ldmos技术资讯-电子产品世界网

高塔（Tower）半导体：该感谢英特尔不娶之恩还是中国监管的棒打鸳鸯？

截至3月20日收盘时，高塔半导体的市值已经增长到184亿美元，是当初英特尔收购价格的3倍，反观英特尔的制造和代工业务部门（IFS），依然在追求盈亏平衡的路上找不到方向。...

高塔半导体 Tower 2026-03-23

一种基于LDMOS器件结构优化提升功率放大器功率附加效率的方法

　　吴锦帆（电子科技大学电子科学与工程学院四川成都 610054）　　摘要：本文介绍了一种通过改进LDMOS的器件结构，提升以LDMOS搭建的功率放大器的功率附加效率大信号指标的方法。在器件仿真环境中，通过对...

202006 LDMOS 2020-05-27

埃赋隆推出工作在433MHz频段的500W LDMOS晶体管

近日，埃赋隆半导体（Ampleon）现在面向工业加热、除霜、等离子照明和医疗应用推出基于LDMOS 的BLP05H9S500P功率放大器晶体管。BLP05H9S500P的工作频率范围为423至443MHz，它可在脉冲或连...

LDMOS VSWR 2020-01-25

氮化镓的卓越表现：推动主流射频应用实现规模化、供应安全和快速应对能力

　　数十年来，横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)技术在商业应用中的射频半导体市场领域起主导作用。如今，这种平衡发生了转变，硅基氮化镓(GaN-on-Si)技术成为接替传统LDMOS技术的首选技术。　　与LDMOS相比...

氮化镓 LDMOS 2018-03-02

意法半导体与远创达签署LDMOS技术许可合作协议

　　横跨多重电子应用领域的全球领先的半导体供应商意法半导体(STMicroelectronics，简称ST)今天宣布与远创达科技公司签署一份LDMOS射频功率技术许可协议。远创达是一家总部位于中国苏州的无晶圆厂的半导体公...

意法半导体 LDMOS 2018-02-26

验证射频功率晶体管的耐用性

目前制造的大功率射频晶体管比以往任何时候都更坚实耐用。针对特高耐用性设计的器件可以承受严重的失配，即使在满输出电平时也是如此。现在多家制造商可提供大功率硅横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)晶体管，...

射频功率晶体管耐用性 2017-06-03

氮化镓发展评估

本文介绍了氮化镓的发展历程，并与砷化镓和LDMOS进行对比与分析，介绍了氮化镓在军事、无线基站及射频能量等方面的特性和未来发展的广阔市场。...

氮化镓砷化镓 2016-12-28

宽频设计不能满足？来看看这款4G小基站用LDMOS功放

随着人们对数据速率要求越来越高，直接导致无线通信系统带宽的需求也在逐步增加，也同时推动了通信技术的进一步可持续性发展。...

PTFC270101 小基站 2016-10-29

5G基站射频市场：LDMOS开始下滑、GaN快速增长

　　2016年8月29日，每年一次循例来为华为RF工程师讲课的Qorvo高级Fellow Bill Boesch在深圳接受了专访，他说：“4G、5G基站大功率射频(RF)元件市场正在发生变革，原有的占主导地位...

5G LDMOS 2016-09-05

宽频设计不能满足？来看看这款4G小基站用LDMOS功放

　　随着人们对数据速率要求越来越高，直接导致无线通信系统带宽的需求也在逐步增加，也同时推动了通信技术的进一步可持续性发展。2G、3G、4G技术的相继推出，使移动业务由单一形态逐渐过渡到可同时支持语音、数据和视频等多种业务...

基站 LDMOS 2016-04-04

覆盖TD-SCDMA双频段的大功率330W LDMOS

　　国际领先的微波半导体器件制造厂商英飞凌推出了可以覆盖TD-SCDMA 两个频段的大功率330W LDMOS，器件型号为PXAC203302FV。该器件适用于1880-2025MHz频段，可以用于基站多载波射频功率放大...

TD-SCDMA LDMOS 2015-11-05

一种适用于RFIC的抗击穿LDMOS设计

　　LDMOS(LateralDiffusedMetalOxideSemiconductorTransistor，横向扩散金属氧化物半导体)以其高功率增益、高效率及低成本等优点，被广泛应用于移动通信基站、雷达、导航等领域...

LDMOS RFIC 2014-08-15

凭借第二代Airfast功放，飞思卡尔继续扩大RF领导地位

　　RF功率行业的领导者飞思卡尔推出了第二代Airfast™ RF功率解决方案，为高级无线架构设备(包括GSM/UMTS、CDMA/W-CDMA、LTE和 TD-LTE应用)提供了全新级别的性能。　　飞思卡尔最新的A...

