碳化硅(SiC)功率器件领域的市场领先者科锐公司将继续引领高效率电子电力模组变革，宣布推出业界首款符合全面认证的可应用于电力电子模组的裸芯片型及芯片型碳化硅MOSFET功率器件。科锐碳化硅ZFET MOSFET器件和二极管适用于高阶电力电子电路，与传统硅器件相比，可实现更高的能源效率。
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科锐 SiC MOSFET
日本知名半导体制造商罗姆株式会社(总部：日本京都市)日前面向EV、HEV车(电动汽车、混合动力车)及工业设备，与拥有电力系统和电源封装技术的Arkansas Power Electronics International(APEI)公司联合开发出搭载了SiC沟槽MOS的高速、大电流模块“APEI HT2000”。该模块一改传统的Si模块的设计，由于最大限度地利用了SiC器件的特点，从而大幅改善了电气特性、机械特性，同时实现了超小型化、轻量化、高效化，在SiC模块的普及上迈出了巨大的一步。
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罗姆 SiC MOS
日本知名半导体制造商罗姆株式会社(总部：日本京都市)日前面向EV/HEV车(电动汽车/混合动力车)和工业设备的变频驱动，开发出符合SiC器件温度特性的可在高温条件下工作的SiC功率模块。该模块采用新开发的高耐热树脂，世界首家实现了压铸模类型、225℃高温下工作，并可与现在使用Si器件的模块同样实现小型和低成本封装，在SiC模块的普及上迈出了巨大的一步。
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罗姆 SiC
作为全球嵌入式计算平台领导厂商、并提供跨越多个垂直市场的嵌入式平台解决方案的研华公司，今日推出了一款基于Intel N455处理器的COM-Ultra模块--SOM-7562 B1。这款采用Intel N455处理器的新型B1版本模块作为升级产品，内存技术由DDR2更新至DDR3，且具备更宽的温度范围(-40 ~ 85° C)，而其功耗仅为5 V的可选版本更是具备非常强的竞争力。
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研华 COM-Ultra SOM-7562 B1
据罗姆中国营业本部村井美裕介绍，面对未来的50年，罗姆提出了“相乘战略”、“功率器件战略”、“LED战略”和“传感器战略”四大企业战略。
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罗姆 SiC LED
富士电机计划生产采用碳化硅作为原料的功率半导体，并在2012年前于该公司位于日本长野县的松元制作所增设一条产线，此为该公司首次在自家工厂设置碳化硅功率半导体的产线，未来预计在2012年春季开始量产。
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富士电机 SiC
引言 随着现代技术的发展， 功率放大器已成为无线通信系统中一个不可或缺的部分, 特别是宽带大功率产生技术已成为现代通信对抗的关键技术。作为第三代半导体材料碳化硅（ SiC） , 具有宽禁带、高热导率、高击穿场
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设计 分析 模块 功率放大器 宽带 SiC
电子产品世界,为电子工程师提供全面的电子产品信息和行业解决方案,是电子工程师的技术中心和交流中心,是电子产品的市场中心,EEPW 20年的品牌历史,是电子工程师的网络家园
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SiC 宽带功率放大器 模块设计 放大电路
安川电机试制出了利用SiC功率元件的电动汽车（EV）行驶系统（图1）。该系统由行驶马达及马达的驱动部构成。通过...
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安川电机 EV行驶系统 SiC
在由Xilinx主办的会议上市调公司Semico的Richard Wawrzyniak’s作了有关全球ASIC市场的报告。Semico对于传统的ASIC市场将只有低增长的预测,而可编程逻辑电路(PLD)在带宽与可移动联结等日益增长的需求推动下将有大的发展。
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Xilinx Semico SIC
英飞凌科技股份公司近日宣布推出采用TO-220 FullPAK封装的第二代SiC(碳化硅)肖特基二极管。新的TO220 FullPak产品系列不仅延续了第二代ThinQ! SiC肖特基二极管的优异电气性能，而且采用全隔离封装，无需使用隔离套管和隔离膜，使安装更加简易、可靠。
独具特色的是，新的TO220 FullPAK器件的内部结到散热器的热阻与标准非隔离TO-220器件类似。这要归功于英飞凌已获得专利的扩散焊接工艺，该技术大大降低了内部芯片到管脚的热阻，有效地弥补了FullPAK内部隔离层的散
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英飞凌 肖特基二极管 SiC
随绿色经济的兴起，节能降耗已成潮流。在现代化生活中，人们已离不开电能。为解决“地球变暖”问题，电能消耗约占人类总耗能的七成，提高电力利用效率被提至重要地位。
据统计，60%至70%的电能是在低能耗系统中使用的，而其中绝大多数是消耗于电力变换和电力驱动。在提高电力利用效率中起关键作用的是功率器件，也称电力电子器件。如何降低功率器件的能耗已成为全球性的重要课题。
在这种情况下，性能远优于普遍使用的硅器件的碳化硅(SiC)器件受到人们青睐。SiC器件耐高温(工作温度和环境
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丰田 SiC 碳化硅 MOSFET 200910
使用国产6H―SiC衬底的GaN HEMT外延材料研制出高工作电压、高输出功率的A1GaN／GaN HEMT。利用ICCAP软件建立器件大信号模型，利用ADS软件仿真优化了双级GaNMMIC，研制出具有通孔结构的GaN MMIC芯片，连续波测试显示，频率为9．1～10．1 GHz时连续波输出功率大于10W，带内增益大于12 dB，增益平坦度为±0．2 dB。该功率单片为第一个采用国产SiC衬底的GaN MMIC。
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MMIC SiC GaN 衬底
日产汽车开发出了采用SiC二极管的汽车逆变器。日产已经把该逆变器配备在该公司的燃料电池车“X-TRAIL FCV”上，并开始行驶实验。通过把二极管材料由原来的Si变更为SiC，今后有望实现逆变器的小型轻量化、提高可靠性。对于电动汽车而言，逆变器的大小一直是布局的制约因素之一。
SiC元件作为具有优异特性的新一代功率半导体备受瞩目。SiC的绝缘破坏电场比Si大1位数左右，理论上SiC导通电阻可比Si减小2位数以上。原因是导通电阻与绝缘破坏电场3次方成反比。导通电阻小，因此可
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二极管 SiC 汽车 逆变器 日产
人体信息监控是一个新兴的领域，人们设想开发无线脑电图(EEG)监控设备来诊断癫痫病人，可穿戴的无线EEG能够极大地改善病人的活动空间，并最终通过因特网实现家庭监护。这样的无线EEG系统已经有了，但如何将他们的体积缩小到病人可接受的程度还是一个不小的挑战。本文介绍采用IMEC的SiC技术，它的开发重点是进一步缩小集成后的EEG系统体积以及将低功耗处理技术、无线通信技术和能量提取技术整合起来，在已有系统上增加一个带太阳能电池和能量存储电路的额外堆叠层，这样就能构成一套完全独立的生物电信号采集方案。
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SiC EEG 生物电信号采集 IMEC
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