650V技术资讯-电子产品世界网

瑞萨电子（Renesas Electronics）宣布推出业界首款 650V 级双向氮化镓（GaN）开关，旨在简化太阳能微型逆变器、人工智能数据中心、电动汽车车载充电器等应用的功率转换设计。该公司强调，这款新型 TP65...

瑞萨电子 650V 2026-03-25

简介CoolSiC MOSFET G2 沟槽式 MOSFET 发挥碳化硅的性能优势，通过降低能量损耗来提高功率转换过程中的效率。将 SiC 性能提升到一个新水平，同时满足所有常见电源方案组合的最高质量标准： AC-DC、...

英飞凌 CoolSiC MOSFET 650V G2 2025-12-29

瑞萨电子宣布推出其 Gen 4+ Super GaN 平台，该平台具有适用于高功率应用的 650 V、30 毫欧姆氮化镓器件。此次发布代表了该公司在收购 Transphorm 并与其控制器和驱动器 IC 产品线集成后对 ...

650V GaN 2025-07-04

全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司近日推出了一款能够主动双向阻断电压和电流的氮化镓（GaN）开关——650V CoolGaN™ G5双向开关（BDS）。该产品采用共漏极设计和双栅极结构，是一款使用英...

英飞凌 650V 2025-05-27

东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）近日宣布，推出四款最新650V碳化硅（SiC）MOSFET——“TW031V65C”、“TW054V65C”、“TW092V65C”和“TW123V65C”。这些器件配备其最新的...

东芝 DFN8×8 2025-05-20

英飞凌科技股份公司近日推出分立式650V IGBT7 H7新品，进一步扩展其第七代TRENCHSTOP™ IGBT产品阵容。全新器件配备尖端的EC7共封装二极管，先进的发射器控制设计结合高速技术，以满足对环保和高效电源解...

英飞凌 650V 2023-10-11

全球知名半导体制造商ROHM（以下简称“ROHM”）将650V耐压的GaN（Gallium Nitride：氮化镓）HEMT*1“GNP1070TC-Z”、“GNP1150TCA-Z”投入量产，这两款产品非常适用于服务器...

ROHM 650V 2023-05-16

致力于亚太地区市场的领先半导体元器件分销商---大联大控股近日宣布，其旗下世平推出基于安森美（onsemi）NFAM5065L4B智能功率整合模块（IPM）的4KW 650V工业电机驱动方案。图示1-大联大世平基于ons...

大联大世平集团 onsemi 2022-09-13

半导体基础元器件生产领域的高产能生产专家Nexperia宣布推出一系列采用新一代H2技术的全新高压氮化镓场效应管。新器件包含两种封装，TO-247 和Nexperia专有的CCPAK。两者均实现了更出色的开关和导通性能，...

Nexperia 650V 2020-06-08

作为碳化硅技术全球领先企业的科锐公司，于近日宣布推出Wolfspeed 650V碳化硅MOSFET产品组合，适用于更广阔的工业应用，助力新一代电动汽车车载充电、数据中心和其它可再生能源系统应用，提供业界领先的功率效率。...

科锐 650V MOSFET 2020-04-03

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