飞思卡尔 RF 2014-07-08

飞思卡尔发布LDMOS首批11个射频功率产品

　　射频(RF)功率晶体管领域的全球领导者飞思卡尔半导体日前宣布11个全新商用的射频功率LDMOS产品全面上市，这个产品可满足美国国防电子产品应用的要求，这是2013年6月公布的公司射频功率业务战略防御计划发布的首套产品...

飞思卡尔 LDMOS 2014-03-04

一种适用于射频集成电路的抗击穿LDMOS设计

电子产品世界,为电子工程师提供全面的电子产品信息和行业解决方案,是电子工程师的技术中心和交流中心,是电子产品的市场中心,EEPW 20年的品牌历史,是电子工程师的网络家园...

射频抗击穿 2014-02-19

利用DS4303为LDMOS RF功率放大器提供偏置

摘要：LDMOS RF功率放大器因其极高的性价比在GSM和CDMA基站市场占据了主导地位。使用LDMOS放大器时，保证高性能 ......

DS4303 LDMOS 2013-11-14

基站功率放大器ADS仿真设计

ADS 晶体管 2012-06-15

LDMOS结构特点和使用优势

LDMOS( Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor)横向扩散金属氧化物半导体)是为900MHz蜂窝电话技术开发的，蜂窝通信市场的不断增长保证了LDMOS晶体管的应用，...

优势使用 2012-06-04

飞思卡尔推出RF LDMOS功率管可在阻抗失配条件下使

飞思卡尔推出RF LDMOS功率管可在阻抗失配条件下使用,飞思卡尔半导体日前推出一款RF LDMOS功率管，工作频率为1.8至600 MHz ，最适于在CO2激光器、等离子体发生器和磁共振成像（MRI）扫描仪等应用中所...

LDMOS 飞思卡尔 2012-05-08

基于LDMOS的TD-SCDMA射频功放设计

LDMOS TD-SCDMA 2012-04-25

基于LDMOS的TD-SCDMA射频功率放大器

　TD-SCDMA(时分同步码分多址接入)是第三代移动通信三大主流标准之一，是我国具有自主知识产权的通信标准，它标志着中国在移动通信领域已经进入世界先进行列，目前，TD-SCDMA的商用化进程正在顺利地进行之中[1]。T...

功率放大器射频 2012-04-23

LDMOS结构/优点

LDMOS( Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor)横向扩散金属氧化物半导体)是为900MHz蜂窝电话技术 ......

LDMOS 2012-02-11

LDMOS的性能与制造工艺

LDMOS的性能概述　　与双极型晶体管相比，LDMOS管的增益更高，LDMOS管的增益可达14dB以上，而双极型晶体管在5~6d ......

LDMOS 性能 2012-02-11

检测LDMOS漏端电压判断是否过流方案

摘要：本文介绍采用直接检测LDMOS 漏端电压来判断其是否过流的设计方案，给出了电路结构。通过电路分析，并利用BCD 高压工艺，在cadence 环境下进行电路仿真验证。结果证明：该方法能够快速、实时地实现过流保护功能...

是否方案 2011-08-22

基于超薄外延技术的双扩散新型D-RESURF LDMOS设计

摘要：文中针对高压节能应用领域，开发了一种基于超薄外延技术的双扩散BCD兼容工艺，实现了一种新型D-RESURF结构的700V LDMOS设计。结构中N型外延的厚度减小为4．5mu;m，漂移区长度缩减至70mu;m，使得...

D-RESURF LDMOS 2011-04-11

飞思卡尔的先进射频功率处理技术LDMOS降低蜂窝发射器成本和功耗

飞思卡尔半导体近日推出其下一代横向扩散金属氧化物半导体（LDMOS）射频功率晶体管，以满足蜂窝发射器降低功耗的......

LDMOS 2011-03-06

世强电讯推出Infineon 推动功放参考设计及Demoboard

　　Infineon的LDMOS功放管凭优良的产品质量性能已广泛应用在移动通信设备中，在国内外不少知名通信设备生产商的设备中Infineon的功放管都占有一定的份额。　　其中，Infineon专门为了满足移动通信市场...

Infineon LDMOS 2010-12-31

英飞凌向中国通信市场推出新一代LDMOS晶体管

　　英飞凌科技(Infineon TEchnologies)公司于1999年4月1日在德国慕尼黑正式成立，是全球领先的半导体公司之一，其前身是西门子集团的半导体部门。在中国，英飞凌先进的半导体解决方案已广泛应用于各个领域...

