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Nexperia(安世半导体)宣布推出新一代 650V 氮化镓 (GaN) 技术

  • 半导体基础元器件生产领域的高产能生产专家Nexperia宣布推出一系列采用新一代H2技术的全新高压氮化镓场效应管。新器件包含两种封装,TO-247 和Nexperia专有的CCPAK。两者均实现了更出色的开关和导通性能,并具有更好的稳定性。由于采用了级联结构并优化了器件相关参数,Nexperia的氮化镓场效应管无需复杂的驱动和控制,应用设计大为简化;使用标准的硅MOSFET 驱动器也可以很容易地驱动它们。 新的氮化镓技术采用了贯穿外延层的过孔,减少了缺陷并且芯片尺寸可缩小约24%。TO-247
  • 关键字: Nexperia  650V   氮化镓  GaN  

Nexperia锗化硅整流器兼具一流高效率、热稳定性,节省空间

  •  奈梅亨,2020年5月27日:半导体基础元器件生产领域的高产能生产专家Nexperia推出了一系列反向电压为120 V、150 V和200 V的新锗化硅(SiGe)整流器,兼具肖特基整流器的高效率与快速恢复二极管的热稳定性。 新款1-3 A SiGe整流器以汽车、通信基础设施和服务器市场为目标市场,尤其适合高温应用,例如,LED照明、发动机控制单元或燃油喷射。这些新推出的极低泄漏器件提供扩展的安全工作区域,在不超过175 °C的条件下不会发生热失控。同时,工程师也可以使用适用于高温设
  • 关键字: 肖特基.快速恢复二极管  Nexperia  锗化硅整流器  

NexperiaP沟道MOSFET,采用省空间坚固LFPAK56封装

  • 半导体基础元器件生产领域的高产能生产专家Nexperia宣布首次采用高鲁棒性、高空间利用率的LFPAK56 (Power-SO8)封装的P沟道MOSFET系列产品。新器件符合AEC-Q101标准,适合汽车应用,可作为DPAK MOSFET的理想替代产品,在保证性能的基础上,将封装占位面积减少了50%以上。  新系列产品在30 V至60 V工作电压范围内可供选择,导通电阻RDS(on)低至10 mΩ (30 V)。 LFPAK封装采用铜夹片结构,由Nexperia率先应用,已在汽车等要求
  • 关键字: Nexperia  P沟道  MOSFET  LFPAK56封装   

Nexperia推出超微型MOSFET具备低导通电阻RDS(on)

  • Nexperia推出的超微型MOSFET占位面积减小36%,且具备低导通电阻RDS(on)半导体基础元器件生产领域的高产能生产专家Nexperia发布了一系列MOSFET产品,采用超小型DFN0606封装,适用于移动和便携式产品应用,包括可穿戴设备。这些器件还提供低导通电阻RDS(on),采用常用的0.35 mm间距,从而简化了PCB组装过程。 PMH系列MOSFET采用了DFN0606封装,占位面积仅为0.62 x 0.62 mm,与前一代DFN1006器件相比,节省了超过36%的空间。由于采
  • 关键字: ​Nexperia  MOSFET  

Nexperia推出首款支持USB4标准的ESD保护器件

  • 奈梅亨,三月 10, 2020:Nexperia,分立器件、MOSFET器件及模拟和逻辑器件领域的生产专家,今日宣布推出PESD2V8R1BSF,这是业内首款专门针对USB4TM标准开发的ESD保护器件,具有行业领先的RF性能。新款器件采用Nexperia的TrEOS ESD技术与有源可控硅(SCR)技术,USB4TM和Thunderbolt接口设计工程师将会特别感兴趣。该器件可实现极低电容(低至0.1 pF);极低钳位电压 动态电阻低至0.1 Ω)以及非常稳健的防浪涌与ESD性能(,最高可达20A 8/
  • 关键字: Nexperia  USB4  ESD  保护器件  

Nexperia与Ricardo合作开发基于GaN的EV逆变器设计

  •  奈梅亨,2020年2月25日:分立器件、MOSFET器件、GaN FET器件及模拟和逻辑器件领域的生产专家Nexperia宣布与知名汽车工程咨询公司Ricardo合作,以研制基于氮化镓(GaN)技术的EV逆变器技术演示器。 GaN是这些应用的首选功率器件,因为GaN FETs使系统以更低的成本达到更高的效率、更好的热性能和更简单的开关拓扑。在汽车领域,这意味着车辆行驶里程更长,而这正是所有电动汽车消费者最关心的问题。现在,GaN即将取代基于硅的IGBT和SiC,成为插电式混合动力汽车
  • 关键字: Nexperia  GaN  EV逆变器  

Nexperia面向汽车以太网新硅基 ESD 防护器件

  •  奈梅亨,2020年 2 月 11 日:分立元件、MOSFET 元件及模拟和逻辑 IC 的专业制造商 Nexperia,今天宣布针对 100BASE-T1 和 1000BASE-T1 汽车以太网系统推出业界领先且符合 OPEN Alliance 标准的硅基 ESD 防护器件 。 OPEN (One-Pair Ether-Net) Alliance Special Interest Group (SIG) 是由汽车工业和技术供应商组成的非营利联盟,他们相互协作,鼓励广泛采用基于以太网的网
  • 关键字: Nexperia  汽车以太网  OPEN Alliance  ESD  

MJD 双极晶体管(高达 8 A)丰富了 Nexperia 功率产品系列

  • 近日,总部位于荷兰的分立和 MOSFET 器件及模拟与逻辑 IC领域的专家Nexperia公司今日推出一款全新高质量、高可靠性 的MJD 3 A 和 8 A 功率汽车双极晶体管(符合 AEC-Q101 标准以及消费者/工业标准)。该款产品组合包括8款同时支持 80 V 和 100 V 及NPN 和 PNP 型的元件。这些符合行业标准尺寸的通用元件如今补充了 Nexperia 现有的高性能双极功率晶体管产品系列,从而进一步丰富了本公司的功率双极半导体系列。应用场景有:LED 汽车照明;LCD 显示器背光源调
  • 关键字: Nexperia  

