DDR3技术资讯-电子产品世界网

芯片巨头，「扔掉」这些业务

上半年，时至过半。回顾这半年的半导体市场，似是相对平静，但是仔细回想也有不少芯片巨头在该背景下做了诸多调整。它们接连「动刀」，果断退出部分产品领域。在这个过程中会对半导体产业造成哪些影响？又有哪些公司同步受益？芯片巨头，...

DDR3 DDR4 2025-06-09

DDR3单元测试规范

一、测试目的DDR3的测试分为三类：1、直流参数测试（DC Parameter Testing）：校验工作电流、电平、功率、扇出能力、漏电流等参数特性。内存的工作电流与功耗、负载有关，工作电流过高时，将造成功耗过高，给系...

内存 DDR3 2025-05-12

灿芯半导体推出DDR3/4, LPDDR3/4 Combo IP

近日，一站式定制芯片及IP供应商——灿芯半导体（上海）股份有限公司宣布推出基于28HKD 0.9V/2.5V 平台的DDR3/4, LPDDR3/4 Combo IP 。该IP具备广泛的协议兼容性，支持DDR3, DDR...

灿芯半导体 DDR3/4 2025-03-25

DDR3内存正式终结！三星、SK海力士停产涨价20％

5月15日消息，据市场消息称，三星、SK海力士将在下半年停止生产、供应DDR3内存，转向利润更丰厚的DDR5内存、HBM系列高带宽内存。DDR3虽然在技术、性能上已经落伍，PC、服务器都不再使用，但因为非常成熟，功耗和价...

存储 DDR3 2024-05-15

「落后」的内存要大幅涨价，中国厂商迎来商机

当下，AI 服务器系统和应用最为火爆，其对 DDR5 和 HBM 的需求量大增，因此，在全球内存市场，DDR5 和 HBM 成为大宗存储器市场的宠儿。AI 大模型持续迭代升级，参数持续增长，大模型的参数规模越大，算力负担...

DDR3 2024-03-19

第三季利基型DRAM价格持平，DDR3具成本优势短期仍为主流

　　根据集邦咨询半导体研究中心最新调查，DRAM原厂已陆续与客户谈定7月份利基型内存合约价，价格大致和6月相同。展望第三季，预期DDR4利基型内存报价水平将较接近主流标准型与服务器内存，因原厂可透过封装打线形式的改变(b...

DRAM DDR3 2018-08-07

内存狂涨价：台湾南亚量产DDR3/4

　　内存价格持续上涨，主要是源头的三星、SK海力士、美光三大家DRAM颗粒供应严重不足，而且整个2018年都不会缓和。　　其实在台湾还有一家DRAM厂商南亚科技，只是市场规模偏小而已。DRAM市场需求如此旺盛的情况下...

内存 DDR3 2017-10-27

DDR3与DDR2内存区别

DDR3内存相对于DDR2内存，其实只是规格上的提高，并没有真正的全面换代的新架构。DDR3同DDR2接触针脚数目相同。但是防呆的缺口位置不同。DDR3在大容量内存的支持较好，而大容量内存的分水岭是4GB这个容量，4GB...

DDR3 DDR2 2017-06-12

DDR4内存的未来

我们知道现在DDR3内存逐步发展，已经成为目前主流的选择，而且现在性能最高也达到了DDR3-2133，明年DDR4内存将会出现，预计数据传输率将会从1600起跳，可以达到4266的水平....

DDR4内存 Intel 2017-06-08

DDR3存储器接口控制器IP加速了数据处理应用

DDR3存储器系统可以大大提升各种数据处理应用的性能。然而，和过去几代（DDR和DDR2）器件相比，DDR3存储器器件有了一些新的要求。为了充分利用和发挥DDR3存储器的优点，使用一个高效且易于使用的DDR3存储器接口控...

DDR3 存储器 2017-06-05

DDR4阵营持续扩大将首度超越DDR3

　　第四代高速DRAM存储器DDR4自2014年上市以来，销售额在整体DRAM存储器总销售额中的占比不断成长。尤其是随着2016年DDR4平均售价(ASP)跌至约与DDR3相同，当年DDR4销售额占比更是飙升至45%，大...

DDR4 DDR3 2017-04-20

FPGA与DDR3 SDRAM的接口设计

DDR3 SDRAM内存的总线速率达到600 Mbps to 1.6 Gbps (300 to 800 MHz)，1.5V的低功耗工作电压，采用90nm制程达到2Gbits的高密度。这个架构毫无疑问更快、更大，每比特的功...

SDRAM FPGA 2016-10-18

基于FPGA的DDR3多端口读写存储管理设计

引言本文以Xilinx公司的Kintex-7系列XC7K410T FPGA芯片和两片Micron公司的MT41J128M16 DDR3 SDRAM芯片为硬件平台，设计并实现了基于FPGA的视频图形显示系统的DDR3多...