英飞凌晶体管 2010-10-18

恩智浦射频产品技术中心落户上海及波士顿近郊

　　恩智浦半导体(NXP Semiconductors)近日宣布，公司增加在射频研发的投资，2010年上半年先后在中国上海以及美国马塞诸塞州比尔里卡市(近波士顿)开设两家恩智浦高性能射频(RF)产品技术中心。中心主要从事...

NXP 射频 2010-07-07

3G基站：LDMOS技术提升3G基站能效

　　我国的3G网络发展潜力举世瞩目，3G建设中最为关键的基站部署也已成为业界关注的核心。以高效功放、多载频技术、分布式架构、增强型室内覆盖等为代表的新一代基站创新性技术，将会让运营商实现高性能、低成本的网络部署。其中，功...

恩智浦 3G基站 2009-12-23

飞思卡尔推出全球首款50V LDMOS功率晶体管

　　飞思卡尔半导体近日揭开了全球首款适用于L波段雷达应用的50V LDMOS RF功率晶体管产品的神秘面纱。这一产品线非常适合于各种高功率RF应用，包括空中交通管理和长射程气象雷达。　　RF产品线包括MRF6V14...

飞思卡尔晶体管 2008-06-05

恩智浦突破性地提升LDMOS基站的功率效率

　　恩智浦推出BLC7G22L（S）-130基站功率晶体管，这是恩智浦应用其业界领先的第七代横向扩散金属氧化物半导体（LDMOS）技术的首款产品，专为高功耗和Doherty放大器应用进行了优化。恩智浦的第七代LDMOS技...

恩智浦 LDMOS 2008-05-19

英飞凌推出行业最优峰值输出功率的LDMOS射频功率晶体管

　　英飞凌科技股份公司（IFX： FSE, NYSE）发布两款面向无线宽带应用的最新LDMOS射频功率晶体管，例如在2.5至2.7 GHz频段上运行的WiMAX应用。这些产品可提供最高达170 W的峰值输出功率，进一步壮...

英飞凌 LDMOS 2008-05-05

飞思卡尔推出最高功率的LDMOS射频功率晶体管

飞思卡尔半导体日前在IEEE MTT-S国际微波大会上宣布推出全球最高功率的LDMOS射频功率晶体管。MRF6VP11KH 设备提供130 MHz、1 kW的脉冲射频输出功率，具有...

嵌入式系统单片机 2007-08-07

ldmos

高塔（Tower）半导体：该感谢英特尔不娶之恩还是中国监管的棒打鸳鸯？

一种基于LDMOS器件结构优化提升功率放大器功率附加效率的方法

埃赋隆推出工作在433MHz频段的500W LDMOS晶体管

氮化镓的卓越表现：推动主流射频应用实现规模化、供应安全和快速应对能力

意法半导体与远创达签署LDMOS技术许可合作协议

验证射频功率晶体管的耐用性

氮化镓发展评估

宽频设计不能满足？来看看这款4G小基站用LDMOS功放

5G基站射频市场：LDMOS开始下滑、GaN快速增长

宽频设计不能满足？来看看这款4G小基站用LDMOS功放

覆盖TD-SCDMA双频段的大功率330W LDMOS

一种适用于RFIC的抗击穿LDMOS设计

凭借第二代Airfast功放，飞思卡尔继续扩大RF领导地位

飞思卡尔发布LDMOS首批11个射频功率产品

一种适用于射频集成电路的抗击穿LDMOS设计

利用DS4303为LDMOS RF功率放大器提供偏置

基站功率放大器ADS仿真设计

LDMOS结构特点和使用优势

最新耐用型大功率LDMOS晶体管耐用测试及应用类型

飞思卡尔推出RF LDMOS功率管可在阻抗失配条件下使

基于LDMOS的TD-SCDMA射频功放设计

基于LDMOS的TD-SCDMA射频功率放大器

LDMOS结构/优点

LDMOS的性能与制造工艺

检测LDMOS漏端电压判断是否过流方案

基于超薄外延技术的双扩散新型D-RESURF LDMOS设计

飞思卡尔的先进射频功率处理技术LDMOS降低蜂窝发射器成本和功耗

世强电讯推出Infineon 推动功放参考设计及Demoboard

英飞凌向中国通信市场推出新一代LDMOS晶体管

恩智浦射频产品技术中心落户上海及波士顿近郊

3G基站：LDMOS技术提升3G基站能效

飞思卡尔推出全球首款50V LDMOS功率晶体管

恩智浦突破性地提升LDMOS基站的功率效率

英飞凌推出行业最优峰值输出功率的LDMOS射频功率晶体管

飞思卡尔推出最高功率的LDMOS射频功率晶体管

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