Nexperia 推出行业领先性能的高效率氮化镓功率器件 (GaN FET)

  • 近日,分立、逻辑和 MOSFET 器件的专业制造商Nexperia,今天推出650V的功率器件GAN063-650WSA,宣布其进入氮化镓场效应管(GaN)市场。这款器件非常耐用,栅极电压 (VGS) 为 +/- 20 V,工作温度范围为 -55 至 +175 °C。GAN063-650WSA的特点是低导通电阻(最大RDS(on) 仅为 60 mΩ)以及快速的开关切换;效率非常高。Nexperia氮化镓器件的目标是高性能要求的应用市场,包括电动汽车、数据中心、电信设备、工业自动化和高端电源。Nexperi
  • 关键字: Nexperia  GaN FET  氮化镓功率器件  MOSFET 器件  

要提高功率密度,除改进晶圆技术之外,还要提升封装性能

  • 汽车和工业应用都需要不断提高功率密度。例如,为了提高安全性,新的汽车动力转向设计现在要求双冗余电路,这意味着要在相同空间内容纳双倍的元器件。再举一个例子,在服务器群中,每平方米都要耗费一定成本,用户通常每18个月要求相同电源封装中的输出功率翻倍。如果分立式半导体供应商要应对这一挑战,不能仅专注于改进晶圆技术,还必须努力提升封装性能。总部位于荷兰的安世半导体是分立器件、MOSFET器件、模拟和逻辑集成电路领域的领导者,该公司率先在-功率封装(LFPAK无损封装)内部采用了全铜夹片芯片贴装技术,目的是实现多种
  • 关键字: Nexperia  LFPAK封装  

Nexperia 荣膺博世全球供应商奖

  • 奈梅亨,2019 年 7 月 18 日:分立器件、 MOSFET 器件及模拟与逻辑 IC 专家 Nexperia 今日宣布其荣膺“直接材料采购——移动解决方案”类博世全球供应商奖。Nexperia 凭借 2017-2018 年度的卓越表现和团队合作,从博世的 43,000 家实力供应商中脱颖而出,跻身 47 家获此殊荣的公司之列。自 1987 年起,博世每两年颁发此奖,以此鼓励在产品生产与供应或服务中表现杰出的公司,该奖项尤其关注质量、成本、创新和物流。今年的颁奖典礼在德国不莱夏举行,其主题是:“共同变革
  • 关键字: Nexperia  博世全球供应商奖  

安世半导体:深化中国战略 巩固规模优势

  • 2017年从NXP标准化产品部独立而成的安世半导体专注于高度可靠的创新分立式器件、MOSFET和逻辑产品组合。在分立器件领域,规模化是企业竞争中非常重要的优势,产能则是规模化优势最明显的体现。作为一家中国资本投资,欧洲团队管理运作的企业,通过深化中国战略,巩固产能为主的规模化优势,安世半导体两年间实现了飞速的增长。 规模优势带来的是企业的快速发展,安世独立之后就开始深化在中国市场的投资,不断扩充生产规模,每年将10%的销售收入用于资本投入,其中73%用于扩充产能,这使得安世半导体在两年里实现了超
  • 关键字: 安世  nexperia  标准器件  LED  

Nexperia 与 Avnet 共同庆祝合作 50 周年

  •   全球领先的分立元件、逻辑元件与 MOSFET 元件制造商 Nexperia 及全球技术解决方案供应商 Avnet 今日宣布庆祝半个世纪以来取得的辉煌成就。Avnet 为客户提供从理念到设计,从原型到生产的全套服务。  双方首次合作始于 1968 年,当时 Avnet 将 Signetics 作为其首个联营公司。2006 年 Signetics 被飞利浦收购,更名 NXP。后来,NXP 的标准产品分部独立为一家公司 Nexperia,成为分立元件、逻辑元件与 MOSFET 元件的强势力量。Nex
  • 关键字: Nexperia  Avnet   

安世东莞厂全面扩产 中资半导体引领未来

  • Nexperia(安世半导体)3月初宣布安世半导体(中国)有限公司着力扩建的广东新分立器件封装和测试工厂正式投产,全厂总面积达到72,000 平方米,新增16,000 平方米生产面积,年产量达到900 亿件;根据产品组合,实现增长约50%,有力地支持了今后数年Nexperia 雄心勃勃的业务发展计划。广东新工厂的投产,使Nexperia 全年总产量超过1 千亿件。本次新工厂投产的最大推动力源于2016年中国的建广资产以27.5亿美元收购恩智浦(NXP)标准件业务,并以此为基础组建了全新的Nexperia(
  • 关键字: Nexperia  分立器件  MOSFETs  逻辑器件  

安世半导体Nexperia标准器件行业峰会圆满落幕

  •   2018年3月6日下午,由Nexperia安世半导体(中国)有限公司主办的Nexperia标准器件行业峰会与安世半导体新工厂投产典礼同期举行。Nexperia标准器件行业峰会是行业主管部门、行业协会、产业专家和商业合作伙伴探讨最新中国半导体集成电路工业发展趋势的交流互动平台。   峰会以“中国半导体集成电路及标准器件的产业格局和行业趋势”为主题,热烈讨论了在中国半导体产业加速发展的大背景下, Nexperia安世半导体与各行各业标准器件应用领军企业及上下游晶圆制造、代理分销龙
  • 关键字: Nexperia  标准器件  
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