- 全球供应品类丰富、发货快速的现货电子元器件产品分销商 Digi-Key Electronics，荣获 Nexperia 颁发的 2021 年度电子零售商奖，Nexperia 是半导体基础元器件生产领域的高产能权威专家之一。Digi-Key 荣获 Nexperia 颁发的 2021 年度电子零售商奖Digi-Key 全球供应商管理副总裁 David Stein 表示：“我代表整个 Digi-Key 团队，感谢 Nexperia 授予我们这一巨大荣誉。在这个前所未有的时刻，能得到
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Nexperia Digi-Key 电子零售商奖
- 奈梅亨，2022年10月12日：基础半导体器件领域的高性能生产专家Nexperia今天宣布推出其快速扩展的铜夹片FlatPower (CFP)封装二极管系列的最新产品，主要应用于工业和汽车领域。此最新产品含有32个平面肖特基二极管以及8个超快速恢复整流二极管，均封装在CFP15B中。包含通用型号和符合AEC-Q101车规标准的带Q的器件。通过将多种版本的器件推向市场，Nexperia强调了其扩大产能、加快向体积更小和热优化的封装过渡的承诺。让工程师仅从一家供应商即可获取市场上最为广泛的CFP封装二极管产品
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Nexperia CFP 功率二极管
- 基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今天宣布扩展其超低钳位和超低电容ESD保护二极管系列产品组合。该产品组合旨在保护USB 3.2、HDMI 2.0、LVDS、汽车A/V监视器、显示器和摄像头等高速数据线。此外，该产品组合还旨在解决未来高速视频链路以及开放技术联盟MGbit以太网应用。 新晋产品包括2引脚单线器件PESD5V0C1BLS-Q和PESD5V0C1ULS-Q，采用超紧凑型DFN1006BD-2封装，同时优化了布线灵活性。此外，还有两款采用DFN1006-3封装的3引脚
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Nexperia 超低电容 ESD 保护二极管 汽车数据接口
- 基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今天宣布推出PMCB60XN和PMCB60XNE 30V N沟道小信号Trench MOSFET，该产品采用超紧凑晶圆级DSN1006封装，具有市场领先的RDS(on)特性，在空间受限和电池续航运行至关重要的情况下，可使电力更为持久。新型MOSFET非常适合智能手机、智能手表、助听器和耳机等高度小型化电子产品，迎合了更智能、功能更丰富的趋势，满足了增加系统功耗的需求。 RDS(on)与竞争器件相比性能提升了25%，可最大限度降低能耗，提高负载开关
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Nexperia 晶圆级 MOSFET
- 基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今天宣布推出采用超小DFN封装的新系列20 V和30 V MOSFET DFN0603。Nexperia早前已经提供采用该封装的ESD保护器件，如今更进一步，Nexperia成功地将该封装技术运用到MOSFET产品组合中，成为行业竞争的领跑者。该系列小型MOSFET包括： 新一代可穿戴设备和可听戴设备正在融入新的人工智能(AI)和机器学习(ML)技术，这为产品设计带来了若干挑战。首先，随着功能的增加，可供使用的电路板空间变得十分宝贵，另外，随着
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Nexperia MOSFET
- 基础半导体器件领域的专家Nexperia今日宣布推出其电平转换器系列的新晋产品：NXT4557GU和NXT4556UP。新器件可实现下一代低压手机基带处理器与用户身份模块(SIM)卡的无缝连接。随着处理器的几何尺寸向个位数纳米节点发展，先进SOC的核心电压也正逐渐下降。此发展趋势导致对电压转换器的需求日益增加，以将SOC连接到其他标准处理设备和I/O端口（如传统的Class B和Class C SIM卡）。 NXT4557GU和NXT4556UP是双电源转换器，支持主机处理器侧1.08 V至1
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Nexperia 电平转换器 手机SIM卡
- 基础半导体器件领域的专家Nexperia今日宣布推出两款经优化的静电放电(ESD)保护二极管件，适用于高速数据线中的重定时器和信号中继器。PESD2V8Y1BSF专为保护USB4 (Thunderbolt)接口而设计，而PESD4V0Y1BCSF可适用于USB4以及HDMI 2.1。这两款产品均使用Nexperia的成熟TrEOS技术，集低钳位、低电容和高稳健性优势于一身。 重定时器和信号中继器是设计高速USB4接口常用的器件。它们需要电路板走线变更短，从而降低寄生电感，但也会意外地降低整体系统
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Nexperia USB4 ESD 二极管件
- 基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia近日宣布与国际著名的为汽车行业提供先进电子器件的供应商KYOCERA AVX Components (Salzburg) GmbH建立合作关系，携手研发车规氮化镓(GaN)功率模块。双方长期保持着紧密的联系，此次进一步合作的目标是共同开发GaN功率器件在电动汽车(EV)上的应用。随着客运车辆日益电气化，市场对功率半导体的要求也在不断提高，需要在越来越高的功率密度下提供高效的功率转换。高压功率氮化镓场效应晶体管(GaN FET)与创新型封装技术相结合，可以满
