据业者透露，韩国厂商生产的三位元型MLC NAND闪存芯片新品在稳定性和耐用性方面不如现有两位元型产品，不过消息来源不愿意透露这家韩国厂商的具体名称。据消息来源透露，这家韩国厂商首批推出 的三位元MLC NAND闪存芯片只面向大陆以及美国地区的市场发售，不过目前部分销往美国市场的产品已经由于产品质量不稳定而遭到客户的退货。
据闪存控制芯片的厂商表示，三位元型MLC NAND闪存芯片技术目前还处在初级发展阶段，由于可能存在一些兼容性等方面的问题，因此需要3个月的时间对这种新产品进行充分的测试。
关键字：
NAND 闪存芯片
据国外媒体报道，消息人士周一透露，东芝可能将投资2000亿日元(约合22亿美元)扩大NAND闪存芯片生产。到2010年4月底，东芝的闪存芯片生产规模将扩大40%。
报道称，东芝当前还计划在2012年3月之前，为半导体产业投资总计5000亿日元。市场调研公司iSuppli上周发布研究数据显示，今年第三季度全球NAND闪存市场业绩强劲，东芝表现最为抢眼，营收环比增长近50%。
iSuppli的报告称，全球NAND闪存市场第三季度的营收较第二季度的31亿美元，增长了25.5%，达39.4亿美元。
关键字：
东芝 NAND 闪存芯片
台湾闪存芯片生产商旺宏电子新闻发言人林云龙今日表示，公司正考虑收购茂德科技旗下一座12英寸芯片生产工厂，他称“希望在农历新年前完成这样一笔收购交易”，但拒绝透露其中细节。
有台湾媒体报道称，旺宏电子此举为满足市场对闪存芯片的强劲需求，同时旺宏电子将斥资50亿元新台币收购该工厂，预计在明年第一季度完成交易。
目前，茂德科技方面尚未就此事发表评论。
关键字：
茂德 闪存芯片
美国内存大厂SanDisk近日公布第3季财报，意外由亏损转为强劲获利，主要由于销售额优于预期，以及先前减记的库存收入回补加持。这也反映了内存制造商持续受惠于闪存芯片市场好转趋势。
据国外媒体报道，SanDisk第3季由去年同期的亏损1.659亿美元或每股74美分，改善为获利2.313亿美元或每股99美分。去除特殊项目后，每股获利则为76美分，优于分析师预期的每股26美分。
该季营收增长14%至9.352亿美元，远优于公司今年7月份预估的介于7.25-7.75亿美元，以及分析师预期的7.87
关键字：
SanDisk NAND 闪存芯片
镁光34nm制程企业级MLC/SLC NAND闪存芯片已经进入试样阶段，MLC部分的存储密度可达32Gb，写入寿命达3万次，是普通MLC产品的6倍;SLC部分存储密度为16Gb，写入寿命同样为3万次，是普通SLC产品的3倍.
镁光这次开发成功的34nm MLC/SLC闪存芯片支持ONFI2.1接口规范(Open NAND Flash Interface)，数据传输率最高可达200MB/S，而且可以采用闪存封装内部集成多片闪存芯片的封装方案。
镁光表示，明年初这两种闪存芯片便可正式量产。
关键字：
镁光 NAND 闪存芯片 34nm
晟碟(SanDisk)今日推出了新的先进闪存芯片生产技术，旨在进一步帮助芯片生产商提高利润。
晟碟表示，已经开始向零售商供应采用这项名为X4的新技术的数据存储卡，这种存储卡包含容量为64G的闪存芯片，较当前市场上流通的芯片存储能力高出一倍。
晟碟称，X4技术将有助于降低闪存芯片的生产成本，从而提高该公司及其生产伙伴东芝的利润率。
晟碟总裁兼首席营运长Sanjay Mehrotra表示，该公司将采用了X4技术的芯片植入现有存储卡内，但并未在产品标签上作出区分，定价也没有变化，从而实现了
关键字：
SanDisk 闪存芯片 X4
日本最大闪存芯片制造商尔必达表示，可能投资至多400亿日元(约合4.52亿美元)提高40纳米芯片的产量，达到公司芯片总产量的一半。
尔必达发言人表示，公司计划今年开始大规模生产这一产品。他说，为了反映市场状况，尔必达决定加快投资步伐。
尔必达、三星电子、海力士半导体等芯片制造商正在降低芯片尺寸，以增加一片晶圆所能切割出的芯片数量，以此降低成本，应对产品价格不断下滑的局面。尔必达说，从当前的50纳米技术转向较小的芯片尺寸，公司可以将每片晶圆的芯片产量提高44%。
亚洲最大半导体现货市场
关键字：
尔必达 40纳米 闪存芯片
据国外媒体今日报道，在美国闪存芯片厂商美光科技提出投诉后，美国政府承诺就日本最大电脑闪存厂商必尔达的补贴问题向日本和中国台湾施加压力。
美国贸易代表荣·基克(Ron Kirk)向爱达荷州共和党参议员迈克·卡拉普(Mike Crapo)致函，承诺会通过世界贸易组织以及单独会晤拥有半导体产业的国家，要求日本和中国台湾就补贴问题提供更多信息。爱达荷州是美光科技的总部所在地。
基克在这封9月24日的信件中表示：“我们理解这个问题对你和对美国DRAM芯片制造商
关键字：
美光 DRAM 闪存芯片
