25nm技术资讯-电子产品世界网

　　全球市场研究机构TrendForce旗下内存储存事业处DRAMeXchange表示，虽然三星与SK海力士的新工厂仍将于2015年陆续完工，但明年度的投片计划正仍在进行调整，如三星Line17工厂原本预定第二季大量投片...

DRAM 25nm 2014-09-09

　　尔必达曾宣布采用25nm工艺制造的2Gbit内存颗粒正式开始出货。今日该公司正式发表公告称，采用25nm新工艺制造的4Gbit DDR3 SDRAM颗粒研发完成，芯片面积在同类产品(4Gbit DRAM颗粒)中属世界...

尔必达 DDR3 2011-09-23

　　日本尔必达公司宣布开发出25nm制程2Gb密度DDR3内存芯片产品，这款产品可支持DDR3-1866规格，并兼容1.35V工作电压条件下的DDR3L-1600工作模式。预计芯片样品将于今年7月份开始向外出售，芯片的量...

尔必达 25nm 2011-05-02

　　Intel与美光合资公司出品的25nm工艺NAND闪存在今年5月就已经实现了量产。原本我们认为，Intel计划中在今年四季度推出采用该闪存的第三代固态硬盘产品已经足够稳健了。但根据欧洲媒体近日得到的消息，Intel近...

Intel 固态硬盘 2010-09-19

　　Intel与镁光公司已经成功生产出基于25nm制程技术的3位元型NAND闪存芯片产品，目前他们已经将有关的产品样品送往部分客户手中进行评估，预计这款NAND闪存芯片将于今年年底前开始量产。这款25nm NAND闪存芯...

Intel 25nm 2010-08-23

　　英特尔今天宣布和镁光一起发布25nm TLC闪存的第一款样品，TLC(Trinary-Level Cell;TLC)，即3bit/cell，也就是1个内存储存单元可存放3位元。TLC速度慢，寿命短，但成本低，价格也较...

英特尔 25nm 2010-08-18

　　继今年二月份宣布成功试制出25nm制程NAND闪存芯片产品之后，Intel与镁光的合资公司IMFT( Intel-Micron Flash Technologies)近日宣布开始正式对外销售量产的25nm制程NAND...

Intel 25nm 2010-05-21

　　Intel、美光合资公司Intel-Micron Flash Technologies(IMFT)宣布，25nm新工艺 NAND闪存芯片将从第二季度起开始销售，预计今年晚些时候就可以看到相关U盘、记忆卡、固态硬盘等各...

Intel NAND 2010-03-23

　　镁光公司NAND闪存市场开发部门的经理Kevin Kilbuck近日透露镁光计划明年将其NAND闪存芯片制程转向25nm以下级别，他表示镁光今年年中将开始批量生产25nm制程NAND闪存芯片，并将于明年转向更高级别的...

镁光 NAND 2010-03-04

　　由Intel、美光合资组建的IM Flash Technologies, LLC(IMFT)公司今天宣布，已经开始使用25nm工艺晶体管试产MLC NAND闪存芯片，并相信足以领先其他竞争对手长达一年之久。IMFT公...

Intel NAND 2010-02-01

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