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Nexperia KYOCERA 氮化镓 功率模块
- 基础半导体领域的高产能生产专家Nexperia近日宣布推出适用于电力应用的14款整流二极管，采用其新型CFP2-HP（铜夹片粘合FlatPower）封装。提供标准版和AECQ-101版，其中包括45 V、60 V和100 V Trench肖特基整流二极管（带1 A和2 A选项），例如PMEG100T20ELXD-Q就是一款100V、2 A的Trench肖特基整流二极管。针对要求超快速恢复的应用，Nexperia还在产品组合中增加了200 V、1 A PNE20010EXD-Q整流二极管。在现代汽车架构中，
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Nexperia CFP2-HP 二极管 FlatPower
- 基础半导体领域的高产能生产专家Nexperia今日宣布推出适用于电力应用的14款整流二极管，采用其新型CFP2-HP（铜夹片粘合FlatPower）封装。提供标准版和AECQ-101版，其中包括45 V、60 V和100 V Trench肖特基整流二极管（带1 A和2 A选项），例如PMEG100T20ELXD-Q就是一款100V、2 A的Trench肖特基整流二极管。针对要求超快速恢复的应用，Nexperia还在产品组合中增加了200 V、1 A PNE20010EXD-Q整流二极管。 在现
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Nexperia CFP2-HP 二极管
- 基础半导体器件领域的专家Nexperia推出了用于自动化安全气囊应用的专用MOSFET (ASFET)新产品组合，重点发布的BUK9M20-60EL为单N沟道60 V、13 mOhm导通内阻、逻辑控制电平MOSFET，应用于LFPAK33封装。ASFET是专门为用于某一应用而设计并优化的MOSFET。此产品组合是Nexperia为电池隔离、电机控制、热插拔和以太网供电(PoE)应用提供的一系列ASFET中的最新产品。 BUK9M20-60EL采用Nexperia的新型增强安全工作区(SOA)技术
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Nexperia 自动安全气囊 MOSFET
- 基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今日公布2021年财务业绩，数据显示公司在所有领域均实现强劲增长。这家半导体制造公司专门供应分立器件、功率器件和逻辑IC，2021年总营收同比增长49%，达到21.4亿美元。这意味着Nexperia的业绩表现优于整个半导体市场，公司市场份额得以提高1%，达到9.4%。 过去五年，Nexperia的制造能力不断提升，目前已经处于行业前沿，完全符合汽车行业的最高标准，且能提供全面的产品组合。Nexperia首席财务官Stefan Tilger表示：“我们公司自
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Nexperia
- 基础半导体元器件领域的高产能生产专家Nexperia，今日宣布其分立式器件系列推出新品，新器件采用无引脚DFN封装，配有侧边可湿焊盘 (SWF)。这些器件坚固耐用，节省空间，有助于满足下一代智能电动汽车的应用需求。Nexperia的所有产品系列都符合AEC-Q101标准，包括： · 采用DFN1110D-3封装的BC817QBH-Q和BC807QBH-Q系列45V 500mA NPN/NPN通用三极管。· &nbs
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Nexperia 小型DFN封装 分立器件
- Nexperia近日宣布，其位于德州达拉斯的全新设计中心正式启动。值此成为独立实体五周年之际，这一举措标志Nexperia朝着2030年成为全球基础半导体领军企业的既定目标又迈出了重要的一步。达拉斯设计中心是Nexperia在北美地区设立的第一家研发机构，专注于开发模拟信号转换和电源管理IC。新研发中心由Nexperia电源和信号转换业务部门总经理Irene Deng领导，她表示：“达拉斯设计中心代表了公司的一个关键里程碑，一方面是因为它体现了Nexperia在北美推进研究工作的决心，另一方面它还将助力N
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Nexperia 设计中心
- 基础半导体元器件领域的高产能生产专家Nexperia（安世半导体）近日宣布MOSFET器件推出全新增强型电热模型。半导体制造商通常会为MOSFET提供仿真模型，但一般仅限于在典型工作温度下建模的少量器件参数。Nexperia的全新先进模型可捕获-55℃至175℃的整个工作温度范围的一系列完整器件参数。这些先进模型中加入了反向二极管恢复时间和电磁兼容性(EMC)，大大提升了器件整体精度。参数可帮助工程师建立精确的电路和系统级仿真，并在原型设计前对电热及EMC性能进行评估。模型还有助于节省时间和资源，工程师此
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Nexperia 电热模型 MOSFET
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