凑的无线应用中，这些2合1的ESD和滤波组合器件的性能和小尺寸非常适合对性能和空间有要求
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Nexperia ESD
- 半导体基础元器件领域的高产能生产专家Nexperia推出四款全新的TrEOS ESD保护器件，这些器件通过了AEC-Q101认证，适用于车规级应用，并且可承受高达175°C的高温。同时，与所有TrEOS器件一样，这些新的车用器件具有很低的电容，可确保高信号完整性，并具有很低的钳位电压和高稳健性，适用于新的车载接口。具体的车载应用包括采用USB 3.2、HDMI、LVDS、SerDes和SD卡接口的信息娱乐、多媒体与ADAS系统。 Nexperia的TrEOS ESD保护技术利用有源可控硅整流来克服传统保护
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Nexperia 车用TrEOS ESD
- 半导体基础元器件生产领域的高产能生产专家Nexperia宣布推出一系列采用新一代H2技术的全新高压氮化镓场效应管。新器件包含两种封装，TO-247 和Nexperia专有的CCPAK。两者均实现了更出色的开关和导通性能，并具有更好的稳定性。由于采用了级联结构并优化了器件相关参数，Nexperia的氮化镓场效应管无需复杂的驱动和控制，应用设计大为简化；使用标准的硅MOSFET 驱动器也可以很容易地驱动它们。 新的氮化镓技术采用了贯穿外延层的过孔，减少了缺陷并且芯片尺寸可缩小约24%。TO-247
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Nexperia 650V 氮化镓 GaN
- 奈梅亨，2020年5月27日：半导体基础元器件生产领域的高产能生产专家Nexperia推出了一系列反向电压为120 V、150 V和200 V的新锗化硅(SiGe)整流器，兼具肖特基整流器的高效率与快速恢复二极管的热稳定性。 新款1-3 A SiGe整流器以汽车、通信基础设施和服务器市场为目标市场，尤其适合高温应用，例如，LED照明、发动机控制单元或燃油喷射。这些新推出的极低泄漏器件提供扩展的安全工作区域，在不超过175 °C的条件下不会发生热失控。同时，工程师也可以使用适用于高温设
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肖特基.快速恢复二极管 Nexperia 锗化硅整流器
- 半导体基础元器件生产领域的高产能生产专家Nexperia宣布首次采用高鲁棒性、高空间利用率的LFPAK56 (Power-SO8)封装的P沟道MOSFET系列产品。新器件符合AEC-Q101标准，适合汽车应用，可作为DPAK MOSFET的理想替代产品，在保证性能的基础上，将封装占位面积减少了50%以上。 新系列产品在30 V至60 V工作电压范围内可供选择，导通电阻RDS(on)低至10 mΩ (30 V)。 LFPAK封装采用铜夹片结构，由Nexperia率先应用，已在汽车等要求
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Nexperia P沟道 MOSFET LFPAK56封装
- Nexperia推出的超微型MOSFET占位面积减小36%，且具备低导通电阻RDS(on)半导体基础元器件生产领域的高产能生产专家Nexperia发布了一系列MOSFET产品，采用超小型DFN0606封装，适用于移动和便携式产品应用，包括可穿戴设备。这些器件还提供低导通电阻RDS(on)，采用常用的0.35 mm间距，从而简化了PCB组装过程。 PMH系列MOSFET采用了DFN0606封装，占位面积仅为0.62 x 0.62 mm，与前一代DFN1006器件相比，节省了超过36%的空间。由于采
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Nexperia MOSFET
- 奈梅亨，三月 10, 2020：Nexperia，分立器件、MOSFET器件及模拟和逻辑器件领域的生产专家，今日宣布推出PESD2V8R1BSF，这是业内首款专门针对USB4TM标准开发的ESD保护器件，具有行业领先的RF性能。新款器件采用Nexperia的TrEOS ESD技术与有源可控硅（SCR）技术，USB4TM和Thunderbolt接口设计工程师将会特别感兴趣。该器件可实现极低电容（低至0.1 pF）；极低钳位电压 动态电阻低至0.1 Ω）以及非常稳健的防浪涌与ESD性能（，最高可达20A 8/
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Nexperia USB4 ESD 保护器件
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