存储器控制多端口 2016-10-16

基于FPGA的DDR3控制器设计

基于FPGA的DDR3控制器设计,摘要介绍了DDR3 SDRAM的技术特点、工作原理，以及控制器的构成。利用Xilinx公司的MIG软件工具在Virtex-6系列FPGA芯片上，实现了控制器的设计方法，并给出了ISim...

FPGA DDR3 SDRAM控制器 2016-09-12

iSuppli明年第2季DDR3跃登DRAM市鲋髁

根据市场研究机构 iSuppli 的最新预测，DDR3 (Double Data Rate 3) 标准型内存将在 2010 年第 2 季成为产业主流，全球 DRAM 市场出货占比可望突破 50%。以单位出...

微处理器 DDR3 2016-09-12

Xilinx MIG IP核的研究及大容量数据缓冲区的实现

为了使DDR3 SDRAM更方便、多样地用于工程开发中，本文对XILINX公司DDR3 SDRAM提供的MIG核进行了分析研究，并在此基础上实现了大容量数据缓冲区的逻辑设计。通过对系统中各模块的作用及相互间关系的研究，发...

MIG核 FIFO 2016-07-28

基于FPGA的DDR3多端口读写存储管理系统设计

　　机载视频图形显示系统主要实现2D图形的绘制，构成各种飞行参数画面，同时叠加实时的外景视频。由于FPGA具有强大逻辑资源、丰富IP核等优点，基于FPGA的嵌入式系统架构是机载视频图形显示系统理想的架构选择。视频处理和图...

FPGA DDR3 2015-03-28

小改变大不同揭秘DDR4内存与DDR3区别

DDR3内存自从2007年服役以来，至今已经走过了8个年头。相比Intel的更新换代步伐来说，内存发展可谓相当缓慢。不过好在2014年底，各大厂商纷纷上架DDR4内存产品，起跳频率达到2133MHz，标志着DDR3时代的...

DDR4 DDR3 2015-03-01

美高森美与 New Wave DV合作开发用于以太网和光纤通道解决方案的创新网络产品和IP内核

　　致力于在电源、安全、可靠和性能方面提供差异化半导体技术方案的领先供应商美高森美公司(Microsemi Corporation) 宣布与New Wave Design & Verification (New ...

美高森美 FPGA 2014-12-23

Intel绝妙创意：同时兼容DDR3/DDR4规格

　　以往每次内存更新换代的时候，Intel总是同时提供支持，主板厂商也会推出一些同时有两种插槽的板子，给大家更多选择，但是这一次的Haswell-E，Intel狠心只支持DDR4(据说其实也支持DDR3但屏蔽了)，实在有...

Intel DDR3 2014-12-01

关于数Gpbs高速存储器接口设计的分析

　　游戏机、数字电视(DTV)和个人电脑等流行的消费类电子产品的功能越来越多，性能也越来越高。这些产品数据处理能力的增强使它们的DRAM存储器接口功能与产品本身的功能紧密联系在一起，以支持更多功能和更高性能。数据速率达数...

存储器 DRAM 2014-10-19

第一季度DRAM营业收入增长市场保持上行走势

　　据IHS公司的DRAM市场动态简报，在平均销售价格上升的推动下，DRAM市场继续上行，第一季度营业收入连续第二个月环比增长。　　今年1-3月DRAM营业收入从2012年第四季度的67亿美元增长到71亿美元，而且高...

DRAM DDR3 2013-06-06

针对DDR2-800和DDR3的PCB信号完整性设计

摘要　　本文章主要涉及到对DDR2和DDR3在设计印制线路板（PCB）时，考虑信号完整性和电源完整性的设计事项，这些是具有相当大的挑战性的。文章重点是讨论在尽可能少的PCB层数，特别是4层板的情况下的相关技术，其中...

DDR3 DDR 2013-01-09

IDT推出业界最低功率DDR3-1866内存缓冲芯片

拥有模拟和数字领域的优势技术、提供领先的混合信号半导体解决方案的供应商 IDT®公司 (Integrated Device Technology, Inc.; NASDAQ: IDTI) 日前推出业界首款低功率DDR3 ...

IDT DDR3 2012-11-15

IDT公司推出业界首款低功率内存缓冲芯片

　　拥有模拟和数字领域的优势技术、提供领先的混合信号半导体解决方案的供应商 IDT®公司 (Integrated Device Technology, Inc.; NASDAQ: IDTI) 今天推出业界首款低功率DDR...

IDT DDR3 2012-11-12

相当重口味!独家华硕ROG主板暴力拆解

　　泡泡网主板频道3月7日一提到华硕的高端主板，我们首先都会想到华硕的ROG些列主板产品，其定位顶级发烧用户，其极致的超频性能以及相当奢华且精致的做工用料一直是广大DIY爱好者做梦都想得到的顶级装备。　　不过，对于...

华硕主板 2012-07-04

DDR3测试的挑战及解决方法

前言作为DDR2的继任者，根据JEDEC标准, 目前DDR3的数据速率跨度从800Mbps开始直至1.6Gbps。在带给用户更快性能体验的同时, DDR3却能保持较低的功耗，相比DDR2减少约20%。虽然2008年整个D...