据国外媒体今日报道，在美国闪存芯片厂商美光科技提出投诉后，美国政府承诺就日本最大电脑闪存厂商必尔达的补贴问题向日本和中国台湾施加压力。
美国贸易代表荣·基克(Ron Kirk)向爱达荷州共和党参议员迈克·卡拉普(Mike Crapo)致函，承诺会通过世界贸易组织以及单独会晤拥有半导体产业的国家，要求日本和中国台湾就补贴问题提供更多信息。爱达荷州是美光科技的总部所在地。
基克在这封9月24日的信件中表示：“我们理解这个问题对你和对美国DRAM芯片制造商
关键字：
闪存芯片 DRAM
据业者透露，东芝及其闪存合作伙伴SanDisk计划要在明年下半年开始采用20nm级别制程来量产NAND闪存芯片。另外两家公司在日本本州四日市(Yokkaichi)合资兴建的闪存芯片厂将逐月增大闪存芯片的产能，直至达到20万片的产能水平。
东芝公司最近已经开始32nm制程3bpc(每存储单元3bit数据)闪存芯片的量产，按原先的计划，合资的四日市芯片厂32nm制程芯片的产量应在今年底前达到总产量的50%左右，不过按目前的产能规划来看，实际的量产实施时间看来已经会有所拖延。
另一方面，对手In
关键字：
SanDisk 20nm NAND 闪存芯片
据国外媒体报道，申请破产的闪存芯片制造商飞索半导体周一表示，作为公司重组计划的一部分，公司已经同意作价约3100万美元现金将旗下中国苏州工厂出售给台湾力成科技。
飞索半导体周一发表声明称，苏州工厂约有565名工人，是公司4家工厂之一。
飞索半导体今年3月申请破产。该公司表示，出售苏州工厂意在降低固定成本，转向更为灵活外包的制造模式。
这一出售交易还有待美国破产法庭批准。飞索半导体表示，计划今年第四季度走出破产保护。
关键字：
飞索 闪存芯片
根据国外媒体爆料，NAND闪存芯片制造商以及英特尔的合作伙伴美光科技可能会收购英特尔投资的NOR闪存制造商Numonyx。
这将使得英特尔能够摆脱掉Numonyx，而美光则可以藉此进入NOR闪存业务，并获得Numonyx的phase-change memory技术。
Numonyx是英特尔的合资公司，英特尔拥有其45%的股份，意法半导体持股49%。金融服务公司Francisco Partners持有其余股份，并在Numonyx 2008年成立时投资了1.5亿美元。闪存业务对英特尔和意法半导
关键字：
英特尔 NAND 闪存芯片 智能手机
据国外媒体报道，全球最大的两家闪存芯片制造商，三星电子与东芝公司今日表示，美国司法部针对两家公司展开的反垄断调查已经结束。此次反垄断调查历时2年。
三星电子的一位女发言人今日宣布，美国司法部已通知三星电子，对公司的相关调查已告结束。东芝美国分公司则在7月28日收到了有关通知。但美国司法部女发言人塔拉莫娜拒绝对此发表评论。
美国司法部对闪存芯片制造商的反垄断调查始于2007年9月，调查源于司法部怀疑半导体行业存在限定价格的可能。另一项独立的调查则在4家电脑内存芯片公司中展开，这其中也包括三星
关键字：
三星 闪存芯片 内存芯片
据国外媒体报道，美国知识产权公司BTG International Inc.(以下简称“BTG”)今天向美国国际贸易委员会提出申诉，称三星的NAND闪存芯片侵犯其5项专利，要求禁止进口侵权芯片及相关产品。BTG还将苹果、RIM等8家采用该芯片的公司列为被告。
BTG申诉材料称，涉案专利与采用“多层存储单元”(MLC)技术的闪存芯片的编程和读取方法有关。MLC技术能降低闪存芯片制造成本，并提高存储密度。
申诉材料指出，包括手机、摄像机、笔记本和
关键字：
三星 NAND 闪存芯片 MLC
苹果高管近日在财报分析师电话会议上表示，该公司已与东芝达成闪存芯片长期供货协议，并向后者预付5亿美元货款。
这一交易对于东芝而言可谓“及时雨”。东芝是全球第二大NAND闪存芯片厂商，面临闪存芯片价格滑坡和来自三星电子的激烈竞争等问题。
消息人士表示，5亿美元相当于苹果一个季度NAND闪存芯片需求量的价值。
关键字：
苹果 闪存芯片 NAND
ufs 4.0 闪存芯片介绍
您好，目前还没有人创建词条ufs 4.0 闪存芯片!
欢迎您创建该词条，阐述对ufs 4.0 闪存芯片的理解，并与今后在此搜索ufs 4.0 闪存芯片的朋友们分享。
创建词条
关于我们 -
广告服务 -
企业会员服务 -
网站地图 -
联系我们 -
征稿 -
友情链接 -
手机EEPW
Copyright ©2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《电子产品世界》杂志社 版权所有 北京东晓国际技术信息咨询有限公司
京ICP备12027778号-2 北京市公安局备案：1101082052 京公网安备11010802012473
京ICP备12027778号-2 北京市公安局备案：1101082052 京公网安备11010802012473