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LDMOS资讯

一种基于LDMOS器件结构优化提升功率放大器功率附加效率的方法

电源与新能源 202006 LDMOS 功率放大器功率附加效率 |2020-05-27
埃赋隆推出工作在433MHz频段的500W LDMOS晶体管

电源与新能源 LDMOS VSWR |2020-01-25
氮化镓的卓越表现：推动主流射频应用实现规模化、供应安全和快速应对能力

模拟技术氮化镓 LDMOS |2018-03-02
意法半导体与远创达签署LDMOS技术许可合作协议

EDA/PCB 意法半导体 LDMOS |2018-02-26
验证射频功率晶体管的耐用性

测试测量射频功率晶体管耐用性 LDMOS |2017-06-03
氮化镓发展评估

氮化镓砷化镓 LDMOS 201701 |2016-12-28
宽频设计不能满足？来看看这款4G小基站用LDMOS功放

测试测量 PTFC270101 小基站 4G LTE 末级放大器功率放大器 LDMOS |2016-10-29
5G基站射频市场：LDMOS开始下滑、GaN快速增长

手机与无线通信 5G LDMOS |2016-09-05
宽频设计不能满足？来看看这款4G小基站用LDMOS功放

元件/连接器基站 LDMOS |2016-04-04
覆盖TD-SCDMA双频段的大功率330W LDMOS

手机与无线通信 TD-SCDMA LDMOS |2015-11-05
一种适用于RFIC的抗击穿LDMOS设计

模拟技术 LDMOS RFIC 射频放大器 |2014-08-15
凭借第二代Airfast功放，飞思卡尔继续扩大RF领导地位

模拟技术飞思卡尔 RF Airfast LDMOS 201407 |2014-07-08
飞思卡尔发布LDMOS首批11个射频功率产品

模拟技术飞思卡尔 LDMOS RF 国防 |2014-03-04
一种适用于射频集成电路的抗击穿LDMOS设计

射频抗击穿 LDMOS 埋层漂移区衬底 |2014-02-19
利用DS4303为LDMOS RF功率放大器提供偏置

模拟技术 DS4303 LDMOS RF 功率放大器 |2013-11-14
基站功率放大器ADS仿真设计

ADS 晶体管基站功率放大器仿真 LDMOS |2012-06-15
LDMOS结构特点和使用优势

手机与无线通信优势使用特点结构 LDMOS |2012-06-04
最新耐用型大功率LDMOS晶体管耐用测试及应用类型

模拟技术 LDMOS 大功率测试晶体管 |2012-06-04
飞思卡尔推出RF LDMOS功率管可在阻抗失配条件下使

医疗电子 LDMOS 飞思卡尔功率管阻抗 |2012-05-08
基于LDMOS的TD-SCDMA射频功放设计

LDMOS TD-SCDMA 射频功率放大器 EVM指标 |2012-04-25
基于LDMOS的TD-SCDMA射频功率放大器

手机与无线通信功率放大器射频 TD-SCDMA LDMOS 基于 |2012-04-23
LDMOS结构/优点

模拟技术 LDMOS |2012-02-11
LDMOS的性能与制造工艺

模拟技术 LDMOS 性能制造工艺 |2012-02-11
检测LDMOS漏端电压判断是否过流方案

电源与新能源是否方案判断电压 LDMOS 检测 |2011-08-22
基于超薄外延技术的双扩散新型D-RESURF LDMOS设计

消费电子 D-RESURF LDMOS 设计新型扩散超薄外延技术基于 |2011-04-11
飞思卡尔的先进射频功率处理技术LDMOS降低蜂窝发射器成本和功耗

电源与新能源 LDMOS |2011-03-06
世强电讯推出Infineon 推动功放参考设计及Demoboard

手机与无线通信 Infineon LDMOS 移动通信 |2010-12-31
英飞凌向中国通信市场推出新一代LDMOS晶体管

元件/连接器英飞凌晶体管 LDMOS |2010-10-18
恩智浦射频产品技术中心落户上海及波士顿近郊

模拟技术 NXP 射频 LDMOS |2010-07-07
3G基站：LDMOS技术提升3G基站能效

手机与无线通信恩智浦 3G基站 LDMOS |2009-12-23
飞思卡尔推出全球首款50V LDMOS功率晶体管

飞思卡尔晶体管 RF LDMOS |2008-06-05
恩智浦突破性地提升LDMOS基站的功率效率

手机与无线通信恩智浦 LDMOS 基站功率晶体管 |2008-05-19
英飞凌推出行业最优峰值输出功率的LDMOS射频功率晶体管

模拟技术英飞凌 LDMOS 晶体管 |2008-05-05
飞思卡尔推出最高功率的LDMOS射频功率晶体管

模拟技术嵌入式系统单片机飞思卡尔 LDMOS 晶体管嵌入式 |2007-08-07

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