在碳化硅8英寸时代到来之际，随着坩埚的直径增长，感应线圈只能加热坩埚的表面，不同位置的径向温度梯度都会随之增大，而这样的参数变化不适合大直径的晶体生长。恒普科技在6月推出了新一代2.0版SIC电阻晶体生长炉，以【轴径分离】+【新工艺】为核心技术，更优化解决晶体的长大、长快、长厚的行业需求。这就突显SiC感应晶体生长炉的技术落后，为了对应行业客户的使用惯性及Know-How的延续，恒普科技推出了双线圈感应晶体生长炉，并且同时推出石英管（双线圈外置）和金属壳（双线圈内置）两款全新炉型。

 

双线圈的技术并不是新的技术路线，但是双线圈的相互干扰，特别是在坩埚中的发热互相干扰，对工艺调整存在很大难度，物质流传输及通道沉积都存在难点，为了克服8英寸感应晶体生长炉的问题点，恒普科技解决了双线圈对石墨坩埚的温度上下无法分离，做到了【准轴径分离】，并将技术同时使用在了两种炉型上，满足更多客户的使用习惯。

 

 

·坩埚区域温度分离  （相对分离）

·采用特殊定制石墨硬毡

·双水平式线圈

·独特的二次发热体

·坩埚与热场分离

·物质流的传输导流控制

注：以上功能不是2款炉型都有。

 

 

·坩埚区域温度分离

·方便原工艺过渡

·水平螺旋线圈，提高磁场平衡与双线圈匹配

 

技术特点：

·炉下方向出料，解决8英寸坩埚上取料的不便

·出料时，坩埚与热场自动分离，提高炉次的重复性

·独特的二次发热体

·优化内置线圈绝缘

·横向多点测温

·采用特殊定制石墨硬毡