DDR3 测试 2012-03-22

DRAM价格十一月继续走低

　　根据集邦科技旗下研究部门DRAMeXchange的调查，受到泰国水患影响硬盘供应链，以及正逢PC步入淡季，DRAM 11月下旬合约价再跌，DDR3 4GB跌幅约7.9%，2GB跌幅近7.3%，虽然南科与尔必达宣布减产...

DRAM DDR3 2011-11-29

尔必达25nm制程4Gbit内存颗粒开发完成

　　尔必达曾宣布采用25nm工艺制造的2Gbit内存颗粒正式开始出货。今日该公司正式发表公告称，采用25nm新工艺制造的4Gbit DDR3 SDRAM颗粒研发完成，芯片面积在同类产品(4Gbit DRAM颗粒)中属世界...

尔必达 DDR3 2011-09-23

是好是坏全球内存现货价格近日大涨

　　内存现货价格近日持续大涨，DDR32GB有效测试颗粒(eTT)现货价19日大涨6.91%，顺利站上1美元大关，涨势从而引发市况好转的联想。　　南亚科技副总经理白培霖表示，返校需求没有预期差，加上内地十一长假的备料...

内存 DDR3 2011-09-21

第三季度及下半年 DRAM价格预计下挫

　　据IHS iSuppli公司的DRAM市场报告，第三季度DRAM市场将面临供应严重过剩和价格下滑的局面，导致下半年DRAM供应商陷入困境。　　主流DRAM产品——2Gb DDR3的平均销售价格预计第三季度将降到1...

iSuppli DRAM 2011-08-18

第3季度DRAM展望

　　第2季DRAM报价下跌幅度相当大，主要是日本311地震后，下游客户担心断链危机扩大，因此提前拉货，但最后发现PC终端需求低于预期，导致整个第2季记忆体市场都处于消化库存情况，且一直到第3季库存水位仍是偏高，因此DRA...

DRAM DDR3 2011-07-20

DDR3仍是主流DRAM技术

　　据IHS iSuppli公司的研究，DDR3的市场份额稳定在85-90%，2011年以及至少未来三年仍将是DRAM市场的主流技术，随后才会逐渐让位给速度更快的下一代技术。　　...

DDR3 DRAM 2011-06-28

一季度全球DRAM内存芯片营收环比降低4%

　　市场调研公司集邦科技日前发布的全球一季度DRAM内存芯片市场统计报告显示，DRAM内存芯片市场该季度营收83亿美元，相比去年第四季度的86亿美元下降4%。　　...

DRAM DDR3 2011-05-06

内存芯片厂商酝酿涨价

　　据《苹果日报》援引匿名消息提供者的说法称，由于PC OEM厂商正在积极囤积库存，内存芯片厂商南亚公司计划四月份将其产品的价格提价5%。报道还称三星公司已经知会其客户称4月上半月将对旗下内存芯片产品涨价5-6%，2Gb...

内存芯片 DDR3 2011-04-02

尔必达瑞晶垂直晶体管结构DDR3芯片试产成功

　　日本尔必达与台湾瑞晶公司近日发表联合声明称两家公司已经成功完成了4F2架构设计1Gbit密度DDR3 DRAM芯片的试产，这次试产是由瑞晶的研发中心主导的。瑞晶的研发中心自去年开始正式运作，他们一直在和尔必达公司一起...

尔必达 DDR3 2011-02-14

DDR3存储器接口控制器IP核在视频数据处理中的应用

DDR3存储器接口控制器IP核在视频数据处理中的应用,DDR3存储器系统可以大大提升各种数据处理应用的性能。然而，和过去几代（DDR和DDR2）器件相比，DDR3存储器器件有了一些新的要求。为了充分利用和发挥DDR3存储...

视频数据处理 2010-12-13

如何实现FPGA到DDR3 SDRAM存储器的连接

采用90nm工艺制造的DDR3 SDRAM存储器架构支持总线速率为600 Mbps-1.6 Gbps (300-800 MHz)的高带宽，工作电压低至1.5V，因此功耗小，存储密度更可高达2Gbits。该架构无疑速度更快...

SDRAM FPGA 2010-11-05

尔必达推出全球最小尺寸30nm DDR3颗粒

　　最近，内存颗粒的工艺进步速度非常快，最先进的30nm工艺甚至已经超过了处理器。在功耗与散热方面也有了长足的进步。　　今天我们得到最新消息，继三星之后，尔必达也成功开发出采用30nm工艺的2Gb容量DDR3 SDR...

尔必达 DDR3 2010-10-09

三星量产8GB DDR3笔记本电脑内存模组

　　三星刚刚公布其量产8GB DDR3笔记本内存模组的消息，根据计划，三星将为笔记本和移动工作站生产SODIMM接口内存模块，该模块基于40纳米制程，1333MHz频率，1.5V电压，比上一代4GB DDR3模组节电53...

三星 DDR3 2010-09-24